“C23C16/32”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果197个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于制造涂覆碳化硅的主体的工艺-CN202310429396.0在审
发明人：彼得·J·盖尔西奥;保罗·维斯特法尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-12-22 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过在化学气相沉积方法中使用二甲基二氯硅烷(DMS)作为硅烷源在石墨基板上沉积碳化硅(SiC)来制造涂覆SiC的主体的新的工艺。本发明的另一方面涉及可通过本发明的新的工艺获得的新的涂覆碳化硅的主体，以及涉及其用于制造以下项的用途：用于高温应用、基座和反应器的制品，半导体材料和晶片。
用于制造碳化硅主体工艺

[发明专利]使用异质前体相互作用的硅碳化物膜的保形沉积-CN201980049405.5有效
发明人：马修·斯科特·韦默;巴德里·N·瓦拉达拉简;龚波;桂喆 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：可以使用远程等离子体化学气相沉积(CVD)技术沉积经掺杂或未经掺杂的碳化硅膜。将一种或多种含硅前体提供至反应室。以实质上低能态或基态提供自由基物质，例如氢的自由基物质，并且其与一种或多种含硅前体相互作用以沉积碳化硅膜。共反应物可以与一种或多种含硅前体一起流动，其中该共反应物可以是沉积添加剂或非沉积添加剂以提高碳化硅膜的台阶覆盖率。
使用异质前体相互作用碳化物沉积

[发明专利]一种低电阻的碳化硅基板及其制备方法和应用-CN202310913102.1有效
发明人：黄秀松;郭超;母凤文 -专利权人：青禾晶元（天津）半导体材料有限公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明提供一种低电阻的碳化硅基板及其制备方法和应用，属于半导体技术领域，所述碳化硅基板包括掺杂N元素的碳化硅和游离碳，所述游离碳随机分布于所述碳化硅内部；所述N元素的掺杂浓度大于5×1020atoms/cm3；所述碳化硅基板的电阻率小于10mΩ·cm。本发明制备了一种低电阻的碳化硅基板，微观组织为掺杂N元素的碳化硅和游离碳的复合结构，该碳化硅基板不仅满足了电阻率小于10mΩ·cm的要求，而且组织均匀性好，可满足作为复合碳化硅晶圆的支撑层等应用环境。
一种电阻碳化硅及其制备方法应用

[发明专利]中继环碳化钽镀膜装置和方法-CN202310994198.9有效
发明人：袁刚俊;苏兆鸣 -专利权人：通威微电子有限公司
申请日： 2023-08-09 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种中继环碳化钽镀膜装置和方法，涉及长晶设备制造技术领域。装置包括真空腔体、真空抽气系统、石墨加热器和石墨桶；真空抽气系统连通到真空腔体上，真空抽气系统用于控制真空腔体内的真空度，石墨加热器安装在真空腔体的内部，石墨桶设置在石墨加热器的内部，石墨桶内的底部用于盛装钽颗粒，石墨桶内的顶部用于放置中继环；石墨加热器用于对石墨桶加热，使钽颗粒蒸发成气体、并附着到中继环的表面、与中继环上的碳发生反应形成碳化钽薄膜。装置和方法能够提高镀膜效率，而且形成的碳化钽薄膜致密、均匀。
中继碳化镀膜装置方法

[发明专利]一种碳化硅薄膜制备方法-CN202310859673.1在审
发明人：杜伟;彭高攀 -专利权人：淮安捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅薄膜领域，具体涉及一种碳化硅薄膜制备方法，包括以下步骤：(1)使用RCA法对硅基底进行清洗，去除硅基底脏污和表面划伤，并对硅基底表面进行抛光，得到预处理硅基底；(2)将预处理硅基底放入PECVD装置的沉积仓内，对沉积仓进行抽真空处理并加热；(3)向沉积仓内通入反应气体，在达到工作压强后启动射频电源，开始在硅基底表面生长碳化硅薄膜；(4)镀膜结束后，通过氮气吹扫即可。本发明通采用PECVD方法，以二氧化碳作为沉积气体来制备碳化硅薄膜，电离出的碳原子可以很好的与硅基片表面的悬挂键结合，制得的薄膜均匀性较好，且不采用硅烷甲烷等易燃易爆气体，降低了反应难度，安全性较高。
一种碳化硅薄膜制备方法

[发明专利]一种SiC陶瓷的化学气相沉积制备系统及制备方法-CN202310758540.5在审
发明人：张中伟;李玮洁;庞旭;薛轶凡 -专利权人：北京理工大学;北京交通大学
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC陶瓷的化学气相沉积制备系统及制备方法，属于材料制备技术领域，包括以下步骤：将利用气路管道将316L不锈钢罐、蠕动泵、混气罐、气体浮子流量计、化学气相沉积炉、尾气过滤罐和真空隔膜泵依次连接，组装CVD系统；将化学气相沉积炉进行预热后，打开装有液态的三氯甲基硅烷mts的316L不锈钢罐和蠕动泵，调节所述蠕动泵滚轮的转向和转速，控制液态mts的出口流量；调节通过气体浮子流量计的旋钮，调整气态mts的出气量，使mts气体进入炉体内分解并生成SiC陶瓷样品，其中尾气经过滤罐过滤后被隔膜泵抽出。本发明通过上述结构，能够精确控制沉积气源mts的进气量，并且能够显著地提升mts的输运效率，减少CVD制备SiC陶瓷的工艺时长。
一种 sic 陶瓷化学沉积制备系统方法

[发明专利]一种耐火材料表面沉积碳化硅的装置-CN202010239697.3有效
发明人：于伟华;郭平春;刘淦;王彬;王新柱 -专利权人：于伟华
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明涉及无机非金属材料制备技术领域，具体涉及一种耐火材料表面沉积碳化硅的装置。该装置包括壳体、底盘和封盖；所述壳体为圆柱体或多面体；所述壳体包括外壳和内壳，以及设置于内壳和外壳之间的加热装置；所述底盘设置于所述壳体的下底面，所述底盘与壳体密封连接；所述封盖设置于所述壳体的上底面，所述封盖与壳体之间为活动连接；所述底盘上设有若干个进气装置，所述封盖上设有若干个排气装置。本发明解决了当沉积碳化硅的装置内需完成多个产品的碳化硅涂层沉积工作，且各产品的技术要求均不相同的问题。本发明通过设置可调整通入喷嘴的进气量和反应气种类，使沉积在待沉积耐火材料表面的碳化硅涂层可根据不同要求进行调整。
一种耐火材料表面沉积碳化硅装置

[发明专利]一种快速冷却的碳化硅涂层沉积装置及使用方法-CN202110900778.8有效
发明人：韩科选;薛赓 -专利权人：苏州步科斯新材料科技有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速冷却的碳化硅涂层沉积装置及使用方法，涉及无机非金属材料装备领域，包括：炉体；保温层，保温层设置于炉体内部，保温层包括侧保温板、顶部保温板和底部保温板；顶部保温板升降装置，顶部保温板升降装置设置于炉体顶部，顶部保温板升降装置输出端与顶部保温板上端固定连接；底部保温板升降装置，底部保温板升降装置设置于炉体底部，底部保温板升降装置输出端与底部保温板下端固定连接；反应室，反应室设置于保温层内部。本发明的优点在于：可节约冷却时间，缩短总周期，提高沉积炉产能、降低生产成本，同时冷却阶段降温速率可控，能很好的满足自动工艺需求，全自动化控制，较易实现批量化生产。
一种快速冷却碳化硅涂层沉积装置使用方法

[发明专利]一种C/SiC复合材料异型轴成型工装及其成型方法-CN202210989117.1有效
发明人：苏海龙;田录录;史思涛;付志强;陈旭;邢朝阳;杨攀 -专利权人：西安鑫垚陶瓷复合材料股份有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种C/SiC复合材料异型轴成型工装及其成型方法，该工装包括内模、两个定位卡座和第一外模，两个定位卡座顶部均设置有定位压板，两个定位卡座和定位压板连接处均设置有定位孔；第一外模设置于两个定位卡座之间，第一外模上设置有第二外模；内模设置于第一外模和第二外模形成的间隙内，内模、第一外模和第二外模上对应设置有若干与型面垂直的通气孔。本发明的成型工装结构简单，易安装，易操作，且定型牢靠，内模、第一外模和第二外模通过定位块保证相对位置关系，从确保异型轴预制体的内圆和外圆同心，从而得到结合面间隙小，连接强度大的C/SiC复合材料异型轴。
一种 sic 复合材料异型成型工装及其方法

[发明专利]一种搬运机构-CN202111598067.6有效
发明人：徐鑫;肖蕴章;杨方;刘亮辉;经军辉;黄帅帅;刘佳明;陈炳安;钟国仿 -专利权人：深圳市纳设智能装备有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种搬运机构，涉及化学气相沉积设备领域，搬运机构包括第一驱动模组、第一导向模组、第二驱动模组、第二导向模组及抓取模组，抓取模组设于第二导向模组上，第一驱动模组包括第一驱动组件及第一传动组件，第一驱动组件与第一传动组件连接，第二导向模组连接于第一传动组件上，第一导向模组包括第一滑轨、第一滑块、罩设件及第一连接件，罩设件设于机架上，罩设件内形成容置腔，第一滑轨设于容置腔，第一滑块滑动设于第一滑轨上，且位于容置腔内，第一连接件连接于第一滑块上，且一端与第二导向模组连接，第二驱动模组与第二导向模组连接，搬运机构造价相对低廉，有利于降低生产成本。
一种搬运机构

[发明专利]一种细长金属管内孔中SiC-ZrC复合涂层的制备方法-CN202310506821.1在审
发明人：陈旭军;罗怀德;陈湘;吴宗绪 -专利权人：韶山汇达新材料有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种细长金属管内孔中SiC‑ZrC复合涂层的制备方法，属于涂层制备技术领域。本发明以硅粉和二氧化硅粉为蒸镀粉料，与CH4或C3H6经原位反应制备内涂层；再以锆粉、氯化钾和氯化锂为蒸镀粉料，与CH4或C3H6经原位反应制备外涂层，形成SiC‑ZrC复合涂层。相较于传统真空蒸镀方法，本发明方法无需高的真空环境，同时降低了生成涂层的反应温度，极大地降低了设备要求。本发明工艺简单，设备要求较低，可快速、高效的制备高性能、耐高温、耐辐照的SiC‑ZrC复合涂层。
一种细长金属管内孔中 sic zrc 复合涂层制备方法

[发明专利]一种复合结构稀土改性钨涂层及其制备方法-CN202310299745.1在审
发明人：许振华;王鑫;甄真;戴建伟;牟仁德 -专利权人：中国航发北京航空材料研究院
申请日： 2023-03-25 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明是一种复合结构稀土改性钨涂层及其制备方法，该方法是采用化学气相沉积工艺，以Gd颗粒、Sm颗粒、WF6气体和相关工艺气体为原料，在钴基高温合金表面制备出具有复合结构的Gd2C3/W/Sm2O3抗氧化涂层，该方法通过控制化学气相沉积设备的真空室加热温度、真空度、外置反应发生器温度、工艺气体流量、沉积时间等因素，在高温合金表面上制备出以Gd2C3为界面层、W为主相涂层、Sm2O3为封堵层的复合结构抗氧化涂层。该抗氧化涂层具有氧空位低、致密性好、高热膨胀系数、高温物相稳定以及与高温合金基体的界面化学相容性匹配，适合于1150℃以上的高温氧化腐蚀环境下使用，能提高涡轮叶片材料的工作服役温度和确保基材维持良好的力学性能。
一种复合结构稀土改性涂层及其制备方法

[发明专利]一种出气管路结构及反应设备-CN202210717467.2有效
发明人：肖蕴章;黄帅帅;张存园;陈炳安;钟国仿 -专利权人：深圳市纳设智能装备有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种出气管路结构及反应设备，涉及化学气相沉积领域，出气管路结构，连接于内部设有反应室的石英筒上，包括套管、导气流道、升降机构、出气管道及封盖，套管设于石英筒内，且靠近反应室的出气侧设置，导气流道设于套管内，且一端与反应室的连通，升降机构与导气流道相连，升降机构用于带动导气流道进行升降，以切换导气流道与反应室的连通状态，出气管道设于套管上，且与导气流道远离反应室的一端相对，封盖盖设于套管背离反应室的一端。机械手取放晶圆时，导气流道在升降机构的带动下与反应室断开连通，因此不会经过有副反应发生的导气流道，从而降低了因掉落物而造成的晶圆表面的缺陷数量和缺陷密度，提高了晶圆的良率。
一种出气管路结构反应设备

[发明专利]用于制造涂覆碳化硅的主体的工艺-CN202310314995.8在审
发明人：彼得·J·盖尔西奥;保罗·维斯特法尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-12-22 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过在化学气相沉积方法中使用二甲基二氯硅烷(DMS)作为硅烷源在石墨基板上沉积碳化硅(SiC)来制造涂覆SiC的主体的新的工艺。本发明的另一方面涉及可通过本发明的新的工艺获得的新的涂覆碳化硅的主体，以及涉及所述涂覆碳化硅的主体用于制造用于高温应用、基座和反应器、半导体材料以及晶片的制品的用途。
用于制造碳化硅主体工艺

[发明专利]一种抗氧化复合膜层及其制备方法和应用-CN202310401986.2在审
发明人：柳彦博;高志廷;马壮;朱时珍;张泽;刘少璞;迟寰宇 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种抗氧化复合膜层及其制备方法和应用，属于复合材料技术领域。本发明提供了一种抗氧化复合膜层，包括依次层叠的基体层、SiC薄膜中间过渡层和抗外层氧化涂层，所述SiC薄膜中间过渡层与所述抗外层氧化涂层接触的一侧表面设有微结构。本发明在SiC薄膜中间过渡层上形成微结构，微结构使得SiC薄膜中间过渡层的表面积增大3倍以上，能够增大界面结合面积，从而增加范德华力作用面积，提高结合力，且形成的抗外层氧化涂层会充满微结构，形成互锁结构，进一步增大结合力，提高了33％以上；微结构在烧蚀时刻释放应力减少微裂纹产生概率，减小了一倍，有利于缓解涂层中的热应力，从而使得使用寿命提高到3倍以上。
一种氧化复合及其制备方法应用

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
下一页»
尾页
共 197 条