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[发明专利]传感器输出补偿电路-CN202280015906.3在审
发明人：矢岛有继 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明提供一种传感器输出补偿电路，其可高速地进行传感器输出的非线性补偿，能够抑制电路规模，此外，相对于宽范围的温度变动可高精度地进行灵敏度温度补偿，可谋求电路的小型化、廉价化，此外，可简单地且准确地进行偏移电压的温度补偿。传感器输出补偿IC(1)具备：线性补偿电路(5)，改变可变电阻(R4)的电阻值而对传感器输出的线性进行补偿；灵敏度温特补偿电路(6)，改变可变电阻(R5)的电阻值而对传感器输出的灵敏度温度特性进行补偿；以及偏移温特补偿电路(7)，向补偿用放大电路(4)的运算放大器(41)的参照电压端子输入参照电压(VREF2)，对传感器输出的偏移电压的温度特性进行补偿。
传感器输出补偿电路

[发明专利]磁传感器及其制备方法-CN202311196827.X在审
发明人：薛松生;郭海平 -专利权人：江苏多维科技有限公司
申请日： 2023-09-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本申请提供了一种磁传感器及其制备方法。磁传感器包括多个磁阻元件。每个磁阻元件包括依次层叠设置的反铁磁层、钉扎层、参考层、势垒层和自由层，自由层为涡旋磁结构。自由层沿预设方向进行磁退火处理，以使自由层中的涡旋磁结构获得与参考层钉扎方向的夹角为45°或135°的磁各向异性，使得探测磁场X分量、Y分量的涡旋磁结构分别对磁场的X轴、Y轴磁场分量产生磁场电阻响应曲线相同，因此可以平衡探测磁场X轴分量与磁场Y轴分量的性能，从而更容易解耦出磁场的大小和方向。
传感器及其制备方法

[发明专利]一种磁阻磁开关传感器-CN202211166139.4有效
发明人：邱鹏;万虹 -专利权人：微传智能科技（常州）有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁阻磁开关传感器，涉及磁传感器技术领域，包括：第一组惠斯通电桥和第二组惠斯通电桥；所述第一组惠斯通电桥及第二组惠斯通电桥用于感应第一方向和第二方向的磁场；所述第一方向和第二方向的磁场互相正交；所述第一组惠斯通电桥及第二组惠斯通电桥内均设置有AMR磁阻感应元件或者GMR或者TMR磁阻感应元件；可以通过不同的电桥配置和测量方式，实现单颗芯片对磁场的各向同性测量。
一种磁阻开关传感器

[发明专利]传感器输出补偿电路-CN202280015905.9在审
发明人：矢岛有继;成田哲也 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明提供一种可在全部温度区域中一样地高精度地进行精度高的传感器输出的灵敏度温度补偿并且能够谋求电路的小型化、廉价化的传感器输出补偿电路。传感器输出补偿IC(1)通过作为灵敏度温特补偿电路而具备的灵敏度温特粗调补偿电路(6a)以及灵敏度温特微调补偿电路(6b)对TMR传感器(2)的电源端子(2a、2b)施加将相对于周围温度变化而在灵敏度出现的变动抵消的偏置电压。灵敏度温特粗调补偿电路(6a)从温度传感器电路(11)输入电压变换温度，以相当于灵敏度相对于周围温度的变化率的放大率(R12/R11)对电压变换温度进行反相放大而生成偏置电压(Va)，并提供给一个电源端子(2a)。灵敏度温特微调补偿电路(6b)生成将通过灵敏度温特粗调补偿电路(6a)的作用而被抵消之后残留的灵敏度的微变动进一步抵消的微少补偿偏置电压，并作为偏置电压(Vb)而提供给另一个电源端子(2b)。
传感器输出补偿电路

[发明专利]一种磁电阻器件及其制造方法、磁传感装置-CN202310256372.X有效
发明人：胡忠强;关蒙萌;刘明;朱红艳 -专利权人：珠海多创科技有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁电阻器件及其制造方法、磁传感装置，包括顶电极层、磁电阻层以及底电极层；所述顶电极层包括多个顶电极；所述底电极层包括多个底电极；所述磁电阻层包括多个并排设置的磁堆叠，所述磁堆叠为第一磁堆叠或第二磁堆叠，所述第一磁堆叠中参考层与所述第二磁堆叠中参考层具有相反的磁化方向；多个所述第一磁堆叠、所述顶电极以及所述底电极连接形成第一磁电阻阵列和第三磁电阻阵列；多个所述第二磁堆叠、所述顶电极以及所述底电极连接形成第二磁电阻阵列和第四磁电阻阵列。通过本发明实现对磁电阻器件结构进行优化使其便于加工成型，达到节省制作流程以及节约成本的目的。
一种磁电器件及其制造方法传感装置

[发明专利]一种可用于巨磁阻传感器退火的方法与结构-CN201910686333.7有效
发明人：宋玉哲;韩根亮;张彪;高晓平 -专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种可用于巨磁阻传感器退火的方法与结构，包括在基底上制备了由两层铁磁层和中间隔离层构成的MR结构。MR结构的其中一层铁磁层为被钉扎层，其磁化方向将在后续操作中被固定。在MR结构上沉积一层绝缘层之后，再在其上面沉积一层金属层。将金属层光刻为热电阻。在外磁场下，通过热电阻对MR结构进行退火处理。退火完成后，将绝缘层和热电阻移除。本发明克服了现有方法精度低，效率低的弊端，实现工业批量生产。
一种用于磁阻传感器退火方法结构

[发明专利]一种传感器电磁感应组件-CN202111561849.2有效
发明人：潘琳斌;章孟翼;王应栋 -专利权人：宁波泰丰源电气有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种传感器电磁感应组件，包括屏蔽壳结构、线圈支架结构、电路板结构和漆包线磁芯组件；其特征是：所述线圈支架结构包含磁芯支架和U形卡槽结构，所述磁芯支架呈圆环状，在所述磁芯支架上设有一个所述U形卡槽结构，所述U形卡槽结构中包含两个小型U形的外露磁芯卡槽和一个TMR芯片T型卡槽，在所述U形卡槽结构的底部设有一个数据采集孔，在所述U形卡槽结构的一侧内壁上设有一个卡槽凸起，所述内壁与所述卡槽凸起构成所述的TMR芯片T型卡槽，通过隧道磁电阻（TMR）芯片测量绕线磁芯缺口处磁场的变化，并通过设计的电路板将信号输送到主电路中，电路板平面紧贴磁芯平面，配合紧凑，灵敏度和精确度高。
一种传感器电磁感应组件

[发明专利]一种三轴全桥电路变换式线性磁场传感器-CN202211656591.9有效
发明人：田兵;李鹏;骆柏锋;吕前程;尹旭;张佳明;林跃欢;刘胜荣;王志明;韦杰;谭则杰;陈仁泽 -专利权人：南方电网数字电网研究院有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种三轴全桥电路变换式线性磁场传感器，包括两组相互垂直设置的磁场传感单元，各组磁场传感单元包括开关电路和两个对称设置的磁场传感阵列切片，开关电路分别与各磁场传感阵列切片连接，用于切换两个磁场传感阵列切片之间的导通状态，形成可变化的桥式结构，以获得三轴推挽式全桥磁场传感器，从而能够测量X轴、Y轴和Z轴的磁场变化，使得在测试过程中磁电阻对外磁场呈现明显的线性变化，同时可排除非敏感轴方向磁场造成的测量误差，提高了测量精度。此外，本申请提出的三轴全桥电路变换式线性磁场传感器采用一种磁场传感阵列切片结构，设计和工艺简单，降低了设计和工艺难度，有利于提高生产效率和质量。
一种三轴全桥电路变换线性磁场传感器

[发明专利]磁场传感器及其测试方法、装置、制备方法和计算机设备-CN202211428000.2有效
发明人：李鹏;田兵;吕前程;刘仲;骆柏锋;尹旭;张佳明;王志明;韦杰;谭则杰;陈仁泽;聂少雄 -专利权人：南方电网数字电网研究院有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本申请涉及一种磁场传感器及其测试方法、装置、制备方法和计算机设备。该磁场传感器包括：形成于衬底上的两个磁场传感阵列切片；每个磁场传感阵列切片包括两个间隔设置的磁感应单元，且两个磁感应单元的长轴方向相互垂直；其中，每个磁感应单元包括三个间隔设置的磁电阻传感器阵列；每个磁感应单元中的各磁电阻传感器阵列的长轴方向一致，且其中两个磁电阻传感器阵列上形成有磁通量控制器；开关电路控制片，开关电路控制片的引脚一一对应连接各磁电阻传感器阵列的引脚；其中，任意两个相邻的磁感应单元具有中心反演对称的钉扎层磁矩方向。该磁场传感器在测试磁场时能消除干扰磁场引起的测量误差。
磁场传感器及其测试方法装置制备计算机设备

[实用新型]一种磁阻传感单元及磁阻传感器-CN202222519597.3有效
发明人：薛松生;郭海平;沈卫锋 -专利权人：江苏多维科技有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本申请提供一种磁阻传感单元及磁阻传感器。磁阻传感单元包括：沿第一方向依次层叠设置的第一磁性层、势垒层、自由层、第一屏蔽层和保护层，第一方向为第一磁性层指向保护层的方向。第一屏蔽层为软磁材料，第一屏蔽层的厚度不小于1nm。磁阻传感单元可以形成宽量程的磁阻传感器。通过在磁阻传感器中增设用于衰减外部磁场的第一屏蔽层，使得进入自由层的磁场强度减弱，自由层饱和时对应的外界磁场强度增大，实现了磁阻传感器量程的拓宽。该宽量程的磁阻传感器的测量范围更大，磁阻传感单元不容易发生磁饱和，适用于测量强磁场。
一种磁阻传感单元传感器

[发明专利]基于电流退火的线性GMR磁传感器制造方法及系统-CN202310720735.0在审
发明人：刘明;王志广;胡忠强;吴金根;王文利 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：基于电流退火的线性GMR磁传感器制造方法及系统，包括：在基片上沉积GMR多层膜结构：在第一条件下对多层膜结构的钉扎层进行磁化，电流退火方向沿磁阻条短方向；在第二条件下对多层膜结构的自由层进行磁化，电流退火方向沿磁阻条长方向；在GMR惠斯通全桥结构中，对四组GMR多层膜结构分别做上述电流退火处理，使相邻两个桥臂上的磁阻随外磁场的变化相反，得到全桥结构的GMR磁传感器。本发明可以实现单个磁阻条的线性电压输出。进一步地，对同一基片上不同区域结构分别进行局域电流磁退火以实现惠斯通电桥结构的四组磁阻对外磁场响应两两反向，最终实现全桥结构的线性电压输出。
基于电流退火线性 gmr 传感器制造方法系统

[发明专利]一种高信噪比磁电传感器及其制备方法和应用-CN202310721263.0在审
发明人：胡忠强;刘明;吴金根;孙璇 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明提供一种高信噪比磁电传感器及其制备方法和应用，包括磁电异质结、PCB板和绕组线圈；磁电异质结固定设置于PCB板上，绕组线圈围绕设置于PCB板外周并与PCB板连接；磁电异质结包括压电层和磁性层，磁性层固定设置于压电层的两侧，磁性层采用磁致伸缩材料，磁致伸缩材料具有横向排列的磁畴壁。本发明提出控制驱动场幅值在不影响磁畴壁转动的前提下激发器件工作于谐振模态，从而提升传感灵敏度。
一种高信噪磁电传感器及其制备方法应用

[发明专利]磁传感器、防窃电的电能表-CN202310988221.3在审
发明人：程晓峰;付振;王帅鹏;黄海潮;习建国;周飞 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明涉及电磁传感技术领域，提供一种磁传感器、防窃电的电能表。所述磁传感器包括磁敏元件以及与磁敏元件相连的信号处理电路；磁敏元件包括第一惠斯通电桥和第二惠斯通电桥，第一惠斯通电桥由多个能够感应X轴方向磁场的X磁阻单元构成，第二惠斯通电桥由多个能够感应Y轴方向磁场的Y磁阻单元构成；多个X磁阻单元与多个Y磁阻单元间隔排布，每一个X磁阻单元与相邻的Y磁阻单元的距离相等；所述磁敏元件感应电能表周围的磁场强度并输出电压信号；信号处理电路对电压信号进行处理，产生开关信号。本发明能够检测来自360°全方位的磁场干扰，无检测盲区，可及时发现各个方向来源的磁场干扰，提升电能表的防窃电功能。
传感器防窃电电能表

[发明专利]一种磁栅传感器-CN202310347780.6有效
发明人：郭海平;宋晨;陆静娟;黄贤峰;李昊晨;沈卫锋;薛松生 -专利权人：江苏多维科技有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种高精度且抗干扰的磁栅传感器。该磁栅传感器至少包括一个由两个等效磁电阻串联或并联而成的磁阻单元。以磁栅磁极任一个周期排布方向为参考方向，所述磁阻单元的两个等效磁电阻的磁敏系数大小相等，其中一个等效磁电阻的磁敏方向平行于该参考方向，另一个等效磁电阻的灵敏方向则反平行于该参考方向。所述磁阻单元的两个等效磁电阻沿着预设方向设置，使所述磁阻单元的电阻值随着该预设方向上、自身所处位置上磁栅磁场的变化而变化。本发明提供的磁栅传感器不仅能够削弱外部磁场的干扰，而且结合两个等效磁电阻之间的位置设置还能够消除磁栅传感器中的特定谐波，改善输出的测量信号，提高测量精度。
一种传感器

[发明专利]一种消除磁通聚集元件制造误差的磁传感器-CN202310499132.2有效
发明人：郭海平;徐杰;宋晨;顾蕾;陶刚;黄贤峰;沈卫锋;薛松生 -专利权人：江苏多维科技有限公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明涉及磁传感器技术领域，提供了一种消除磁通聚集元件制造误差的磁传感器，包括：磁通聚集元件，所述磁通聚集元件使外磁场产生扭曲，以使Z轴的分量转变为垂直于Z轴的分量；第一磁感应对，所述第一磁感应对包括第一磁阻元件和第二磁阻元件，所述第一磁阻元件和所述第二磁阻元件在Z轴方向上均位于所述磁通聚集元件的下方，且灵敏度方向相同；所述第一磁阻元件和所述第二磁阻元件的所在位置处，垂直于Z轴的磁场分量方向相同，且磁场分量随位置距离的变化率大小相同但趋势相反；所述第一磁阻元件和第二磁阻元件串联或并联。实现了消除磁通聚集元件制造误差，解决了因制造误差导致的Z轴磁场测量不准确的技术问题。
一种消除聚集元件制造误差传感器

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