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[发明专利]成膜装置以及电子设备的制造方法-CN202210595770.X在审
发明人：石井博;柏仓一史 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置，用于经由掩模在基板上进行成膜，其中，包括静电吸盘以及电压施加部，所述静电吸盘具有施加用于吸附基板的电压的电极部，所述电压施加部向所述电极部施加所述电压，在使所述静电吸盘吸附基板时，所述电压施加部向所述电极部施加第一电压，在所述静电吸盘吸附基板之后，在对被吸附的基板开始进行基于蒸镀的成膜之前，所述电压施加部向所述电极部施加比所述第一电压低的第二电压，在对被吸附的基板的成膜结束之后，所述电压施加部向所述电极部施加用于从所述静电吸盘剥离基板的第三电压。
装置以及电子设备制造方法

[发明专利]被成膜基板、制造方法和有机EL显示装置-CN201510566081.6有效
发明人：园田通;川户伸一;井上智;桥本智志 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2012-01-13 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明提供被成膜基板、制造方法和有机EL显示装置。被成膜基板包括：第一成膜区域和第二成膜区域沿着规定方向彼此隔开间隔地交替配置的基板；和分别在基板的第一成膜区域和第二成膜区域覆盖形成的第一膜和第二膜，第一膜在规定方向上的两侧部分分别具有膜厚向规定方向上的前端侧逐渐减少的膜厚渐减部分，第二膜在规定方向上的两侧部分分别具有膜厚向规定方向上的前端侧逐渐减少的膜厚渐减部分，该膜厚渐减部分与第一膜的膜厚渐减部分重叠，第二膜的除膜厚渐减部分以外的大致平坦部分的膜厚小于第一膜的除膜厚渐减部分以外的大致平坦部分的膜厚，在第二膜上还包括第一缓冲层，第一膜的大致平坦部分的膜厚，与第一缓冲层和第二膜的膜厚之和相等。
被成膜基板制造方法有机 el 显示装置

[发明专利]一种化学气相沉积设备-CN201410318702.4在审
发明人：柴立 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2014-07-04 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：化学气相沉积设备包括反应腔室，反应腔室的底部设置有用于承载反应基板的基座，基座的四周还设置有活动挡板，当活动挡板移动到反应基板部分区域的上方时，遮挡部分区域，使得反应基板上未被遮挡的区域能够单独成膜。利用上述化学气相沉积设备能够对一个反应基板进行多次分区成膜。每次成膜操作时可以选择反应基板上一个分区为指定区域，然后将活动挡板移动到反应基板上方，对反应基板上除指定区域以外的区域进行遮挡，接着输入成膜所需的反应气体，使指定区域沉积相应的材料膜，最后排出本次反应气体及相关气态产物
一种化学沉积设备

[发明专利]成膜装置-CN200610004759.2有效
发明人：稻垣彻;白幡孝洋;横山敬志;佐野道宏;堀尾直史 -专利权人：爱沃特株式会社;斯坦雷电气株式会社
申请日： 2006-01-27 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：提供一种成膜装置，在加热状态的处理基板(5)的表面上，使多种的原料气体发生反应而进行成膜，其中所述处理室(1)被分为加热室(1a)与反应室(1b)，在与露出在反应室(1b)的处理基板(5)相对的地方，在与反应室(1b)相连的状态下设置原料气体的排气管(7)，对所述处理基板(5)的表面，在分别独立的状态下提供各原料气体的供给口(11、12)，被配置成位于排气管(7)的外侧。由此在处理基板(5)的附近使原料气体发生反应，在处理基板(5)上形成良好的结晶成膜。本发明的成膜装置可以防止原料气体到达处理基板之前发生反应，使来自处理基板的辐射热的影响最小化，而且可以使反应室的气体的动作更有益于结晶成膜。
装置

[发明专利]成膜装置-CN201510272512.8有效
发明人：久堀浩志;秋山裕一 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2015-05-25 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明提供实用性优异的成膜装置，能够简单地将挠性基板以无褶皱状态安装固定于基板安装部。一种成膜装置，将挠性基板(1)安装固定于基板安装部(2)并在该挠性基板(1)上形成薄膜，其中，在对所述挠性基板(1)的周边部以自由装卸的方式进行把持而安装固定的所述基板安装部(2)上设置有基板配设开口部(3)，该基板配设开口部(3)将该挠性基板(1)配设为架设状态，该成膜装置设置有凸面状基板承受部(4)，该凸面状基板承受部(4)与配设于该基板安装部(2)的基板配设开口部(3)的所述挠性基板(1)密合抵接，该成膜装置设置有施力把持机构(5)，该施力把持机构(5)将所述挠性基板(1)的周边部把持于所述基板安装部(2)，并且向外侧拉伸施力而对所述挠性基板(1)赋予张力而进行安装固定。
挠性基板基板安装部成膜装置安装固定基板配开口部施力把持机构凸面状周边部把持基板自由装卸的褶皱状态抵接拉伸密合薄膜架设赋予

[发明专利]带透明导电膜的基板的制造方法、带透明导电膜的基板的制造装置及带透明导电膜的基板-CN201780053763.4有效
发明人：大野幸亮;高桥明久;白井雅纪;小林大士 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2017-09-12 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明的带透明导电膜的基板的制造方法为以与绝缘性的透明基板相接的方式配置透明导电膜的带透明导电膜的基板的制造方法，至少依次具备：步骤α，在设为希望的减压气氛的热处理空间中，将所述透明基板控制到规定的成膜前温度；步骤β，在设为希望的工艺气体气氛的成膜空间中，对成为所述透明导电膜的母材的靶施加溅射电压并进行溅射，在设为规定的温度的所述透明基板上形成所述透明导电膜；以及步骤γ，在大气气氛中，对形成在所述透明基板上的所述透明导电膜进行后加热处理，所述步骤α中的所述成膜前温度为零度以下。
透明导电制造方法装置

[发明专利]成膜装置、成膜方法、有机发光元件的制造方法和有机发光元件-CN201280014151.1无效
发明人：小野裕司;林辉幸;桑田拓岳;森田治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-02-24 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明提供能够进行期望的共蒸镀的成膜装置、成膜方法、有机发光元件的制造方法和有机发光元件。成膜装置的成膜头包括将有机成膜材料的蒸气向被处理基板（G）喷出的有机成膜材料供给部（4）、和将无机成膜材料的蒸气向被处理基板（G）喷出的无机成膜材料供给部（5）。有机成膜材料供给部（4）、无机成膜材料供给部（5）构成为能够在水平方向和垂直方向上移动，且配置被控制使得以从喷出口（41a、51a）喷出的有机材料、无机材料的混合比例在厚度方向上不同的状态进行成膜。
装置方法有机发光元件制造

[发明专利]薄膜太阳能电池制造装置-CN200980112428.2有效
发明人：清水康男;小形英之;松本浩一;野口恭史;若森让治;冈山智彦;森冈和;杉山哲康;重田贵司;栗原広行;桥本征典;若松贞次 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-06-04 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明的薄膜太阳能电池制造装置包括：成膜室，在基板的成膜面上通过CVD法形成膜；电极单元，具有：施加有电压的阴极被配置在两侧的阴极单元、以及与所述各阴极分别对置且隔开间隔距离配置的一对阳极；掩膜，覆盖所述基板的周缘部；以及排气管道，设置在所述阴极单元的周围，在所述阴极单元与设置在所述阳极侧的所述基板之间形成成膜空间，在所述掩膜与所述阴极单元之间形成排气通道，所述排气管道与所述成膜空间经由所述排气通道连接，导入所述成膜空间的成膜气体通过所述排气通道从所述排气管道排出
薄膜太阳能电池制造装置

[发明专利]成膜装置-CN202210175012.2在审
发明人：河合慈;高桥宣之;富井广树;樱井克荣 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供提高基板的吸附度的测定精度的成膜装置。成膜装置具备：腔室，将内部保持为真空；吸附板，设置在腔室的内部，用于吸附基板；检测部件，在铅垂方向上配置在吸附板的下方，检测基板向吸附板的吸附的程度；以及移动部件，使检测部件在沿着基板的被成膜面的第一方向上移动
装置

[发明专利]金属硅酸盐膜的成膜方法及其装置、半导体装置的制造方法-CN200580009935.5无效
发明人：高桥毅;青山真太郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-03-30 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：将HTB气体和乙硅烷气体导入处理容器(1)内，通过CVD在硅基板(W)上形成硅酸铪膜。通过埋设在支撑基板的基座(2)上的加热器(5)，控制基板温度，进行成膜。该成膜时的基板温度控制在HTB分解成氢氧化铪和异丁烯的温度以上、并且小于乙硅烷气体的自身分解温度，优选在350℃～450℃。
金属硅酸盐方法及其装置半导体制造

[发明专利]基板支架以及使用该支架的整面成膜基板的制造方法-CN201380067187.0无效
发明人：宫泽英明;赤尾安彦;藤井健辅;高木悟;藤原晃男 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2013-12-19 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明提供一种使整面成膜基板的生产性良好的基板支架，以及使用该基板支架的整面成膜基板的制造方法。本发明涉及一种基板支架以及使用该基板支架的整面成膜基板的制作方法；所述基板支架是保持对第一主面进行整面成膜的基板的基板支架，具备支架单元和载体；所述支架单元由单元基体和密合层构成，该单元基体为具备面积小于上述基板主面的主面的板状构件，上述密合层固定在上述单元基体的第一主面上、具有对上述基板的第二主面进行附着的剥离性表面；所述载体具有面积大于上述单元基体的主面的单元固定面、上述单元固定面和上述单元基体的第二主面对面相向、多个上述支架单元固定在上述单元固定面上
支架以及使用整面成膜基板制造方法

[发明专利]成膜装置以及板-CN202110467079.9在审
发明人：醍醐佳明;梅津拓人;石黑晓夫 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实施方式提供成膜装置以及板，能够在径向上控制向基板面内供给的工艺气体的浓度、流量。本实施方式的成膜装置具备：成膜室，能够收容基板；气体供给部，具有设置在成膜室的上部并向基板的成膜面上供给工艺气体的多个喷嘴、以及抑制工艺气体的温度上升的冷却部；加热器，将基板加热到1500℃以上；以及板，在成膜室内与形成有多个喷嘴的第1开口部的气体供给部的下表面对置，且与该下表面分离地配置，板包括：多个第2开口部，具有比第1开口部小的直径，且在该板面内大致均匀地配置；以及分隔部，在与气体供给部对置的对置面上突出
装置以及

[实用新型]成膜装置以及板-CN202120901736.1有效
发明人：醍醐佳明;梅津拓人;石黑晓夫 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实施方式提供成膜装置以及板，能够在径向上控制向基板面内供给的工艺气体的浓度、流量。本实施方式的成膜装置具备：成膜室，能够收容基板；气体供给部，具有设置在成膜室的上部并向基板的成膜面上供给工艺气体的多个喷嘴、以及抑制工艺气体的温度上升的冷却部；加热器，将基板加热到1500℃以上；以及板，在成膜室内与形成有多个喷嘴的第1开口部的气体供给部的下表面对置，且与该下表面分离地配置，板包括：多个第2开口部，具有比第1开口部小的直径，且在该板面内均匀地配置；以及分隔部，在与气体供给部对置的对置面上突出
装置以及

[发明专利]成膜装置以及成膜方法-CN201680074911.6在审
发明人：地大英隆;松田亮二 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明提供降低从目标膜厚的偏移的成膜装置。成膜装置(1)是(n+1)层以上(n是1以上的正整数。)的多层膜的成膜装置。成膜装置(1)具备：鼓(10)，其一边支承基板(50)一边旋转；成膜机构(20)，其对基板(50)进行成膜处理；以及控制机构(40)，其是控制鼓(10)的旋转的控制机构(40)，根据多层膜的目标膜厚、初始设定的成膜机构(20)的成膜速率以及初始设定的鼓(10)的转速计算鼓(10)的旋转数，并调整鼓(10)的转速，使计算出的鼓(10)的旋转数接近整数。
成膜装置成膜机构初始设定多层膜目标膜旋转数成膜成膜处理支承基板转速计算对基板正整数偏移

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN200710127012.0无效
发明人：千田二郎;大岛元启;清水哲夫;富永浩二;松田耕一郎;山岸丰 -专利权人：株式会社堀场制作所;株式会社堀场STEC;学校法人同志社
申请日： 2007-06-15 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本发明的成膜装置是一种使液体原料汽化，使其堆积于基板上而成膜的成膜装置，其特征在于，具有：在内部保持基板(W)的成膜室(2)以及多个喷射阀(3)，该喷射阀配置在所述成膜室(2)的不同位置，将同一液体原料直接喷射到所述成膜室采用本发明，能够实现成膜室的小型化，进而实现成膜装置的小型化，使成膜的膜厚分布良好，汽化量多而提高成膜的生产效率。
装置方法