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[发明专利]成膜装置、有机膜的膜厚测量方法以及有机膜用膜厚传感器-CN201580020079.7在审
发明人：伊藤敦;深尾万里;小林义和 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种能进行有机膜的成膜速率控制和高精度膜厚测量的成膜装置、有机膜的膜厚测量方法和有机膜用膜厚传感器。成膜装置(10)具有真空腔室(11)、有机材料源(12)、基板架(13)、膜厚传感器(14)和测量单元(17)。有机材料源(12)配置于真空腔室(11)的内部，能放出有机材料粒子。基板架(13)被构成为使其与有机材料源(12)相向配置且可保持基板(W)。膜厚传感器(14)配置在真空腔室(11)的内部且具有石英晶体谐振器，该石英晶体谐振器具有4MHz以下的基本频率。测量单元(17)根据所述石英晶体谐振器的谐振频率的变化来测量在基板架(13)上的基板(W)上沉积的有机膜的膜厚。
装置有机测量方法以及膜用膜厚传感器

[发明专利]成膜装置以及电子器件的制造装置-CN202110123215.2有效
发明人：内田敏治;松本行生;阿部可子 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置以及电子器件的制造装置，能够采用一边进行成膜材料的照射和蚀刻一边进行成膜的结构，并且能够提高薄膜的形成位置的精度。成膜装置具备：腔室(10)；通过朝向被保持在腔室(10)内的基板表面放出成膜材料来进行成膜动作的成膜材料放出装置(100)；蚀刻用射束照射装置(200)；以及输送成膜材料放出装置(100)和蚀刻用射束照射装置(200)的输送装置(300)，一边利用输送装置(300)输送成膜材料放出装置(100)和蚀刻用射束照射装置(200)，一边对所述基板同时进行成膜动作和蚀刻动作。
装置以及电子器件制造

[发明专利]成膜方法及成膜装置-CN201710670183.1在审
发明人：邻嘉津彦;铃木康司 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及成膜方法及成膜装置。课题在于，提供对于形成于沟槽等内的膜而言不形成空隙地在沟槽等内埋入膜的成膜方法。本发明的一方式的成膜方法包括以下工序通过在设置有具有底部和侧壁的沟槽或孔的基板的表面产生包含硅的成膜气体的等离子体，从而在上述底部及上述侧壁形成包含硅的第1半导体膜。形成于上述侧壁的上述第1半导体膜通过在上述基板的上述表面产生包含卤素的蚀刻气体的等离子体而被选择性除去。通过在上述基板的上述表面产生第1等离子体，从而在上述底部及上述侧壁形成第2半导体膜。
方法装置

[发明专利]原子层生长装置及原子层生长方法-CN201780035099.0有效
发明人：鹫尾圭亮;松本竜弥 -专利权人：株式会社日本制钢所
申请日： 2017-04-24 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：一种原子层生长装置，具有：成膜容器(11)，其进行成膜处理；载物台(14)，其保持基板(100)并可上下移动；基座(50)，其被保持在载物台(14)上，并且保持基板(100)；载物台停止器(17)，其使载物台(14)的上升停止，并且通过与基座(50)的接触而划分出进行上述成膜处理的成膜空间(S)与进行上述基板(100)的搬送的搬送空间。而且，基座50具有：上部基座基板保持部(52B)，其保持基板(100)；上部基座周边部(52A)，其配置在上部基座基板保持部(52B)的周围；在上部基座周边部(52A)上设置有基座防附着材料(15)。
原子生长装置方法

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201510726329.0有效
发明人：加藤寿;三浦繁博;菊地宏之;相川胜芳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法和成膜装置。在用于向基板供给处理气体并获得薄膜的成膜装置中，包括：旋转台，其配置在真空容器内，用于在设于其一面侧的载置区域载置基板并使该基板公转；旋转机构，其以所述基板自转的方式使所述载置区域旋转；处理气体供给机构，其用于向所述旋转台的一面侧的处理气体供给区域供给所述处理气体，并在通过所述公转而反复多次通过该处理气体供给区域的基板上进行成膜；以及控制部，其为了在基板每次位于所述处理气体供给区域时改变该基板的方向而根据包括所述旋转台的转速在内的参数计算所述基板的自转速度，并输出控制信号以使基板以计算出的自转速度自转。
装置方法

[发明专利]一种掩膜版及其制作方法、显示基板及其制作方法-CN202011243457.7在审
发明人：李云龙;卢鹏程 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种掩膜版及其制作方法、显示基板及其制作方法，涉及显示技术领域，该掩膜版能够大幅减轻灰尘造成的影响，从而提升产品良率。一种掩膜版，包括掩膜部和围绕所述掩膜部的周边部；其中，所述掩膜部包括至少一个掩膜单元，所述掩膜单元包括开口和围绕所述开口的第一本体；所述周边部中至少部分区域的厚度大于所述掩膜部的厚度，且被配置为与待成膜基板相接触，并支撑所述待成膜基板，使得所述掩膜部与所述待成膜基板之间具有间隙。本发明适用于掩膜版的制作。
一种掩膜版及其制作方法显示

[发明专利]透光性基板、有机LED元件、透光性基板的制造方法-CN201480025507.0有效
发明人：真下尚洋;木原直人;前重和伸;藤原晃男;岸政洋;中村伸宏;礒部卫 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2014-04-11 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明提供一种透光性基板，其特征在于，具有含有选自Bi、Ti、以及Sn的至少一种元素的玻璃基板、形成于该玻璃基板上的被覆层、形成于该被覆层上的透明导电膜，上述被覆层通过干式的成膜方法成膜。
透光性基板有机 led 元件制造方法

[发明专利]薄膜太阳能电池制造装置-CN200980112427.8有效
发明人：清水康男;小形英之;松本浩一;野口恭史;若森让治;冈山智彦;森冈和;杉山哲康;重田贵司;栗原広行 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-06-04 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明的薄膜太阳能电池制造装置具有：成膜室，以基板的成膜面与重力方向大致平行的方式配置所述基板，在所述成膜面上通过CVD法形成膜；电极单元，具有：施加有电压的阴极被配置在两侧的阴极单元、以及与所述各阴极分别对置且隔开间隔距离配置的一对阳极；以及搬送部，支撑所述基板，将所述基板搬送到所述阴极与对置于所述阴极的所述阳极之间，所述间隔距离可变。
薄膜太阳能电池制造装置

[实用新型]显示面板和显示装置-CN201822086329.0有效
发明人：单剑锋 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：其中，所述显示面板包括：阵列基板；彩膜基板，所述彩膜基板的数量为至少两个，所述彩膜基板与所述阵列基板相对设置，且相邻的所述彩膜基板间隔设置；以及液晶层，所述液晶层设于所述阵列基板和所述彩膜基板之间。本实用新型技术方案通过在同一阵列基板上设置至少两个彩膜基板，每个彩膜基板与阵列基板形成一个显示区，因此本实用新型技术方案中形成有至少两个显示区，在显示内容时可以实现内容的分区显示，以满足不同内容的展示需求，避免用户的混淆；此外，本实用新型技术方案中同一块的阵列基板和至少两块的彩膜基板共同结合，使得在成盒时，彩膜基板以阵列基板为基准，提高成盒效率。
彩膜基板阵列基板本实用新型显示面板显示装置显示区液晶层分区显示间隔设置显示内容相对设置混淆展示

[发明专利]成膜系统、成膜系统的异常部位判别方法及计算机可读取的存储介质-CN202010789576.6有效
发明人：鸟泻光太郎 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明提供成膜系统、成膜系统的异常部位判别方法及计算机可读取的存储介质。本发明的成膜系统具有用于隔着掩模对基板进行成膜的成膜装置和用于向所述成膜装置搬送基板或掩模的搬送装置，其特征在于，包括：存储部件，用于存储与所述成膜装置的动作以及所述搬送装置的动作中的至少一个相关联的至少一个动作参数；以及判别部件，基于存储于所述存储部件的所述至少一个动作参数，判别所述搬送装置和/或所述成膜装置的异常部位。
系统异常部位判别方法计算机读取存储介质

[发明专利]基板处理方法-CN201080032131.8有效
发明人：中村真也;藤井佳词;长嶋英人 -专利权人：爱发科股份有限公司
申请日： 2010-07-15 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：提供一种基板处理方法，使其在使处理室的状态恢复的恢复处理的时间比处理室中进行的规定处理的时间长的情况下，也可以使生产能力提高。交替地向两个成膜室C、D传送基板，在成膜室C、D中对基板并行地进行同一成膜处理，当成膜室C中的处理片数达到规定片数(11片)时，在成膜室C中开始伪溅射处理，并且在直到伪溅射处理结束为止的期间内，向成膜室D传送第1批的第23片～第25片来进行成膜处理。当成膜室C中的伪溅射处理结束时，在成膜室D中开始伪溅射处理，并且在直到伪溅射处理结束为止的期间内，向成膜室C传送第2批的第1片～第3片来进行成膜处理。当成膜室D中的伪溅射处理结束时，重新开始交替的传送。
处理方法

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN201680001052.8有效
发明人：浅川庆一郎;滨口纯一;园田和广;沼田幸展;小风丰 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2016-02-24 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种可通过防止负电荷在蚀刻处理时在基板边缘部集中而在高纵横比的孔内面良好涂覆地形成薄膜的成膜装置。一种成膜装置(SM)，具有：配置了靶(21)的真空室(1)；在真空室内保持基板(W)的台架(4)；向靶施加规定电力的第一电源(E1)；以及向台架施加交流电力的第二电源(E2)；进行通过第一电源向靶施加电力对靶进行溅射的成膜处理；以及通过第二电源向台架施加交流电力并蚀刻在基板上形成的薄膜的蚀刻处理，基板的周围配置防护板(7c)，以台架上保持的基板的成膜面侧为上，具有在防护板上邻近基板的部分(71)与基板上面位于同一平面上的成膜位置和防护板的该部分位于基板上面的上方的蚀刻位置之间上下移动屏蔽件的驱动装置
装置方法

[发明专利]硼系膜的成膜方法和成膜装置-CN201910242435.X在审
发明人：渡部佳优;冈正浩;李金望;山本勇生;上田博一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： C23C16/28 文献下载
摘要：本发明提供一种硼系膜的成膜方法和成膜装置，能够得到具有适合作为硬掩膜的特性的硼系膜。一种硼系膜的成膜方法，用于在基板上形成以硼为主体的硼系膜，包括以下工序：第一工序，将基板搬入到成膜装置的腔室内，该成膜装置用于通过利用电容耦合等离子体的等离子体CVD来形成硼系膜；第二工序，向腔室内供给含有含硼气体的处理气体；第三工序，施加用于生成电容耦合等离子体的高频电力；以及第四工序，利用高频电力生成处理气体的等离子体，来在基板上形成硼系膜，其中，通过第三工序的高频电力的功率来调整硼系膜的膜应力。
硼系成膜装置高频电力成膜基板电容耦合等离子体等离子体等离子体CVD 室内处理气体含硼气体生成处理膜应力硬掩膜搬入施加

[发明专利]基板处理装置-CN200910260889.6无效
发明人：石桥清久;池田文秀;上野正昭;前田孝浩;井之口泰启;国井泰夫;柳川秀宏 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2009-12-24 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置。能够抑制向基板背面的成膜且能够在多张基板的表面上成批地形成所期望的膜。其具有：反应容器，在内部对基板进行处理；支承体，在使上表面露出的水平状态下将基板收纳在凹部中，并由导电性材料形成为板状；支承体保持体，将至少所述支承体水平保持成多层；感应加热装置，在所述反应容器内对至少保持在所述支承体保持体上的所述支承体进行感应加热由此，能够抑制向基板背面的成膜且能够在多张基板的表面上成批地形成所期望的膜。
处理装置

[发明专利]搬送装置、成膜方法、电子器件的制造方法以及成膜装置-CN202111373493.X有效
发明人：涩谷孝史 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供搬送装置、成膜方法、电子器件的制造方法以及成膜装置。提供防止成膜不良、搬送辊的动作不良的效果高的、设置于直列型的成膜装置的搬送辊的集尘罩。一边搬送基板一边成膜的直列型的成膜装置的搬送装置具备：多个搬送辊，搬送被载置的基板；以及集尘罩，针对多个搬送辊中的每一个设置，并包围搬送辊，集尘罩包括：前面部，在搬送辊的轴向上覆盖搬送辊的基板侧的侧面；
装置方法电子器件制造以及