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[发明专利]基板处理方法和成膜系统-CN202010078882.9在审
发明人：成岛健索;平松永泰;堀田隼史;松本淳志;荒木真人;山崎英亮 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-02-03 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明提供一种使低电阻的钨膜成膜的基板处理方法和成膜系统。一种基板处理方法，其具备如下工序：准备在表面形成有自然氧化膜的基板的工序；实施作为去除所述自然氧化膜的处理的前处理的工序；以及将载置所述基板的载物台的温度加热到预定的温度，向实施了所述前处理之后的所述基板供给氯化钨气体和还原气体而在所述基板直接使钨膜成膜的工序
处理方法系统

[发明专利]磁控溅射装置以及磁控溅射方法-CN201910104467.3在审
发明人：丁冬;李素华;王鹏 -专利权人：云谷（固安）科技有限公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：具有工艺腔室的腔体，设置在工艺腔室内的靶材、阴极板以及至少一个移动组合；每个所述移动组合包括设置在所述靶材远离所述阴极板一侧的阳极板，以及设置在所述阴极板远离所述靶材一侧的磁极组；所述阳极板与所述靶材之间具有成膜基板放置区，所述成膜基板放置区用于放置待成膜基板，同一所述移动组合内的所述阳极板与所述磁极组相对于放置在所述成膜基板放置区中的所述待成膜基板同步运动。本申请阳极板与磁极组相对于待成膜基板同步运动，使得恒定分布的等离子体在待成膜基板上扫描式移动，进而可以解决磁场不均造成的成膜不均问题。
成膜基板阳极板靶材磁控溅射装置移动组合磁极组放置区阴极板磁控溅射同步运动等离子体恒定扫描式移动工艺腔室工艺腔成膜磁场腔体申请室内

[发明专利]对基板进行成膜的装置和对基板进行成膜的方法-CN202211005532.5在审
发明人：高木俊夫;川口拓哉;堀田隼史;山崎英亮;山内孝哉 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种对基板进行成膜的装置和对基板进行成膜的方法。配置到用于在真空气氛下向基板的表面供给反应气体而进行成膜处理的处理容器内的升降轴以从下表面支承着基板的载置台的状态以在上下方向上延伸的方式设置，穿过在处理容器设置的贯通口而与外部的升降机构连接起来。由此，吹扫气体从载置台逸散而流动，因此，载置台的温度在面内一致，改善成膜处理的面内均匀性。
进行装置方法

[发明专利]成膜装置、成膜方法、氧化镓膜及层叠体-CN202280019526.7在审
发明人：坂爪崇寛;桥上洋 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明的成膜装置对经雾化的原料溶液进行热处理而在基板上进行成膜，所述成膜装置包括：雾化部，将所述原料溶液雾化而产生雾；载气供给部，供给载气，所述载气搬送所述雾化部中所产生的所述雾；成膜部，在内部包括载置所述基板的载置部，将由所述载气搬送的所述雾供给至所述基板上；以及排气部，从所述成膜部排出废气，且在所述成膜部内的所述载置部的上方进而包括：喷嘴，向所述基板上供给所述雾；以及顶板，将从所述喷嘴供给的所述雾进行整流。由此，提供一种能够应用雾CVD法、能够形成膜厚的面内均一性优异的膜的成膜装置、及成膜方法。
装置方法氧化层叠

[实用新型]成膜系统及成膜装置-CN202220519843.2有效
发明人：坂爪崇寛;桥上洋 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本实用新型的成膜装置对经雾化的原料溶液进行热处理而在基板上进行成膜，所述成膜装置包括：雾化部，将所述原料溶液雾化而产生雾；载气供给部，供给载气，所述载气搬送所述雾化部中所产生的所述雾；成膜部，在内部包括载置所述基板的载置部，将由所述载气搬送的所述雾供给至所述基板上；以及排气部，从所述成膜部排出废气，且在所述成膜部内的所述载置部的上方进而包括：喷嘴，向所述基板上供给所述雾；以及顶板，将从所述喷嘴供给的所述雾进行整流。由此，提供一种能够应用雾CVD法、能够形成膜厚的面内均一性优异的膜的成膜系统及成膜装置。
系统装置

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN202010152660.7在审
发明人：野泽秀二;山口达也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供基板处理装置和基板处理方法。在进行有机膜的相对于基板的形成和该有机膜的表面部的去除时，提高生产率。基板处理装置构成为包括：处理容器，其在内部形成真空环境；载置部，其用于在所述处理容器内载置基板；成膜气体供给部，其向载置于所述载置部的所述基板供给用于成膜有机膜的成膜气体；以及加热部，其以与所述基板非接触的方式加热载置于所述载置部的该基板，而去除所述有机膜的表面部。
处理装置方法

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201910316597.3在审
发明人：山口达也;新纳礼二;饭塚洋二 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明提供在对基板供给相互反应而成为膜物质的成膜气体、形成由膜物质构成的膜的成膜装置中，生产率高、且提高在基板形成的膜的膜厚的面内均匀性和面间均匀性的技术。在处理容器内设置使基板绕旋转轴公转的旋转台，构成为进行载置于旋转台的加热。另外，配置向旋转台吐出成膜气体的气体供给部，使其在旋转台旋转时与基板发生移动的移动区域相对，设置气体供给孔使其从旋转台的中心侧至周缘侧的范围与移动区域交叉。而且在移动区域中的互相重叠的区域同时供给第一成膜气体和第二成膜气体。因此，能够连续处理多个基板，因此生产率提高，并且在基板形成的膜的膜厚的面内均匀性和面间均匀性良好。
旋转台成膜气体基板移动区域面内均匀性成膜装置均匀性膜厚和面气体供给部气体供给孔处理容器多个基板发生移动互相重叠连续处理对基板旋转轴周缘侧成膜吐出加热配置

[发明专利]回收装置及应用其的成膜设备-CN201110009671.0有效
发明人：张耿志 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-01-11 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：一种回收装置及应用其的成膜设备，其中，该成膜设备包含：一成膜腔室；一材料源，位于该成膜腔室中；一可拆式基板，设置于该成膜腔室中；以及一致冷单元，用以控制该可拆式基板的温度，以使该可拆式基板的温度小于该材料源的温度该回收装置包含：一可拆式基板；以及一致冷单元，用以控制该可拆式基板的温度。本发明可有效提高搜集有机材料的回收率，并方便进行有机材料回收再利用。
回收装置应用设备

[发明专利]成膜装置以及电子器件的制造方法-CN202110854137.3在审
发明人：山崎将大;内田敏治 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C23C14/52 文献下载
摘要：本发明提供能够容易地把握成膜源的动作状况的成膜装置以及电子器件的制造方法。该成膜装置通过溅射在基板上进行成膜，其特征在于，具备：腔室，收容基板；成膜源，包含配置于腔室内的与基板相向的位置的包含成膜材料的靶以及在靶的周围产生磁场的磁场产生部件；驱动部件，使靶与磁场产生部件的相对位置位移
装置以及电子器件制造方法

[发明专利]聚合膜的成膜方法和成膜装置-CN200980136346.1无效
发明人：河野有美子;柏木勇作 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-07-17 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：将在原料形成面上以规定图案形成有用于形成聚合膜的多种原料的第1基板(16)、和具有应该形成聚合膜的成膜面的第2基板(15)以原料形成面和成膜面相对的方式在处理容器(2)内相对向配置，使处理容器2内为真空环境，将第1基板(16)加热至上述多种原料(17、18)蒸发的第1温度使其蒸发，并且将第2基板(15)加热至多种原料发生聚合反应的第2温度，使从第1基板(16)蒸发的多种原料(17、18)在第2基板(15)的成膜面反应，在成膜面形成规定的聚合膜。
聚合方法装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN202110652858.6在审
发明人：大槻友志;加贺谷宗仁;铃木悠介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： G01N21/3563 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法和成膜装置，用于检测在形成有包括凹部的图案的基板上成膜出的膜的状态。在第一测定工序中，通过红外光谱法来测定形成有包括凹部的图案的基板。在成膜工序中，在第一测定工序之后，对基板进行膜的成膜。在第二测定工序中，在成膜工序之后，通过红外光谱法来测定基板。在提取工序中，提取第一测定工序的测定数据与第二测定工序的测定数据的差数据。
方法装置

[发明专利]基板处理方法和记录介质-CN200680035493.6无效
发明人：山崎英亮;中村和仁;河野有美子 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-07-25 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法，是成膜装置的基板处理方法，该成膜装置包括保持被处理基板并具有加热单元的保持台、和在内部配置有上述保持台的处理容器，该基板处理方法的特征在于，包括：向上述处理容器供给成膜气体，在上述被处理基板上进行成膜的成膜工序；在上述成膜工序之后，向上述处理容器供给已进行等离子体激励的清洁气体，进行上述处理容器内的清洁的清洁工序；和在上述清洁工序之后，在上述处理容器内进行涂敷成膜的涂敷工序，在上述清洁工序中，包括控制上述处理容器内的压力，使得利用已进行等离子体激励的上述清洁气体中的自由基再结合而成的分子进行的清洁起支配作用的高压工序，在上述涂敷工序中，包括相比上述成膜工序的对上述被处理基板进行成膜的情况，使上述保持台的温度降低并进行上述涂敷成膜的低温成膜工序。
处理方法记录介质

[发明专利]一种阵列基板、显示面板以及阵列基板的制作方法-CN202011214667.3有效
发明人：储周硕;王帅毅;刘永;李广圣;叶宁;殷桂华 -专利权人：成都中电熊猫显示科技有限公司
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板、显示面板以及阵列基板的制作方法。阵列基板的制作方法包括：对衬底基板进行预加热，其中，衬底基板中形成有栅极和栅极绝缘层，衬底基板的预加热时间为10s~50s；利用第一成膜设备在衬底基板上沉积金属氧化物半导体层；利用第一成膜设备在金属氧化物半导体层上沉积保护层，并进行一次光刻工艺，以在衬底基板上形成金属氧化物半导体图形和保护图形；其中，在沉积保护层的步骤中，第一成膜设备中的成膜氧含量为2%~14%，成膜功率为20kW~40kW，成膜压力为0.1MPa~0.7MPa本发明能够增加薄膜晶体管器件的耐压能力，避免阵列基板在检测过程中发生烧伤等情况，提高阵列基板的良率。
一种阵列显示面板以及制作方法

[发明专利]减少溅射镀膜损伤硅片衬底的装置及方法-CN202210250332.X有效
发明人：董刚强;赵宇;郁操;彭振维;冉孝超 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及真空镀膜技术领域，尤其涉及减少溅射镀膜损伤硅片衬底的装置及方法，旨在解决镀膜过程中成膜载板上硅片背面被氧化和污染导致硅片成膜质量差，降低电池效率的问题。本发明提供的减少溅射镀膜损伤硅片衬底的装置包括基板、第一连接模块和第二连接模块；基板安装有电位发生器；基板处于成膜载板的下部时，以基板为第一基板；基板处于成膜载板的上部时，以基板为第二基板；第一连接模块用于控制电位发生器向第一基板施加正电位；第二连接模块用于控制电位发生器向第二基板施加负电位。通过控制电位发生器产生电场，利用电场对等离子体加速以轰击成膜载板的硅片背面，提高硅片成膜质量、提高电池效率。
减少溅射镀膜损伤硅片衬底装置方法

[实用新型]成膜装置-CN202222440438.4有效
发明人：渡部武纪;桥上洋;坂爪崇寛 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型是一种成膜装置、结晶性氧化物膜及其应用，所述成膜装置进行喷雾化学气相沉积法，所述成膜装置包括：基板加热部件，具有载置基板的基板载置部；喷嘴，喷出方向相对于所述基板的表面为垂直方向，且供给包含原料溶液的喷雾；以及所述喷嘴和/或所述基板加热部件的位置调整部件，能够将所述基板载置部的位置调整为所述喷嘴的所述喷出方向的位置与所述喷出方向以外的位置。由此，提供一种以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜、用于使所述结晶性氧化物膜成膜的成膜装置，所述结晶性氧化物膜的结晶性优异，即便为大面积且薄的膜厚，面内的膜厚分布也良好。
装置