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- [发明专利]用于制造半导体器件的工艺-CN200810179491.5无效
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福地一博
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恩益禧电子股份有限公司
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2008-12-08
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2009-06-10
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H01L21/00
- 本发明涉及一种用于制造半导体器件的工艺。在用于制造半导体器件的常规工艺中不能实现在抑制标记劣化的同时减小由于标记工艺而导致的对半导体器件的损伤。用于制造半导体器件100的工艺包括在形成保护膜31之后用能量束通过透明保护膜31照射标记膜21，并且这种照射引起标记膜21材料的化学改性从而生成标记。根据上述用于制造半导体器件100的工艺，用于标记的区域或标记膜21的上表面由保护膜31包覆，以减小由于在标记操作期间产生的灰尘、散出的热、气体、应力等对半导体芯片11而产生的损伤。这允许实现提供制造较佳质量标记的用于制造半导体器件100的工艺。
- 用于制造半导体器件工艺
- [发明专利]在新工艺开发中评估套刻标记的方法-CN200910201711.4有效
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阚欢;吴鹏;陈福成
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上海华虹NEC电子有限公司
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2009-10-22
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2011-05-04
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G03F1/00
- 本发明公开了一种在新工艺开发中评估套刻标记的方法。先是设计一块评估掩模板，包括套刻标记外框、套刻标记内框和遮挡图形三块区域，包含了新工艺中所用到的各种式样的套刻标记图形。其次是根据新工艺中各光刻层之间的对准表，拟定各光刻层之间各种式样套刻标记的所有制作方案。再按照所述制作方案把各套刻标记分别制作在一枚按新工艺制作的硅片不同曝光单元中。再是对所制作套刻标记的套准测试信号进行评估，选出各光刻层之间的套刻标记的最优式样和方案的组合。最后将选定的套刻标记组合应用到新工艺的整套掩模板制作方案中。本发明能高效的评估出新工艺中所需要的最优的套刻标记组合，缩短新工艺的开发周期。
- 新工艺开发评估标记方法
- [发明专利]刻蚀方法-CN201510367411.9有效
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金一诺;王坚;王晖
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盛美半导体设备(上海)股份有限公司
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2015-06-29
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2020-12-08
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H01L21/311
- 本发明揭示了一种刻蚀方法，使用刻蚀气体对晶圆的阻挡层和/或掩膜层进行刻蚀，包括：提供第一工艺腔和第二工艺腔，第一工艺腔与第二工艺腔具有不同的工艺条件；在第一工艺腔内对阻挡层进行第一道刻蚀工艺并产生第一标记产物，监测第一标记产物在第一工艺腔内的浓度；第一标记产物在第一工艺腔内的浓度达到第一终点值时，第一道刻蚀工艺结束，并将晶圆转移至第二工艺腔；在第二工艺腔内对阻挡层或掩膜层进行第二道刻蚀工艺并产生第二标记产物，监测第二标记产物在第二工艺腔内的浓度；第二标记产物在第二工艺腔内的浓度达到第二终点值时，第二道刻蚀工艺结束。
- 刻蚀方法
- [发明专利]循环产线中工艺数据的跟踪方法-CN201610248390.3有效
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张宇飞;王伟旭;杨川;李冉
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成都天衡电科科技有限公司
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2016-04-20
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2017-06-23
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G05B19/418
- 本发明提供了一种循环产线中工艺数据的跟踪方法，跟踪方法包括S1根据多个工序的生产顺序以及多个工装的流水顺序确认在不同工时下多个工装在多个工位上的分布位置，其中，多个工装包含有一个标记工装，多个工序包含有一个标记工序；S2在当前工时检测标记工装是否进入标记工序作业；S3如果标记工装没有进入标记工序作业，则对每个工序按照工艺数据的产生顺序依序缓存工艺数据，并在下一工时继续检测标记工装是否进入标记工序作业；S4如果标记工装进入标记工序作业且每个工序缓存有工艺数据，则根据分布位置将每个工序所缓存的工艺数据与多个工装分别对应关联。本发明能够在循环产线发生突发情况后快速将工艺数据与工装对应关联。
- 循环产线中工艺数据跟踪方法
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