|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 29个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]磁存储装置-CN202310159717.X在审
-
北川英二;李永珉
-
铠侠股份有限公司
-
2023-02-24
-
2023-09-26
-
H10N50/10
- 实施方式提供一种使外部磁场耐受性提高的磁存储装置。实施方式涉及的磁存储装置包括磁阻效应元件。磁阻效应元件包括第1铁磁性层、第2铁磁性层、层叠体、第1非磁性层、第2非磁性层以及第3非磁性层。层叠体相对于第2铁磁性层设置在与第1铁磁性层相反一侧。第1非磁性层设置在第1铁磁性层与第2铁磁性层之间。第2非磁性层设置在第2铁磁性层与层叠体之间。第3非磁性层相对于层叠体设置在与第2非磁性层相反一侧，包含金属氧化物。层叠体与第3非磁性层相接，包括包含铂即Pt的第4非磁性层。
- 存储装置
- [发明专利]存储装置-CN202211060325.X在审
-
五十岚太一;伊藤雄一;北川英二;矶田大河
-
铠侠股份有限公司
-
2022-08-31
-
2023-03-17
-
H10N50/10
- 实施方式提供能够使存储装置的特性提高的存储装置。实施方式的存储装置具备：第1布线，其在与基板的第1面垂直的第1方向上设置在所述基板的上方；第2布线，其设置在所述基板与所述第1布线之间；以及存储单元，其设置在所述第1布线与所述第2布线之间，包括在所述第1方向上排列的开关元件和磁阻效应元件。所述磁阻效应元件包括：第1电极；第2电极，其在所述第1方向上设置在所述第1电极的上方；非磁性层，其设置在所述第1电极与所述第2电极之间；第1磁性层，其设置在所述第1电极与所述非磁性层之间；第2磁性层，其设置在所述第2电极与所述非磁性层之间；以及第1层，其设置在所述第2电极与所述第2磁性层之间。所述第1层包含选自镁、过渡金属以及镧系元素中的至少一种和氧。所述第1层的所述第1方向上的第1尺寸为所述非磁性层的所述第1方向上的第2尺寸的1.1倍以上且2倍以下。
- 存储装置
- [发明专利]磁存储装置-CN202211042776.0在审
-
矶田大河;北川英二;李永珉;及川忠昭;泽田和也
-
铠侠股份有限公司
-
2022-08-29
-
2023-03-14
-
H10B61/00
- 实施方式提供磁存储装置。其包括第1铁磁性层、包含铁或钴的第1铁磁性氧化物层、第1铁磁性层与第1铁磁性氧化物层之间的金属层、第1铁磁性氧化物层上的第2铁磁性层、第2铁磁性层上的第2铁磁性氧化物层、第2铁磁性氧化物层上的第3铁磁性层、第3铁磁性层上的绝缘层及绝缘层上的第4铁磁性层。金属层使第1铁磁性层与第1铁磁性氧化物层反铁磁性耦合。第2铁磁性层包含铁和钴中的第1铁磁性氧化物层所含的一种及第1元素组中的一种元素。第2铁磁性氧化物层包含铁和钴中的第2铁磁性层所含的一种与第1元素的合金的氧化物。第1元素具有比铁或钴的标准电极电位及第1元素组中的第2铁磁性层所含的一种元素的标准电极电位低的标准电极电位。
- 存储装置
- [发明专利]磁存储装置-CN202210757254.2在审
-
及川忠昭;李永珉;北川英二;矶田大河
-
铠侠股份有限公司
-
2022-06-29
-
2023-03-03
-
H10N50/10
- 实施方式提供能够提高磁阻效应元件的转变消除层的垂直磁各向异性的磁存储装置。实施方式的磁存储装置具备：第1磁性层(11)，具有可变的磁化方向；第2磁性层(12)，具有固定了的磁化方向；非磁性层(13)，设置于第1磁性层与第2磁性层之间；第3磁性层(14)，设置于第1磁性层、第2磁性层及非磁性层的下层侧，具有相对于第2磁性层的磁化方向反平行的固定了的磁化方向，由钴(Co)及铂(Pt)的合金形成；及缓冲层(16)，设置于第3磁性层的下层侧，包含含有铼(Re)的第1层部分。
- 存储装置
- [发明专利]磁性存储装置-CN202110947732.1在审
-
北川英二;李永珉;及川忠昭;泽田和也;矶田大河
-
铠侠股份有限公司
-
2021-08-18
-
2022-03-18
-
H01L43/08
- 本发明的实施方式提供一种能够实现稳定的信息存储的磁性存储装置。本发明的实施方式的磁性存储装置具备积层结构，该积层结构包含：第1磁性层，具有可变的磁化方向；第2磁性层，具有固定的磁化方向；第3磁性层，具有相对于第2磁性层的磁化方向反平行的固定的磁化方向；第1非磁性层；第2非磁性层；以及第3非磁性层。第1非磁性层设置在第1磁性层与所述第2磁性层之间，第2磁性层设置在第1非磁性层与第3磁性层之间，第3磁性层设置在第2磁性层与第2非磁性层之间，第3非磁性层设置在第2磁性层与所述第3磁性层之间。第3磁性层含有钴(Co)及铂(Pt)，第2非磁性层含有钼(Mo)及钨(W)中的至少一者，且与所述第3磁性层直接连接。
- 磁性存储装置
- [发明专利]半导体存储装置以及存储系统-CN202010819103.6在审
-
相川尚德;北川英二
-
铠侠股份有限公司
-
2020-08-14
-
2021-09-14
-
G11C11/16
- 实施方式提供一种与有无不良存储单元无关而能够访问正常的存储单元的半导体存储装置以及存储系统。一实施方式的半导体存储装置具备：在第1布线和第2布线之间串联连接的第1存储单元以及第1开关元件、在第1布线和第3布线之间串联连接的第2存储单元以及第2开关元件、在第1布线和第4布线之间串联连接的第3存储单元以及第3开关元件、以及控制电路。控制电路构成为，在向第1布线施加第1电压、且向第2布线施加第2电压的向第1存储单元进行的第1动作中，在接受第1命令时，向第3布线以及第4布线施加第1电压和第2电压之间的第3电压，在接受第2命令时，在向第3布线施加第3电压的同时，向第4布线施加第1电压。
- 半导体存储装置以及存储系统
|
