专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种双重共模抑制接收电路-CN202310775648.5在审
  • 张丽;何新华;吴勇;马旭;刘伟峰;汤华莲 - 西安电子科技大学芜湖研究院
  • 2023-06-28 - 2023-09-05 - H04L12/40
  • 本发明公开了一种双重共模抑制接收电路,包括第一级共模抑制电路、第二级全差分运放构成的同相比例放大器、第三级引入失配的迟滞比较器以及第四级输出缓冲器;级间相互之间采用直接耦合,输入的总线电平经过第一级共模抑制电路后,经过衰减后共模电平范围取决于全差分运算放大器的共模摆幅以及最大共模电压,信号经过全差分运算放大器构成的同相比例放大器之后,共模电平将会被稳定,同时第二级全差分运放构成的同相比例放大器的差分信号将会被传递到迟滞比较器,经过迟滞比较器后输出数字逻辑电平;所述迟滞比较器的输出端口连接反相器链构成的输出缓冲器。本发明在保证准确接收显性和隐形电平的同时简化了电路结构,降低了电路的总体功耗。
  • 一种双重抑制接收电路
  • [发明专利]一种基于单位桥接电容的三段式电容阵列结构及方法-CN202310673322.1在审
  • 汤华莲;连浩如;张丽;宋建军 - 西安电子科技大学
  • 2023-06-08 - 2023-08-15 - H03M1/46
  • 本发明公开了一种基于单位桥接电容的三段式电容阵列结构及方法,包括高段电容阵列、中段电容阵列以及低段电容阵列,其中高段电容阵列为M位、中段为K位且低段为L位,用于实现N位精度的模数转换;高段电容阵列与中段电容阵列之间的桥接电容CB1、中段电容阵列与低段电容阵列之间的桥接电容CB2均为单位电容C;在高段电容阵列中增加权重为0.5C电容用于补偿由单位电容作为桥接电容所引起的增益误差;在中段电容阵列相应位置增加3个2C和2个1C冗余位电容;在低段电容阵列中增加一位0.5C的电容其作用为补偿非二进制权重码值转换为二进制码值后的误差。本发明能够大幅减少电容阵列面积,并且易于实现电容匹配。
  • 一种基于单位电容三段式阵列结构方法
  • [发明专利]一种CAN收发器接收电路-CN202210862115.6有效
  • 张丽;吴勇;张子诚;刘伟峰;汤华莲 - 西安电子科技大学芜湖研究院
  • 2022-07-20 - 2023-08-15 - H04L12/40
  • 本发明公开了一种CAN收发器接收电路,分为三级结构,为第一级保护电路、第二级主体结构为运算放大器、第三级为迟滞比较器;所述保护电路可以将总线异常电压衰减到可被后级电路接收的范围内;所述运算放大器中预处理保护电路的输出差分信号,将其变为更易被检测的单端信号,且该单端信号可以有效区分总线信号的显性与隐性状态;所述迟滞比较器检测运放输出的单端信号并转化成数字信号输出,迟滞量可以防止比较器因输入波动而导致的输出翻转。本发明使差分信号可以正常输入到转换电路,并在该结构的基础上调整收发器结构,将差分信号转化成单端信号,单端信号经过迟滞比较器,输出一个抗干扰能力强的数字信号。
  • 一种can收发接收电路
  • [发明专利]一种基于非线性斜坡量化的纳米孔DNA测序电路-CN202111546908.9有效
  • 靳刚;严加智;汤华莲;包军林;刘伟峰;王一润 - 西安电子科技大学
  • 2021-12-16 - 2023-05-16 - G01N27/26
  • 本发明公开了一种基于非线性斜坡量化的纳米孔DNA测序电路,包括:检测阵列,包括多个呈阵列排布的检测单元;多个纳米孔传感单元;每个纳米孔传感单元包括相对设置的公共电极和单元电极、以及生物腔;生物腔包括生物膜,生物膜包括纳米孔,多个检测单元的输入端分别与多个单元电极对应连接;检测单元,用于将不同碱基穿过纳米孔时产生的电流信号转换为电压信号;量化模块,包括信号发生单元、比较单元及转换单元;由于本发明将电压信号转换为脉冲信号,即从电压域转换至时域,可以降低在量化阶段产生的噪声与失调;同时,时域信号的处理也避免了在电压域处理时需要电容阵列或面积较大的模拟模块,降低了量化时所消耗的功耗与占用的版图面积。
  • 一种基于非线性斜坡量化纳米dna电路
  • [发明专利]一种环形放大器电路-CN202210814830.2在审
  • 包军林;汤华莲;王致远;张丽;刘伟峰 - 西安电子科技大学
  • 2022-07-12 - 2022-10-14 - H03F1/30
  • 本发明公开了一种环形放大器电路,分为第一级、第二级和第三级结构,形成三级结构,所述第一级、第二级和第三级之间的耦合方式为直接耦合;第一级包括负反馈PMOS管MPR、M1和M2,输入信号直接连接到M1管的栅端和M2管的栅端,MPR的栅端与M1管的漏端和M2的漏端相连接,M1和M2工作在共源放大器模式;第二级包括PMOS管M3、电阻R和NMOS管M4,都工作在共源放大器模式,使用电阻R代替传统的VOS偏压方式;第三级包括两个高阈值管MRP和MRN,工作在共源放大器模式,其阈值电压大于第一级的M1管、M2管以及第二级的M3管、M4管的阈值电压;本发明通过将整个环形放大器的输入和输出短接,从而消除环形放大器整体自偏置电压和共模的失调,使得输出摆幅得以最大化。
  • 一种环形放大器电路
  • [发明专利]用于纳米孔基因测序的读出电路及半边共享读出阵列-CN202110750091.0有效
  • 靳刚;严加智;林文龙;汤华莲;胡鑫伟;李振荣 - 西安电子科技大学
  • 2021-07-02 - 2022-10-04 - H03F3/45
  • 本发明公开了一种用于纳米孔基因测序的读出电路及半边共享读出阵列,解决了纳米孔基因测序中信噪比低,精度低,功耗与面积大的问题。读出电路由纳米孔检测单元、使能晶体管、电容跨阻放大器、量化比较器顺次连接形成单通道电容跨阻放大器读出电路。半边共享读出阵列中每一列包括一个同相半边电容跨阻放大器、第1级至第n级读出电路。其中每一级读出电路的电容跨阻放大器为反相半边电容跨阻放大器,列共享一个同相半边电容跨阻放大器。本发明读出电路,固定纳米孔两端压差,电流信号转换成电压信号再转换成脉冲信号,降低了噪声影响,实现双向检测。阵列的列共享节约了功耗和版图面积,实现了高通量。用于纳米孔基因测序。
  • 用于纳米基因读出电路半边共享阵列
  • [发明专利]一种IGBT关态电流拖尾退化的评估方法-CN202210011082.4在审
  • 包军林;汤华莲;彭琪;李振荣;刘伟峰;曾志斌;鲁峰;庄奕琪 - 西安电子科技大学
  • 2022-01-05 - 2022-05-27 - G06F30/373
  • 本发明涉及一种IGBT关态电流拖尾退化的评估方法,包括:实时采集多组待测IGBT的关态电流时序数据;对待测IGBT的关态电流时序数据进行滤波处理,得到关态电流时序趋势数据;构建双指数模型U=a*exp(b*k)+c*exp(d*k),根据关态电流时序趋势数据,计算得到双指数模型的模型参数,其中,a、b、c和d表示双指数模型的模型参数,k表示循环周期;根据模型参数,建立用于拟合IGBT关态电流退化轨迹的状态方程U(k),根据状态方程U(k)对待测IGBT的关态电流退化进行评估;其中,状态方程U(k)为:U(k)=a*exp(b*k)+c*exp(d*k),式中,U表示趋势奇异点值,k表示循环周期。本发明的IGBT关态电流拖尾退化的评估方法,利用奇异性分析在提取参数退化的准确轨迹的同时保证了计算的精度,而且提高了IGBT关态电流预估的速度。
  • 一种igbt电流退化评估方法

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