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[发明专利]一种SPAD器件及其制作方法-CN202211725934.2在审
发明人：徐涛;李爽;吕京颖;康杨森 -专利权人：深圳市灵明光子科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制作领域，公开了一种SPAD器件及其制作方法，包括：对衬底进行N型掺杂，进行P型掺杂，得到PN结；在接收入射光的衬底表面沉积钝化层；在钝化层的表面沉积透光材料层；在透光材料层的表面形成图形化光刻胶层；以图形化光刻胶层作为掩膜，刻蚀透光材料层，并去除图形化光刻胶层，形成微透镜基块；在微透镜基块上沉积透光材料层，形成微透镜，得到SPAD器件。本申请在衬底接收入射光的衬底表面上沉积钝化层，在钝化层上先制作出微透镜基块，再继续在微透镜基块上沉积透光材料层，形成微透镜。SPAD芯片和微透镜可以在同一个厂家做完，不需再将SPAD芯片运输至专门的微透镜工厂，缩短器件制作时间，降低制作成本。
一种 spad 器件及其制作方法

[发明专利]金刚石结构图形的构建方法-CN202111614451.0在审
发明人：曾凡初;魏浩胤;苗建国;彭国令 -专利权人：长沙新材料产业研究院有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C30B25/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种金刚石结构图形的构建方法，包括以下步骤：在金刚石衬底表面制作胶层结构图形；所述胶层结构图形表面沉积金属掩膜结构，去除胶层结构，形成了仅有金属掩膜结构的金刚石衬底，未覆盖金属掩膜的部分构成待生长图形；所述金属掩膜结构未覆盖的金刚石衬底表面同质外延生长金刚石；去除所述金属掩膜结构，得到金刚石结构图形。本发明在金刚石衬底表面形成垂直度好的金属结构，从而以所述金属掩膜结构为模板生长(加法)得到的金刚石结构图形，既节约了材料成本，也节约了金刚石生长及金刚石刻蚀等金刚石加工工艺成本，并得到高质量的结构图形。当金属掩膜结构为金属沟槽时，能够得到较好的垂直度的金刚石微纳沟槽，沟槽的倾角为90°。
金刚石结构图形构建方法

[发明专利]微流控芯片中微混合器和微反应器的快速制作方法-CN200410066047.4无效
发明人：夏兴华;刘爱林;何凤云 -专利权人：南京大学
申请日： 2004-12-15 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： G01N31/00 文献下载
摘要：微流控芯片中微混合器和微反应器构型的制作方法，直接法是利用打印机将绘图软件设计的芯片图形转移到透明胶片上，得到微混合器和微反应器部分有特定结构，由设计成不同的色度与打印机的分辨率所决定；再在一定温度和压力下将两片层合到一起模板法是利用打印机将绘图软件设计的芯片图形转移到透明胶片上，得到基片模板与盖片模板；再分别在基片模板和盖片模板上浇注高聚物单体与交联剂的混合物，聚合后分别形成新的基片和盖片，将新形成的基片与盖片图形相互封合在一起形成
微流控芯片混合器反应器快速制作方法

[发明专利]一种动态显示膜及其制备方法-CN202010489606.1在审
发明人：张艳;王杰芳;李柱 -专利权人：成都美塔科技有限责任公司
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种动态显示膜及其制备方法，涉及裸眼可视的动态显示膜技术领域，本发明包括基础层和设置在基础层两面的底层和显示层，显示层为微透镜阵列或者小孔阵列，微透镜阵列或者小孔阵列按照四边形或六边形阵列排布，微透镜阵列或者小孔阵列的周期间隔T为0.04～0.5mm，底层为微图形阵列层，底层上设置多个子单元形成微图形阵列层，子单元的大小小于周期间隔T。通过该发明的设计，能够实现微小图形的放大和裸眼可视，并且该动态显示膜不仅能实现平移、上浮、下沉的显示方式，能够实现放大图形的旋转对称分别，并能随这视角变化实现圆周运动和径向运动，具有强烈的动态效果；该动态显示膜可以运用在防伪和装饰材料中
一种动态显示及其制备方法

[发明专利]微测量电极的制作方法和热电势的测量方法及相关装置-CN201510547780.6有效
发明人：王汉夫;李晓笑;褚卫国;金灏;熊玉峰 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种微测量电极的制作方法和微尺度样品热电势的测量方法。其中，所述的微测量电极的制作方法包括制作镂空掩模板，所述镂空掩模板包括至少一个加热器及加热器接线端的镂空图形，和第一电阻温度计和第二温度计的镂空图形，所述温度计的镂空图形包括测温金属线和接线端的镂空图形；将承载有微尺度样品的衬底与所述镂空掩模板对准固定，形成镂空掩模板‑衬底复合体；将所述镂空掩模板‑衬底复合体进行金属沉积；移除镂空掩模板。采用本发明实施例所提供的技术方案，能够避免可能出现的由于采用光刻‑剥离工艺所产生化学污染使得样品的热电传输性质发生变化的情况，进而提高测量微尺度样品热电传输性质的可靠性。
测量电极制作方法电势测量方法相关装置

[发明专利]一种倒装结构的三族氮化物微纳发光器件及其制备方法-CN201710059899.8在审
发明人：杨亿斌;张佰君;招瑜;肖也;罗东向;牟中飞;李京波 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装结构的三族氮化物微纳发光器件，包括发光器件本体，所述发光器件本体自上而下依次有第一n型三族氮化物层(1)、图形化掩膜层(2)、第二n型三族氮化物层(3)、三族氮化物有源层(4)、p型三族氮化物层(5)、反光导电层(6)、p型电极(7)，所述第一n型三族氮化物层(1)上设有n型电极(8)；所述第二n型三族氮化物层(3)为六角金字塔结构或六角截顶金字塔结构；所述图形化掩膜层(2)的图形为周期性多边形或圆孔，尺寸为1μm～20μm，阵列周期为50μm～200μm；本发明还公开了一种倒装结构的三族氮化物微纳发光器件的制备方法，本微纳发光器件具有尺寸可控、晶体质量高、性能稳定、发光效率高的特点。
一种倒装结构氮化物发光器件及其制备方法

[发明专利]以薄镍层作为阻挡层的铜镍锡微凸点结构及其制备方法-CN201710352929.4在审
发明人：凌惠琴;王冬凡;胡安民;李明 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2017-05-18 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种以薄Ni层作为阻挡层的微凸点结构及其制备方法，该微凸点结构通过包括以下步骤的方法制备在有种子层上的硅片上喷涂光刻胶，经过图形曝光、显影，种子层上方形成小尺寸直径微孔结构样品；在铜电镀溶液中电镀形成一层导电铜柱，洗净吹干；在镍电镀溶液中快速电镀，在铜柱上方形成一层薄的镍金属层，洗净吹干；在锡电镀溶液中电镀，在镍层上方形成一层锡层，洗净吹干；用丙酮浸泡，洗去图形化后的光刻胶，即可。本发明的微凸点结构形成了稳定的铜镍锡三元合金相，能够减少凸点时效过程中金属间化合物和孔洞的生长，效果良好，可广泛用于各种高端电子制造领域。
薄镍层作为阻挡铜镍锡微凸点结构及其制备方法

[发明专利]一种掩蔽微结构的制备方法-CN200910082984.1无效
发明人：张大成;李婷;刘鹏;王玮;罗葵;田大宇;李静;王颖 -专利权人：北京大学
申请日： 2009-04-28 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩蔽微结构的制备方法，属于微电子机械系统技术领域。该方法包括：在硅基片表面制成厚度为1～2μm的二氧化硅掩膜，并图形化，对硅进行深刻蚀，形成微槽或微开口结构；对微槽或微开口结构进行表面钝化；刻蚀去掉微槽或微开口结构的底部钝化层，对微槽或微开口结构的底部进行预刻蚀；接着继续各向同性刻蚀，形成微结构；然后，去掉硅片表面的掩膜和微槽或微开口结构侧壁的钝化层；回填形成掩蔽微结构。且掩蔽微结构的各向同性刻蚀在预刻蚀之后进行，可控制掩蔽微结构的截面形状，免去了复杂的工艺参数调整，也可避免对精密刻蚀设备的依赖。
一种掩蔽微结构制备方法

[发明专利]一种微透镜的制作方法-CN201510083079.3有效
发明人：刘刚;熊瑛;边锐;张晓波;田扬超 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2015-02-15 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微透镜的制作方法，该方法的具体步骤为：步骤1)在基片上旋涂负性光刻胶层；步骤2)基于设计好的图形、利用曝光工艺来实现微透镜的平面结构；步骤3)加热回流，冷却后获得预期微透镜结构。首次通过对负性光刻胶曝光并加热回流来制作微透镜。由于制作微透镜不受基片表面、光刻胶厚度的影响，所以可以实现对微透镜形貌的有效控制，提高微透镜制作的工艺重复性；同时，由于可以适应不同的基片，所以能够实现与基片上微结构的集成，满足不同的应用需求。本发明制作的微透镜的平面结构是通过曝光工艺来实现的，所以可以制作无间隙的透镜阵列，提高透镜阵列对光源的利用率；工艺简单，容易实现。
一种透镜制作方法

[发明专利]一种纸基微流控芯片及其应用-CN202011280945.5有效
发明人：张庆;王婉;王志娟;司念朋;李海玉;白桦 -专利权人：中国检验检疫科学研究院
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种纸基微流控芯片，包括滤纸(1)，在所述滤纸(1)上打印有微流控图形，所述微流控图形包括圆形的加样区(2)和检测区(3)，二者之间通过连接通道(4)相连，在所述加样区(2)滴加有硫酸铵溶液本发明还公开了所述纸基微流控芯片的制备方法和应用。本发明所述的纸基微流控芯片可用于尿样在线前处理，电化学检测尿样中重金属。
一种纸基微流控芯片及其应用

[发明专利]一种多用途硅微纳米结构制备技术-CN200810183135.0有效
发明人：彭奎庆;王新 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2008-12-12 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种多用途硅微纳米结构制备技术，属于新材料制备技术领域。本发明将金属催化硅腐蚀技术与光刻技术相结合，研制出了一种大面积高度有序硅微纳米结构阵列的制备方法。即利用电子束或紫外光等曝光技术将光刻掩模板上的微结构图形精确地复制在涂有光致抗蚀剂的清洁硅片表面，进而获得腐蚀时所需要的、有抗蚀剂保护的图形。利用高真空热蒸发等技术在处理后的硅片表面沉积金属银膜，并将硅片表面的抗蚀剂及覆盖在其上面的银膜去除后，将硅片浸入含有氧化剂的氢氟酸腐蚀溶液的密闭容器中处理10-100分钟，便得到大面积有序硅微纳米结构阵列这种大面积有序硅微纳米结构在太阳能电池、锂电池负极材料、气敏元件以及活性表面增强拉曼光谱术衬底等领域具有广泛的应用前景。
一种多用途纳米结构制备技术

[发明专利]一种制备窄间距的手性微纳结构的方法-CN201910839132.6有效
发明人：张中月;白瑜;唐先龙;景志敏;李颖 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及微纳结构制备领域，具体涉及一种制备窄间距的手性微纳结构的方法，主要制备步骤包括涂覆光刻胶、电子束曝光、显影定影、倾斜蒸镀金属材料和剥离光刻胶。制备的过程中曝光较大尺寸的图形，通过倾斜蒸镀就可以制备出窄间距的金属微纳结构，并且该结构的参数可以通过蒸镀束流的角度和蒸镀时间进行调节。该制备方法操作简便，避免了制备小间距结构需要很高的工艺要求。
一种制备间距手性结构方法

[发明专利]一种基于时空协同变换曝光提高光刻分辨率的方法-CN202010502150.8有效
发明人：刘华;郭书平 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于时空协同变换曝光提高光刻分辨率的方法，涉及DMD器件成像曝光领域，包括将平台微移动、DMD图形变换和曝光能量调节三种动态量进行协同匹配,形成时空协同变换的曝光方式提高光刻分辨率，通过将时空协同变换技术应用于DMD投影光刻，可以在不降低DMD微镜尺寸或投影透镜放大率的情况下显著改善光刻图案的边缘平滑度，利用CAD量化图形，再用matlab提取子图，结合压电平台微位移同时控制曝光能量进行子图错位叠加曝光，在提高光刻图形边缘的平滑度的同时，可以准确控制图形线宽。
一种基于时空协同变换曝光提高光刻分辨率方法

[发明专利]在金属表面加工迷彩图形的方法-CN200310112024.8无效
发明人：叶秀伟 -专利权人：叶秀伟
申请日： 2003-11-05 - 公布日： 2005-05-11 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种在金属表面加工迷彩图形的方法，依次包括以下步骤：(1)在需要加工迷彩的金属表面，采用真空离子镀膜技术镀上一层带颜色的膜；(2)根据需要在金属表面装上带有迷彩图形空位的模版，利用喷砂机采用玻璃微珠，将迷彩图形空位部分的金属表面镀膜打掉或部分打掉，露出金属本色或改变镀膜颜色，形成规则或不规则的迷彩图形；(3)清洗金属表面微砂。本发明具有环保、形成的迷彩图形牢固、耐用的优点，用于在金属表面形成迷彩图形。
金属表面加工迷彩图形方法

[发明专利]一种硅微悬臂梁谐振器的制备方法-CN202011126032.8在审
发明人：屈怀泊;谢强;钟立志 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅微悬臂梁谐振器的制备方法，(1)选用SOI材料(绝缘衬底上的硅)作为衬底材料；(2)制备出器件层；(3)形成图形化的金属层1#(04)；(4)采用深硅刻蚀(DRIE)工艺对顶层硅(03)进行刻蚀，得到最终的所需器件层图形；(5)得到中间氧化层(02)的结构图形；(6)得到释放后的器件层结构；(7)对一块新的硅片进行光刻，制备出所需光刻图形的阴影掩膜，再采用键合工艺，将阴影掩膜与器件层顶层键合，再次通过电子束蒸发工艺对器件层上表面未被阴影掩膜遮挡的区域进行金属化，形成所需要的金属层2#(05)；(8)再利用解键合工艺去除了阴影掩膜，获得硅微悬臂梁谐振器，可以达到低成本、高合格率的大批量生产的要求
一种悬臂梁谐振器制备方法