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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]同轴线缆束的连接构造及其制造方法-CN201410050359.X有效
发明人：田中正人;佐藤和宏 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2014-02-13 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01R9/05 文献下载
摘要：本发明提供一种小型且形状紧凑的同轴线缆束的连接构造及其制造方法，其中，根据该连接构造，在将并列有多根同轴线缆的并列同轴线缆组多层层叠的结构中，使层叠方向上的厚度和宽度方向上的长度变小，兼具绝缘特性和形状稳定性在同轴线缆束中，多层层叠有并列同轴线缆组，该并列同轴线缆组是将多根在中心导体的周围依次设有绝缘体、外部导体及外皮的同轴线缆并列而成的。在层叠的多个并列同轴线缆组中，露出的绝缘体与中心导体的总长度对应于层叠的每层而在层叠方向上从一方侧朝向另一方侧依次变长。
同轴线缆连接构造及其制造方法

[实用新型]铁芯块、定子以及旋转电机-CN201220030813.1有效
发明人：平田健一 -专利权人：株式会社安川电机
申请日： 2012-01-31 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H02K1/08 文献下载
摘要：铁芯块，是具备层叠有多个钢板(12)的层叠构造(14)的铁芯块(10)，层叠构造(14)具有轭部(16)，轭部(16)含有第1侧面(20a)，轭部(16)的第1侧面(20a)具有平坦区域(20s)以及至少第1侧面(20a)的平坦区域(20s)含有：相对于至少1个台阶区域(20t)是位于层叠方向(Dt)的层叠方向平坦区域(20s1)；以及相对于至少1个台阶区域(20t)位于径向(Dr)，且与层叠方向平坦区域
铁芯块定子以及旋转电机

[发明专利]磁存储装置-CN202111083939.5在审
发明人：及川忠昭;李永珉;北川英二;矶田大河;郑求烈;郑镇源 -专利权人：铠侠股份有限公司;SK 海力士公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：根据一实施例，磁存储装置具备层叠构造，该层叠构造包括：第1磁性层，具有固定的磁化方向；第2磁性层，具有可变的磁化方向；非磁性层，设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间；钼层即Mo层，相对于所述第2磁性层设置于所述非磁性层的相反侧
存储装置

[发明专利]R-T-B系永久磁铁-CN201410171646.6有效
发明人：桥本龙司;铃木健一;崔京九;西川健一 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2014-04-25 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：在R-T-B系的构造中，通过交替地层叠R1-T-B和Y-T-B，从而形成R1-T-B系结晶层和Y-T-B系结晶层的层叠构造，维持R1-T-B系结晶层的高的各向异性磁场，同时得到Y-T-B系结晶层的温度系数的改善效果
永久磁铁

[发明专利]形成包含非晶碳膜的层叠构造的方法和装置-CN201110034604.4有效
发明人：冈田充弘;东条行雄 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-01-30 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明提供一种形成包含非晶碳膜的层叠构造的方法。该方法在基底层上形成包含非晶碳膜的层叠构造，其中，包括以下工序：向上述基底层上供给有机系硅气体，在上述基底层的表面形成包含Si-C键的初始层；向在表面形成有上述初始层的上述基底层上供给包含碳氢化合物气体的成膜气体
形成包含非晶碳膜层叠构造方法装置

[发明专利]氮化物系半导体元件及其制造方法-CN201180003875.1有效
发明人：横川俊哉;大屋满明;山田笃志;加藤亮 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-02-23 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明的氮化物系半导体元件，具备：具有表面(12)从m面倾斜了1°以上5°以下的角度的p型GaN系半导体区域的氮化物系半导体层叠构造(20)；和设置于p型GaN系半导体区域上的电极(30)。电极(30)包含由从Pt、Mo以及Pd所构成的群中选择的金属和Mg构成的Mg合金层(32)，Mg合金层(32)与半导体层叠构造(20)中的p型GaN系半导体区域的表面(12)相接触。
氮化物半导体元件及其制造方法

[发明专利]层叠芯、电流检测器及接合方法-CN202010978591.5在审
发明人：龙末洋;门马彰夫;伊藤卓也 -专利权人：株式会社田村制作所
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G01R15/20 文献下载
摘要：本发明提供层叠芯、电流检测器及接合方法。提供一种新型构造体的层叠芯以及使用该层叠芯的电流检测器，还提供用于此的方法。层叠芯(104)在作为最外层的外周面(104c)上部分地除去了绝缘覆膜的区域(105)中，(A)通过镍端子120的材料和芯材料的合金层，(B)接合镍端子(120)。使用了层叠芯(104)的电流传感器能够通过镍端子(120)将层叠芯(104)接地到电流检测电路的地线。镍端子(120)通过在除去区域(105)被电阻焊接，从而形成合金层并成为牢固的接合状态。
层叠电流检测器接合方法

[发明专利]层叠型电子部件及层叠型电子部件的制造方法-CN202010683573.4有效
发明人：笹林武久;石部清志郎;上野健之;福盛爱;鹤明大;滨田大介 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制层叠体内部的构造缺陷的产生的层叠型电子部件及该层叠型电子部件的制造方法。层叠型电子部件具备包括被层叠的多个电介质层和多个内部电极层的层叠体。
层叠电子部件制造方法

[发明专利]磁铁构造体，磁铁构造体的制造方法以及旋转电机的制造方法-CN201910729452.6在审
发明人：儿岛伸生;川岛伸也 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H02K15/03 文献下载
摘要：本发明提供一种实现了易于磁化的磁铁构造体，磁铁构造体的制造方法，以及旋转电机的制造方法。在根据本公开所涉及的磁铁构造体及其制造方法中，磁铁构造体具有具备多个磁铁构造部件的构造，并且层叠的多个磁铁构造部件受到约束器的约束。在这种磁铁构造体中，通过磁化工序可以将多个磁铁构造部件分别磁化。在磁化工序中，磁化对象为比磁铁构造体整体更小的磁铁构造部件。因此，可以使用比磁化整个磁铁构造体的磁化装置更小的磁化装置，并且可以更容易地进行磁铁构造体的磁化。
磁铁构造制造方法以及旋转电机

[发明专利]用于鞋类的鞋统结构以及包括该结构的鞋类-CN201180006412.0无效
发明人： M·佩科特 -专利权人： W.L.戈尔有限公司
申请日： 2011-01-26 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： A43B23/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于鞋类（2）的鞋统结构（22），包括鞋统底部（34）和鞋统上部区域（23），鞋统底部（34）具有透水蒸汽的装置鞋底（36）和上鞋统底部功能层层叠（38），鞋统上部区域（23）具有上材料层（24）和上鞋统功能层层叠（26）。鞋底侧边鞋统端部区域连接到鞋统底部（34）；以及上鞋统底部功能层层叠（38）是两层构造。
用于鞋类结构以及包括

[发明专利]激光二极管条及其制造方法和波长光束耦合系统-CN202110262560.4在审
发明人：冈本贵敏;大野启 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：用于波长光束耦合系统的激光二极管条的制造方法包括：准备氮化物半导体基板(10)的工序，该氮化物半导体基板具有从(0001)面向m轴或a轴的至少一个轴被赋予了大于0°的偏离角的基板面；在氮化物半导体基板(10)上形成层叠构造体的工序，该层叠构造体包含第1导电型包层(21)、活性层(22)及第2导电型包层(23)；以氮化物半导体基板(10)具有的偏离角的主轴方向和发射极(13)的波导方向一致的方式，在层叠构造体形成呈条带状排列的多个发射极
激光二极管及其制造方法波长光束耦合系统

[发明专利]半导体压力传感器及其制造方法-CN201110274113.7有效
发明人：佐藤公敏 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2011-09-05 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：一种半导体压力传感器的制造方法，在牺牲层(16)上形成层叠构造，所述层叠构造包含：多晶硅隔膜(6)，形成于应成为其下方的真空室的空间(13)侧的多晶硅应变计电阻(4b)，内包它们并具有与牺牲层(16)相接的蚀刻液导入孔而且，使蚀刻液通过所述蚀刻液导入孔(15)并蚀刻牺牲层(16)，从而将层叠构造形成为在真空室上起作用的隔膜体(11)，并且通过蚀刻硅基板(1)中的第1绝缘膜(2)的第1开口(2a)下的表面，形成应成为真空室的空间
半导体压力传感器及其制造方法

[发明专利]多光束半导体激光元件及其制造方法-CN202211374511.0在审
发明人：奥村忠嗣;坂井繁太 -专利权人：优志旺电机株式会社
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：在端面发射型的多光束半导体激光元件(100)中，层叠构造(130)包含基板(110)、n型覆盖层(122)、发光层(124)、p型覆盖层(126)。就层叠构造(130)而言，基板(110)与n型覆盖层(122)合在一起的高度在沿第一方向邻接的m个(m≥2)区域中不同。在m个区域中的n个(2≤n≤m)区域，形成有沿与第一方向垂直的第二方向延伸的脊条构造的n个激光谐振器(140)。
光束半导体激光元件及其制造方法

[发明专利]燃料电池-CN201210148732.6有效
发明人：石田坚太郎;后藤修平;杉田成利;中村哲也 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2012-05-14 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01M8/02 文献下载
摘要：提供一种燃料电池，燃料电池(10)的单电池单元(12)具备第一电解质膜电极构造体(14)、第一金属隔板(16)、第二电解质膜电极构造体(18)及第二金属隔板(20)。第一及第二电解质膜电极构造体(14、18)在外周具有树脂框部件(28a、28b)，在所述树脂框部件(28a、28b)上设有多个各冷却介质连结流路(116)。单电池单元(12)的多个冷却介质连结流路(116)和与其在层叠方向上相邻的单电池单元(12a)的多个冷却介质连结流路(116a)被偏置配置于在层叠方向上互不重合的位置上。
燃料电池

[发明专利]非易失性存储装置的制造方法、非易失性存储元件、及非易失性存储装置-CN201180010408.1有效
发明人：巍志强;高木刚;饭岛光辉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-02-23 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：工艺较简单、能够制造具有稳定的存储性能的非易失性存储装置的制造方法包括：在基板（11）上交替地层叠含有过渡金属的多个导电层（13）和由绝缘材料构成的多个层间绝缘膜（17）而形成层叠构造体的工序；形成将上述层叠构造体贯通且使导电层
非易失性存储装置制造方法元件

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