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[发明专利]成膜方法-CN200580001493.X无效
发明人：吉井直树;小岛康彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-02-28 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种通过交替向基板供给含金属的成膜原料和还原性气体，在上述基板上形成含金属的薄膜的成膜方法，通过等离子体将上述成膜原料的至少一部分在气相中进行离解或分解，并供给到基板上。
方法

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201410019338.1有效
发明人：加藤寿;中坪敏行;三浦繁博 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-01-16 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明提供成膜方法和成膜装置。成膜方法包括以下步骤输入步骤，使具有多个基板载置部的旋转台间歇性地旋转而将多个基板载置部依次配置于输入输出区域，将基板依次载置到基板载置部；成膜步骤，反复多次进行通过使旋转台旋转而使多个基板公转、并且将彼此反应的反应气体交替地向基板表面供给的循环，而在基板表面上形成薄膜；改性步骤，对通过使旋转台间歇性地旋转而被依次配置在与输入输出区域相邻的加热区域中的基板的薄膜进行改性；以及输出步骤，接着改性步骤，将在改性步骤中改性了薄膜的基板依次配置在输入输出区域，并将所配置的基板依次输出。
方法装置

[发明专利]含硅膜的成膜方法以及成膜装置-CN201610465904.0有效
发明人：佐藤润;菊地宏之;村田昌弘;三浦繁博 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-06-23 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供一种含硅膜的成膜方法和成膜装置。在该含硅膜的成膜方法中，向形成于基板的表面的凹坑填充含硅膜，该含硅膜的成膜方法包含第1成膜循环，所述第1成膜循环包括：第1硅吸附工序，在该第1硅吸附工序中，向所述基板供给含硅气体，使所述含硅气体吸附于所述凹坑内；硅蚀刻工序，在该硅蚀刻工序中，向所述基板供给蚀刻气体，对吸附于所述凹坑内的所述含硅气体的硅成分的一部分进行蚀刻；以及第1含硅膜堆积工序，在该第1含硅膜堆积工序中，向所述基板供给与所述硅成分反应的反应气体，使该反应气体与在蚀刻后以吸附于所述凹坑内的状态残留的所述硅成分反应而生成反应生成物，在所述凹坑内堆积含硅膜。
含硅膜方法以及装置

[发明专利]一种镀膜装置-CN201710249337.X有效
发明人：孙中元;薛金祥;刘文祺 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种镀膜装置，该镀膜装置包括：成膜辊，成膜辊的外周面上包括一预定区域，柔性基板的当前待镀膜部位能够卷绕在预定区域处；靶材，靶材设置在成膜辊一侧，并与成膜辊的预定区域位置对应；掩膜版，设置在靶材与成膜辊之间，掩膜版为曲面掩膜版，其曲面曲度与成膜辊的预定区域处的曲面曲度相同，掩膜版上设有第二对位标记；复眼摄像机，用于获取掩模版的第二对位标记及柔性基板的第一对位标记的位置信息；以及，控制机构，用于根据复眼摄像机获取的所述位置信息，控制掩膜版移动，以将掩膜版与柔性基板进行对位。本发明所提供的镀膜装置可直接利用曲面掩膜版在柔性基板上沉积图形化的薄膜。
一种镀膜装置

[发明专利]基板支架、基板处理装置及成膜装置-CN202211706317.8在审
发明人：生长秀隆;熊木智洋;阿部大和;渡部新 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制基板的破损发生地保持基板的基板支架。基板支架(30)使基板(2)的被处理区域(21a)露出地保持基板(2)，其特征在于，具备：夹持部(310、320)，所述夹持部(310、320)与基板(2)的角部(24)不接触地夹持基板(2)的两面(21、22)；及触抵部(30)，所述触抵部(30)与基板(2)的角部不接触地触抵于基板(2)的端面(23)。
支架处理装置

[发明专利]成膜装置、使用成膜装置的成膜方法及电子器件的制造方法-CN202011265085.8有效
发明人：新海达也;中岛隆介;中津川雅史 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明涉及成膜装置、使用成膜装置的成膜方法以及电子器件的制造方法。本发明抑制成膜精度的降低。本发明的成膜装置是在腔室内将从成膜源排出的成膜材料经由掩模而成膜于基板的成膜装置，其特征在于，所述成膜装置具有多个防附着构件，该多个防附着构件配置于所述腔室内，附着向所述掩模以外的方向飞散的成膜材料，对于所述多个防附着构件而言，与所述成膜源对置的所述防附着构件的对置面与所述基板的成膜面的法线之间的角度，根据所述法线的方向上的距所述掩模的距离而不同。
装置使用方法电子器件制造

[发明专利]成膜方法、显示基板及其制作方法、显示装置-CN201810172123.1有效
发明人：范招康;彭锐 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2018-03-01 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种成膜方法、显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，成膜方法包括：向基板的待成膜区域喷墨打印墨水的带电液滴；在待成膜区域的墨水干燥过程中，对待成膜区域施加电场，使得带电的墨水作振荡运动。本发明的技术方案能够改善打印成膜的膜形貌，进而提升显示装置的性能。
方法显示及其制作方法显示装置

[发明专利]成膜方法及成膜装置-CN201910440025.6有效
发明人：中村秀雄;芹泽洋介;出野由和;芦泽宏明;清水隆也;村上诚志 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种能够使用基于ALD的成膜方法在较低温度下成膜良好膜质的氮化膜的成膜方法及成膜装置。本发明的成膜方法是在腔室内于基板上成膜为氮化膜的成膜方法，重复进行原料气体吸附工序和氮化工序，且供给肼系化合物气体作为氮化气体的一部分或者全部，其中，所述原料气体吸附工序包括向基板上供给构成氮化膜的包含金属元素的原料气体的步骤、及对残留气体进行吹扫的步骤；所述氮化工序包括向基板上供给氮化气体的步骤、及对残留气体进行吹扫的步骤。
方法装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201810447691.8有效
发明人：高藤哲也;内田博章;渡边幸夫;里吉务;佐佐木和男;吉田守 -专利权人：东京毅力科创株式会社;高知县公立大学法人
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明涉及成膜方法和成膜装置，提供一种针对H原子的阻隔性高的保护膜。成膜方法为形成用于保护在基板上形成的氧化物半导体的保护膜的成膜方法，所述成膜方法包括：第一搬入工序，将形成氧化物半导体之前的基板或形成氧化物半导体之后的基板搬入处理容器内；以及第一成膜工序，在将被搬入到处理容器内的基板加热到250℃以上的温度的状态下，利用包含SiCl4气体、SiF4气体以及处理气体的混合气体的等离子体来形成保护膜，所述处理气体包含氮原子和氧原子中的至少任一者且不含氢原子
方法装置

[发明专利]一种液晶显示器光刻胶成膜的装置及方法-CN201710470757.0有效
发明人：王永 -专利权人：南京信息职业技术学院
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种液晶显示器光刻胶成膜的装置，包括载物平台、导轨和移动板，第一移动板的前端连接有移胶装置，第二移动板的前端连接有滚胶装置；所述载物平台上设有光刻胶槽和玻璃基板固定装置，光刻胶槽内装有成膜母版，所述玻璃基板固定装置上固定有玻璃基板。方法是首先通过滚胶装置在成膜母版中形成光刻胶膜层；然后利用移胶装置将成膜母版中光刻胶转移至玻璃基板表面；最后通过烘干形成固态光刻胶膜层。本发明设备简单，可完成间歇式光刻胶成膜过程，过程操作容易、单次光刻胶用量较少，通过光刻胶成膜母版的置换，可适应多种尺寸的玻璃基板和成膜图形，光刻胶成膜具备选择性。
一种液晶显示器光刻胶成膜装置方法

[实用新型]一种液晶显示器光刻胶成膜的装置-CN201720719308.0有效
发明人：王永 -专利权人：南京信息职业技术学院
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种液晶显示器光刻胶成膜的装置，包括载物平台、导轨和移动板，第一移动板的前端连接有移胶装置，第二移动板的前端连接有滚胶装置；所述载物平台上设有光刻胶槽和玻璃基板固定装置，光刻胶槽内装有成膜母版，所述玻璃基板固定装置上固定有玻璃基板。方法是首先通过滚胶装置在成膜母版中形成光刻胶膜层；然后利用移胶装置将成膜母版中光刻胶转移至玻璃基板表面；最后通过烘干形成固态光刻胶膜层。本实用新型设备简单，可完成间歇式光刻胶成膜过程，过程操作容易、单次光刻胶用量较少，通过光刻胶成膜母版的置换，可适应多种尺寸的玻璃基板和成膜图形，光刻胶成膜具备选择性。
一种液晶显示器光刻胶成膜装置

[发明专利]氧化膜的成膜方法、半导体装置的制造方法及氧化膜的成膜装置-CN202010501607.3在审
发明人：永冈达司;西中浩之;吉本昌广 -专利权人：丰田自动车株式会社;国立大学法人京都工芸纤维大学
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化膜的成膜方法、半导体装置的制造方法及氧化膜的成膜装置。能够将高结晶度的氧化膜在短时间内成膜。该氧化膜的成膜方法具有：在将基板加热到第一温度的同时，将溶解有所述氧化膜的材料的溶液的喷雾供给到所述基板的表面，从而使所述氧化膜在所述基板的所述表面外延生长的工序；以及在使所述氧化膜外延生长之后，在将所述氧化膜加热到比所述第一温度高的第二温度的同时，使所述氧化膜暴露于含有氧原子的流体中的工序。
氧化方法半导体装置制造

[发明专利]有机器件的制造方法及成膜装置-CN201880008184.2在审
发明人：森岛进一;岸川英司;下河原匡哉 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：本发明的一个实施方式的有机器件(10)的制造方法具有一边连续运送挠曲性基板(12)、一边在形成于挠曲性基板的主面(12a)的第1电极层(14)上将第1～第N层(N为2以上的整数)连续地成膜的成膜工序，成膜工序中，夹隔着配置于第1～第N成膜源与挠曲性基板之间的第1～第N遮蔽部，从第1～第N成膜源向挠曲性基板供给第1～第N层的材料，由此将第1～第N层分别依次在所述第1电极层上成膜，第1～第N遮蔽部在与挠曲性基板分离的状态下，在挠曲性基板的运送方向上被固定，利用第1～第N遮蔽部当中的至少一个遮蔽部的遮蔽区域与利用其他遮蔽部的遮蔽区域不同。
挠曲性遮蔽基板成膜工序有机器件遮蔽区域成膜源电极层成膜装置基板分离基板供给运送方向成膜主面制造运送配置

[发明专利]成膜方法-CN201510236638.X有效
发明人：熊谷武司;尾谷宗之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-05-11 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法。在该成膜方法中，在基板(W)上形成TiN的连续膜，其中，该成膜方法包括以下工序：在上述基板上形成TiO₂的连续膜；及在上述TiO₂的连续膜上形成厚度厚于上述TiO₂膜的厚度的TiN的连续膜。
方法

[发明专利]成膜装置、成膜方法、程序和存储介质-CN200580027609.7无效
发明人：小林洋克;仲野哲也;小泉雅人 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-10-25 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种使用金属烷氧化物构成的成膜气体的成膜方法，能够抑制处理容器内的铝或铝合金的溶出，实施抑制被处理基板污染的清洁的成膜。因此，本发明的成膜方法在保持在处理容器内的被处理基板上形成薄膜，其特征在于，包括：加热上述被处理基板工序，和向上述处理容器内供给成膜气体的工序。上述成膜气体由金属烷氧化物构成，上述处理容器由铝或铝合金构成，在该处理容器的内壁面上形成有由无孔阳极氧化覆膜构成的保护膜。
装置方法程序存储介质