专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]雪崩光电探测器及其制备方法-CN202111643459.X有效
  • 胡晓;陈代高;张宇光;王磊;肖希 - 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
  • 2021-12-29 - 2023-08-04 - H01L31/107
  • 探测器包括:衬底,其表面包括第一半导体层;衬底上的第二半导体层,第一半导体层包括第一方向上依次排列的第一、第二P、第三N掺杂区、第一本区、第三P掺杂区、第二本区、第二N和第一N掺杂区,第一至第三P以及第一至第三N掺杂区的浓度均依次递减,第一本区、第三N掺杂区、紧邻第三N的第二P掺杂区的部分、紧邻第一本区的第三P掺杂区的部分在垂直方向上具有的第一高度H1不等于该层其他区域具有的第二高度H2;第二半导体层沿第一方向依次覆盖第二P掺杂区的H2的部分、第二P掺杂区的H1、第三N掺杂区、第一本区、第三P掺杂区的H1和第三P掺杂区的H2
  • 雪崩光电探测器及其制备方法
  • [发明专利]一种异质结电池制备方法-CN201910990752.X有效
  • 不公告发明人 - 苏州联诺太阳能科技有限公司
  • 2019-10-18 - 2022-07-12 - H01L31/20
  • 本发明公开了一种异质结电池制备方法,异质结电池包括依次顺序设置的栅电极、透明导电层、n非晶硅层、本非晶硅层、单晶硅基底、本非晶硅层、p非晶硅层、透明导电层及栅电极,制备方法包括:在单晶硅基底的一端面上进行本非晶硅层的镀膜工艺,翻片,在和单晶硅基底的一端面相对设置的另一端面上进行本非晶硅层的镀膜工艺,进行n非晶硅层的镀膜工艺,翻片,进行p非晶硅层的镀膜工艺。该制备方法可降低掺杂的n或者p型材料污染另外一面没有镀本非晶硅层的硅片的表面;而且,可更好地匹配各薄膜层镀膜时的工艺温度,从而提升异质结电池的性能。
  • 一种异质结电池制备方法

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