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[发明专利]一种测试MPCVD设备真空漏率的方法、装置和介质-CN202111405129.7有效
发明人：曹光宇;彭国令;苗建国;冯文强;范旅龙 -专利权人：航天科工（长沙）新材料研究院有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01M3/38 文献下载
摘要：本申请涉及一种测试MPCVD设备真空漏率的方法、装置和介质，该方法包括：金刚石在MPCVD设备中生长前，记录金刚石的开始生长时间t1，测试金刚石的第一红外光谱，并得到第一红外光谱中氮的特征峰的第一吸收系数；根据第一吸收系数，得到金刚石生长前的氮含量Ns1；金刚石在MPCVD设备中生长后，记录金刚石的结束生长时间t2，测试金刚石的第二红外光谱，并得到第二红外光谱中氮的特征峰的第二吸收系数；根据第二吸收系数，得到金刚石生长后的氮含量Ns2；根据Ns1和Ns2，计算金刚石生长过程中混入的氮原子量△Ns；根据t1、t2和△Ns，计算MPCVD设备的真空漏率。本申请可以测试MPCVD设备的真空漏率，简单易行，快速高效。
一种测试 mpcvd 设备真空方法装置介质

[发明专利]一种金刚石表面金属化的方法-CN202310433310.1在审
发明人： 彭国令;曾凡初;胡清明 -专利权人：航天科工（长沙）新材料研究院有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚石表面金属化的方法，所述方法包括以下步骤：S1，将初始金刚石片表面进行激光处理，形成表面具有多个间隔凹槽的第一处理后的金刚石片；S2，在第一处理设备中将第一处理后的金刚石片表面镀覆第一金属层，得到第二处理后的金刚石片，其中，所述第一金属层的厚度为10nm～1000nm；S3，在第一处理设备中将第二处理后的金刚石片表面镀覆第二金属层，得到第三处理后的金刚石片，其中，所述第二金属层的厚度为10nm～300nm；S4，将第三处理后的金刚石片在第二处理设备中逐步升温至750℃～1000℃并保温5min～30min，在降至室温后得到表面金属化的金刚石片。本发明旨在降低金刚石金属化处理成本的基础上还可使得金刚石有效地与金属材料进行焊接。
一种金刚石表面金属化方法

[实用新型]一种批量生产金刚石的籽晶位置固定装置-CN202223202795.3有效
发明人： 彭国令;储昌明;胡清明;范旅龙;曾凡初 -专利权人：航天科工（长沙）新材料研究院有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种批量生产金刚石的籽晶位置固定装置，装置包括衬底以及开设在衬底上表面的多个凹槽，单晶金刚石与对应的凹槽间隙配合，凹槽的深度小于对应位置单晶金刚石的厚度；多个凹槽由中心的凹槽向两侧的凹槽的深度依次变浅，多个凹槽由中心的凹槽向两侧的凹槽呈阶梯状排列；方法包括：选择籽晶预处理；刻蚀处理；金刚石生长：关闭O2气体，稳定后通入碳源气体与混合气体，碳源与H2的百分比控制在1％‑12％，生长完成后，关闭碳源，逐渐降低功率和压力，完成关机操作；混合气体为Ar气和氧气，氧气含量不超过氢气含量1％；本实用新型实现批次稳定性，能批量生产金刚石。
一种批量生产金刚石籽晶位置固定装置

[实用新型]一种金刚石磨抛系统-CN202223382972.0有效
发明人：胡清明;彭国令;范旅龙;曾凡初 -专利权人：航天科工（长沙）新材料研究院有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： B24B51/00 文献下载
摘要：本实用新型提出一种金刚石磨抛系统，其中，所述系统包括磨盘、机械臂和与机械臂连接的控制组件，所述机械臂位于磨盘上方；所述机械臂下端布设有用于放置待研磨金刚石膜的第一安装区；所述控制组件用于控制机械臂的旋转与升降；所述磨盘布设有用于安装不同粒度及配比的金刚石复合片的第二安装区。本实用新型旨在提高金刚石膜的磨抛效率与质量。
一种金刚石磨系统

[发明专利]一种电子级金刚石的制备方法-CN202111409587.8有效
发明人： 彭国令;苗建国;曹光宇;冯文强;范旅龙 -专利权人：航天科工（长沙）新材料研究院有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种电子级金刚石的制备方法，包括以下步骤：对金刚石籽晶进行微波等离子体刻蚀处理，得到刻蚀预处理籽晶；在所述刻蚀预处理籽晶的(100)面，微波等离子体辅助CVD生长单晶金刚石过渡层；在所述单晶金刚石过渡层表面微波等离子体辅助CVD生长电子级金刚石。本发明提供的方法采用分步生长的方式，首先生长出一定厚度的过渡层单晶金刚石，所述单晶金刚石过渡层能够将由于金刚石籽晶衬底的缺陷修正，然后再采用微波等离子体辅助CVD生长电子级金刚石，最终制备出杂质含量低于2ppm的电子级单晶金刚石材料。
一种电子金刚石制备方法

[实用新型]防止MPCVD设备内部放电的装置、MPCVD设备-CN202223203390.1有效
发明人： 彭国令;储昌明;胡清明;范旅龙;曾凡初 -专利权人：航天科工（长沙）新材料研究院有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及到一种防止MPCVD设备内部放电的装置、MPCVD设备，其中防止MPCVD设备内部放电的装置包括：屏蔽环，所述屏蔽环的下部与MPCVD设备的水冷台相适配，所述屏蔽环的上内侧壁与所述MPCVD设备上的基片台的上表面贴合，所述屏蔽环的竖向内壁覆盖所述水冷台与所述基片台之间的缝隙。本申请提供的防止MPCVD设备内部放电的装置、MPCVD设备，能避免基片台与水冷台的下方容易出现放电的情况，使得MPCVD设备内部的温度场和等离子体密度分布均匀，提高金刚石稳定生长过程中等离子体的稳定性，进而提高金刚石的生长质量。
防止 mpcvd 设备内部放电装置

[发明专利]一种自动清洗的MPCVD设备以及该设备的清洗方法-CN202211527154.7在审
发明人： 彭国令;储昌明;胡清明;范旅龙;曾凡初 -专利权人：航天科工（长沙）新材料研究院有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种自动清洗的MPCVD设备以及该设备的清洗方法，该设备包括带有透波窗口(5)的腔体(1)、位于所述腔体(1)内的基片台(2)、位于所述腔体(1)上方的微波源(3)以及均匀缠绕所述腔体(1)的导电线圈(4)，所述导电线圈(4)连接电源，以在所述腔体(1)内形成与所述腔体(1)同轴的磁场，所述电源为电流可调电源。本发明通过引入外部磁场，改变MPCVD腔体内部的等离子体的分布，将等离子体引导至腔体内壁的边缘处，进而快速有效的清除MPCVD腔体内部的杂质。
一种自动清洗 mpcvd 设备以及方法

[发明专利]一种批量生产金刚石的籽晶位置固定装置及方法-CN202211526368.2在审
发明人： 彭国令;储昌明;胡清明;范旅龙;曾凡初 -专利权人：航天科工（长沙）新材料研究院有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种批量生产金刚石的籽晶位置固定装置及方法，装置包括衬底以及开设在衬底上表面的多个凹槽，单晶金刚石与对应的凹槽间隙配合，凹槽的深度小于对应位置单晶金刚石的厚度；多个凹槽由中心的凹槽向两侧的凹槽的深度依次变浅，多个凹槽由中心的凹槽向两侧的凹槽呈阶梯状排列；方法包括：选择籽晶预处理；刻蚀处理；金刚石生长：关闭O2气体，稳定后通入碳源气体与混合气体，碳源与H2的百分比控制在1％‑12％，生长完成后，关闭碳源，逐渐降低功率和压力，完成关机操作；混合气体为Ar气和氧气，氧气含量不超过氢气含量1％；本发明实现批次稳定性，能批量生产金刚石。
一种批量生产金刚石籽晶位置固定装置方法

[实用新型]一种适用于CVD金刚石激光切割的万向调节基台装置-CN202222522915.1有效
发明人：范旅龙;彭国令;曾凡初;冯文强;胡清明;苗建国 -专利权人：航天科工（长沙）新材料研究院有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适用于CVD金刚石激光切割的万向调节基台装置，包括调整座、连接座以及基座，连接座置于基座上且与基座转动连接，调整座下端置于连接座内且与连接座活动连接，基座顶部设有穿过连接座与调整座底部相抵接触的弹性连接件，连接座一侧设有顶端开口的容置槽，调整座可旋转至一端穿过容置槽且调整座在竖直平面上角度可调节；本实用新型可以根据需要在水平方向上通过连接座与基座转动连接进行角度的调节，同时调整座与连接座转动且连接座一侧设有顶端开口的容置槽，使得调整座可以带动铜棒在竖直平面上旋转一定的角度，从而对金刚石的切割角度可以进行多角度的调节，适用范围广且能满足不同角度切割的需求。
一种适用于 cvd 金刚石激光切割万向调节装置

[发明专利]测试金刚石生长设备真空漏率的方法、装置和计算机设备-CN202211686772.6在审
发明人： 彭国令;范旅龙;胡清明;曾凡初 -专利权人：航天科工（长沙）新材料研究院有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G01N21/63 文献下载
摘要：本申请涉及一种测试金刚石生长设备真空漏率的方法、装置和计算机设备。该方法通过对每一批次金刚石生长后的生长层表面和背面分别进行光致发光光谱测量，根据相应的特征峰计算出金刚石中的NV色心的相对含量，进而可以计算得到金刚石生长过程中混入生长设备的空气量，最终获得生长设备的真空漏率。采用本发明只需对设备进行首次标定，后续则可以根据每次生长后的状态对其漏率进行判断，且能够对每一台设备、每一次生长过程的真空漏率进行追溯，在设备的批生产中使用非常方便，节省了大量的时间和人力，大大节约了成本。
测试金刚石生长设备真空方法装置计算机

[发明专利]防止MPCVD设备内部放电的装置、MPCVD设备、金刚石制备方法-CN202211520384.0在审
发明人： 彭国令;储昌明;胡清明;范旅龙;曾凡初 -专利权人：航天科工（长沙）新材料研究院有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明涉及到一种防止MPCVD设备内部放电的装置、MPCVD设备及金刚石制备方法，其中防止MPCVD设备内部放电的装置包括：屏蔽环，所述屏蔽环的下部与MPCVD设备的水冷台相适配，所述屏蔽环的上内侧壁与所述MPCVD设备上的基片台的上表面贴合，所述屏蔽环的竖向内壁覆盖所述水冷台与所述基片台之间的缝隙。本申请提供的防止MPCVD设备内部放电的装置、MPCVD设备及金刚石制备方法，能避免基片台与水冷台的下方容易出现放电的情况，使得MPCVD设备内部的温度场和等离子体密度分布均匀，提高金刚石稳定生长过程中等离子体的稳定性，进而提高金刚石的生长质量。
防止 mpcvd 设备内部放电装置金刚石制备方法

[发明专利]一种新型金刚石芯片热沉组件及其制备方法-CN202211177241.4在审
发明人：曾凡初;范旅龙;储昌明;彭国令;胡清明;冯文强;苗建国 -专利权人：航天科工（长沙）新材料研究院有限公司
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体是一种新型金刚石芯片热沉组件及其制备方法，通过在金刚石材料上制造若干通孔；在通孔中填充导电浆料，进行烧结，使通孔中的导电浆料固化，固化后通孔中的导电浆料上表面向内凹陷产生凹槽，得到金刚石导电件；在凹槽内放满焊料，将金刚石导电件与衬底芯片进行真空焊接，得到芯片热沉组件。通孔中的导电浆料与芯片衬底良好接触，形成良好的结合力和导电性能。利用金刚石材料对焊料的润湿性差，而导电浆料具有很好的焊接性，控制焊接工艺条件，仅使导电浆料与衬底焊接，而金刚石与芯片衬底良好贴合，可以有效发挥金刚石材料的高导热特性。金刚石与芯片衬底界面不存在其他金属材料，因此不存在界面热阻。
一种新型金刚石芯片组件及其制备方法

[发明专利]一种适用于CVD金刚石激光切割的万向调节基台装置-CN202211162666.8在审
发明人：范旅龙;彭国令;曾凡初;冯文强;胡清明;苗建国 -专利权人：航天科工（长沙）新材料研究院有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于CVD金刚石激光切割的万向调节基台装置，包括调整座、连接座以及基座，连接座置于基座上且与基座转动连接，调整座下端置于连接座内且与连接座活动连接，基座顶部设有穿过连接座与调整座底部相抵接触的弹性连接件，连接座一侧设有顶端开口的开口槽，调整座下端与连接座球形转动连接，调整座可旋转至上端穿过开口槽且在竖直平面上角度可调节；本发明可以根据需要在水平方向上通过连接座与基座转动连接进行角度的调节，同时调整座与连接座转动且连接座一侧设有顶端开口的开口槽，使得调整座可以带动铜棒在竖直平面上旋转一定的角度，从而对金刚石的切割角度可以进行多角度的调节，适用范围广且能满足不同角度切割的需求。
一种适用于 cvd 金刚石激光切割万向调节装置

[发明专利]金刚石合成用的衬底、温度均匀性控制装置及合成设备-CN201811556884.3有效
发明人：黄翀;彭国令 -专利权人：长沙新材料产业研究院有限公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C01B32/26 文献下载
摘要：金刚石合成用的衬底，属于人造晶体合成设备技术领域，包括：衬底基体，具有放置籽晶的接触面；热补偿单元，包括多个设置在衬底基体上的热补偿组件，热补偿组件用于对所述接触面的温度进行温度调节。还提供温度均匀性控制装置，包括：衬底；温度测量组件，用于测量籽晶的实时温度；温度控制器，根据所述温度测量组件测得的籽晶实时温度，控制对应的热补偿组件工作进行热补偿调节。合成设备，该设备具有的反应腔体使用上述金刚石合成用的衬底；和/或，该设备具有上述的温度均匀性控制装置。具有的热补偿组件可以与每一个籽晶相对应，从而对每一个籽晶进行热补偿，从而起到局域温度的控制作用，最终达到整体的温度均匀性，进而显著提升金刚石的良率。
金刚石合成衬底温度均匀控制装置设备

[实用新型]一种连接机构及微波等离子体化学气相沉积设备-CN202122345735.6有效
发明人：魏浩胤;彭国令 -专利权人：长沙新材料产业研究院有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C23C16/511 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种连接机构及包含该连接机构的微波等离子体化学气相沉积设备。本实用新型的技术方案为：一种连接机构，包括上法兰和下法兰，其特征在于，法兰开设有扼流槽，所述上法兰和下法兰之间有导波介质，所述导波介质隔绝出上下两个腔体，导波介质嵌合于扼流槽；所述扼流槽为横向的和纵向的两个相连通的槽段，两个槽段的深度相同，均为的奇数倍，其中λ为在上下两个腔体中传导的微波波长，ε为导波介质介电常数。本实用新型通过在连接法兰上设置扼流槽，在保证腔体密封性的同时也保证了微波能量不向外发生泄露，提高了微波等离子体化学气相沉积设备的使用安全性，减少了能量损耗。
一种连接机构微波等离子体化学沉积设备

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