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[发明专利]一种高速DFB激光器的制作方法-CN202011147542.3有效
发明人：张恩;刘建军;许海明;李紫谦;黄鹤 -专利权人：湖北光安伦芯片有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明提供一种高速DFB激光器的制作方法，包括如下步骤：1）在N型InP衬底上依次生长第一N型InP层、N型光栅层、第一本征InP层、本征InGaAsP层、第二本征InP层；2）光刻形成光波导区和非光波导区，将非光波导区的第一本征InP层、本征InGaAsP层、第二本征InP层腐蚀掉；3）在非光波导区制作光栅；4）对外延片先进行低温热处理，再进行高温热处理；接着依次生长第二N型InP层、AlGaInAs多量子阱、第一P型InP层、P型InGaAsP停止层、第二P型InP层、P型InGaAs接触层；5）光刻形成脊形波导；6）进行脊条注电区套刻光刻；7）在脊条两侧形成BCB区域；8）光刻形成P面电极；9）N面电极制作
一种高速 dfb 激光器制作方法

[发明专利]细胞因子在噬血细胞综合征的诊断和分型中的应用-CN201711207983.6有效
发明人：王昭;高卓;张嘉;王旖旎;王晶石 -专利权人：首都医科大学附属北京友谊医院
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： G01N33/68 文献下载
摘要：本发明涉及一种检测试剂在制备用于区分噬血细胞综合征相关疾病和其他疾病、或噬血细胞综合征相关疾病的分型、或指示噬血细胞综合征相关疾病的治疗进展的诊断试剂中的应用和根据上述应用制备的诊断试剂。本发明所述应用和诊断试剂能够准确、快速地将噬血细胞综合征相关疾病与和其临床症状相似的其他疾病区分开，对噬血细胞综合征相关疾病进行分型以及指示噬血细胞综合征相关疾病的治疗进展。
细胞因子血细胞综合征诊断中的应用

[发明专利]基于无氧聚合物前体的碳分子筛膜-CN202180052192.9在审
发明人：英戈·皮诺;哈利德·哈萨齐;英格·王;巴德·加尼姆 -专利权人：阿卜杜拉国王科学技术大学
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B01D53/22 文献下载
摘要：本公开的实施例提供了一种碳分子筛膜(及其前体)，其包括本征微孔的无氧梯形聚合物的热解产物。本公开的实施例还提供了一种气体分离方法，包括将包括一种或多种气体组分的流体与碳分子筛膜接触，其中碳分子筛薄膜包括本征微孔的无氧梯形聚合物的热解产物，并至少一种所述气体组分从流体中分离。本公开的实施方案还提供了一种制备碳分子筛膜的方法，包括在无氧气氛中将本征微孔的无氧梯形聚合物加热至热解温度，以可选择地在不产生任何含氧气体的情况下形成热解产物。
基于聚合物分子筛

[发明专利]具有本征氢化非晶硅层的量产线异质结电池-CN202211514361.9在审
发明人：王守志;王丽婷;王金淳;杜敬良;周啸颖;刘阳;黄国平;李菁楠 -专利权人：中节能太阳能科技（镇江）有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有本征氢化非晶硅层的量产线异质结电池，包括单晶硅片，单晶硅片的上表面上由内向外依次设有本征非晶硅层A1、n型磷掺杂非晶硅层、透明导电膜层、栅线，构成电池正面，单晶硅片的下表面上由内向外依次设有本征非晶硅层A2、p型硼掺杂非晶硅层、透明导电膜层、栅线，构成电池背面，本征非晶硅层A1与n型磷掺杂非晶硅层之间还设有本征氢化非晶硅层B1，本征非晶硅层A2与p型硼掺杂非晶硅层之间还设有本征氢化非晶硅层本发明以量产线异质结电池为基础，优化设计入光侧和背光侧本征氢化非晶硅层的膜厚及两者的匹配，提高异质结电池在钝化效果、透过率、电池转换效率上的性能。
具有氢化非晶硅层量产线异质结电池

[发明专利]多结太阳能电池及其形成方法和设备-CN200710165351.8无效
发明人：崔寿永;蔡容基;盛殊然 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-10-26 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：该方法包括：形成第一p－i－n结，包括形成p型非晶硅层；在该p型非晶硅层上形成本征型非晶硅层；及在该本征型非晶硅层上形成n型微晶硅层；以及在该第一p－i－n结上形成第二p－i－n结，包括形成p型微晶硅层；在该p型微晶硅层上形成本征型微晶硅层；及在该本征型微晶硅层上形成n型非晶硅层。
太阳能电池及其形成方法设备

[发明专利]氮化镓系二极管及其制造方法-CN201410369784.5在审
发明人：竹谷元伸;李康宁 -专利权人：首尔半导体株式会社
申请日： 2014-07-30 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开氮化镓系二极管及其制造方法，本发明的氮化镓系二极管包括：本征氮化镓系半导体层；第一导电型氮化镓系半导体层，与所述本征氮化镓系半导体层接合；第一电极，位于所述本征氮化镓系半导体层的与所述第一导电型氮化镓系半导体层的接合面的相反面；第二电极，位于所述第一导电型氮化镓系半导体层的与所述本征氮化镓系半导体层的接合面的相反面；以及第二导电型耐压层，形成于与所述第一电极的边缘相接的所述本征氮化镓系半导体层的局部区域。
氮化二极管及其制造方法

[发明专利]一种单载流子探测器的制备方法-CN202211049762.1在审
发明人：弭伟;杨志茂;王斌;唐金泽 -专利权人：北京英孚瑞半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种单载流子探测器的制备方法，本发明通过优化Zn扩散的时间和浓度，使单载流子探测器有源区域的扩散深度覆盖整个本征型In0.53Ga0.47As吸收层，可以保证本征型In0.53Ga0.47As吸收层在该探测器的中心区域有合适的p‑型掺杂，本征型In0.53Ga0.47As吸收层自上而下Zn掺杂的浓度逐渐降低，该掺杂梯度将在本征型In0.53Ga0.47As吸收层中形成弱电场，这将有助于电子在本征型In0.53Ga
一种载流子探测器制备方法

[发明专利]一种本征可拉伸n型有机界面材料及其制备方法与应用-CN202110700189.5有效
发明人：赖文勇;闵洁;李祥春;王倩;陈劲 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C08G77/388 文献下载
摘要：本发明公开一种本征可拉伸n型有机界面材料及其制备方法与应用。该材料以n型受体单元、胺基、溴或氯封端的聚甲基硅氧烷为原料，通过聚合反应制备得到。本发明提供了一种本征可拉伸n型有机界面材料，其制备方法是通过化学交联的方式将受体单元引入到直链型弹性材料中，在提高本征可拉伸性能的同时实现优异的电子传输特性以及高的电子迁移率。该本征可拉伸n型界面材料同时解决了传统有机界面材料本征不可拉伸性问题和传统界面材料电子迁移率低的问题。该类界面材料作为n型有机界面层材料，制备得到高稳定性、高拉伸性、高效率的有机光电器件。
一种拉伸有机界面材料及其制备方法应用

[实用新型]一种超宽带平坦的全光纤型圆起偏器-CN202220230204.4有效
发明人：任凯利;姚柯新;韩艳;梁磊;韩冬冬;郑益朋;王勇凯;刘继红;董军 -专利权人：西安邮电大学
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G02B6/024 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种超宽带平坦的全光纤型圆起偏器，所述全光纤型圆起偏器为双螺旋啁啾型手征长周期光纤光栅，所述双螺旋啁啾型手征长周期光纤光栅若干双螺旋手征长周期光纤光栅依次连接形成；其中，所述双螺旋手征长周期光纤光栅的光栅周期位于其工作在色散转折点时对应的光栅周期范围内；所述双螺旋啁啾型手征长周期光纤光栅的光栅周期随着光纤轴位置变化。该全光纤圆起偏器工作在色散转折点附近，可以实现超宽带圆偏振滤波特性，同时对光纤光栅引入啁啾效应，使得光栅周期随着光纤轴位置变化，可以实现平坦滤波特性，从而实现工作带宽平坦、带宽较宽、体积小、成本低的全光纤型圆起偏器
一种宽带平坦光纤型圆起偏器

[发明专利]一种紫外LED器件、一种紫外LED器件制备方法及相关设备-CN202211584581.9在审
发明人：张爽;罗红波;陈景文;王永忠 -专利权人：湖北深紫科技有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种紫外LED器件、一种紫外LED器件制备方法及相关设备，包括：N型(Al)GaN本征层，用于传导光子；缓冲层，用于生长所述N型(Al)GaN本征层，并传导所述N型(Al)GaN本征层的光子；衬底层，用于生长所述缓冲层，并传导所述缓冲层的光子；刻蚀区，用于提取所述N型(Al)GaN本征层内的光子，所述刻蚀区设置于所述N型(Al)GaN本征层与所述缓冲层之间，或，设置于所述N型(Al)GaN本征层与所述衬底层之间，且所述刻蚀区的侧壁表面设置有多个粗化单元。
一种紫外 led 器件制备方法相关设备

[发明专利]相变非易失性存储器及其加工方法-CN201010248140.2有效
发明人：三重野文健;庞军玲 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-08-05 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种相变非易失性存储器的加工方法，包括以下步骤：成型出N型硅衬底，在该N型硅衬底上方成型出氧化硅层，在该氧化硅层中刻蚀出氧化硅凹槽；在氧化硅凹槽中的N型硅衬底上外延生长出本征沉积硅层；在本征沉积硅层上外延生长出p型沉积硅层；在p型沉积硅层上外延生长出锗化硅层；在锗化硅层上外延生长出另外一层本征沉积硅层；将外延生长出的本征沉积硅层刻蚀去除，使锗化硅层处于氧化硅凹槽中的最上一层；在锗化硅层上沉积出相变材料层。本发明的加工方法，使得在对本征沉积硅进行腐蚀去除的过程中，腐蚀结束本征沉积硅以后不再对锗化硅层进行腐蚀，从而也就避免了对所述锗化硅层下方的p型沉积硅层的过腐蚀。
相变非易失性存储器及其加工方法

[发明专利]一种与非综合征型唇腭裂诊断相关的SNP标志物rs3174298及其应用-CN201911081699.8有效
发明人：潘永初;朱贵荣;黄优;马兰;娄姝 -专利权人：南京医科大学附属口腔医院
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： C12Q1/6883 文献下载
摘要：本专利公开了一种与非综合征型唇腭裂诊断相关的SNP标志物rs3174298及其应用，rs3174298存在C/T多态性，基因型为TT时，可判断为非综合征型唇腭裂易感性个体，并在此基础上开发了其在非综合征型唇腭裂易感性诊断试剂盒中的应用本专利所述的标志物和应用可使得非综合征型唇腭裂的诊断更加快速简便高效，可在孕早期或孕前预测高危人群，并为发现可能具有治疗价值的新型小分子药物靶标提供依据。
一种综合征腭裂诊断相关 snp 标志 rs3174298 及其应用

[实用新型]伴随气液相变的闭式行波型热声发动机-CN201822197662.9有效
发明人：谭靖麒;金滔;罗嘉奇;黄迦乐 -专利权人：浙江大学
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： F03G7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种伴随气液相变的闭式行波型热声发动机。本实用新型的特点是采用可相变流体作为工质，能够在较小的冷热端温差下实现起振，同时提高了单位体积工质做功能力，有利于实现热声系统的小型化；采用负载管和气库作为调相单元，保证系统基于行波相位的压力波工作，其热声转换热力循环本征可逆；设置了水力半径足够小的回热器，保证流体工质和回热器金属丝网壁面始终处于良好的热接触，有望实现更高效运行。
行波型热声发动机本实用新型气液相变回热器闭式冷热端温差保证系统调相单元高效运行工质做功金属丝网流体工质热力循环热声系统相变流体行波相位负载管热接触压力波可逆本征壁面起振热声水力转换保证

[发明专利]P型硅衬底异质结电池-CN201310134091.3有效
发明人：包健;郭万武;余冬冬 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2013-04-18 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型硅衬底异质结电池，它包括一P型晶体硅衬底层、一本征非晶硅层、一N型非晶硅层、一P型非晶硅掺杂层、一第一透明导电层、一上电极层、一本征非晶硅锗钝化层、一第二透明导电层和一背电极层，P型晶体硅衬底层具有一正面和一背面；本征非晶硅层沉积在P型晶体硅衬底层的正面上；N型非晶硅层沉积在本征非晶硅层的上表面上；第一透明导电层位于N型非晶硅层的上表面上；本征非晶硅锗钝化层沉积在P型晶体硅衬底层的背面上；P型非晶硅掺杂层沉积在本征非晶硅锗钝化层的下表面上；第二透明导电层位于P型非晶硅掺杂层的下表面上；背电极层位于第二透明导电层的下表面上并通过第二透明导电层与P型非晶硅掺杂层电性连接。
衬底异质结电池

[发明专利]一种化合物在治疗肾综合征出血热药物中的应用-CN201310631326.X有效
发明人：吴文渊 -专利权人：嘉兴兴桐电子科技有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： A61K31/365 文献下载
摘要：本发明公开了一种化合物Mollolide A在制备治疗肾综合征出血热药物中的新用途，外、体内抑制实验研究显示，Mollolide A对细胞的毒性作用低、对肾综合征出血热病毒有直接杀灭作用并能明显抑制该病毒的增值因此Mollolide A是治疗肾综合征出血热有效、安全的药物。
一种化合物治疗综合征出血热药物中的应用