专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电磁波屏蔽膜-CN202280018273.1在审
  • 高见晃司;上农宪治;渡边正博 - 拓自达电线株式会社
  • 2022-03-30 - 2023-10-20 - H05K9/00
  • 本发明的电磁波屏蔽膜的特征在于,由保护层、屏蔽层、粘接剂层构成,屏蔽层层叠于上述保护层,粘接剂层层叠于上述屏蔽层,在上述屏蔽层的上述粘接剂层侧形成有多个导电,从上述粘接剂层侧俯视上述屏蔽层时,上述导电以位于由一种多边形进行了平面填充的各多边形的顶点的方式配置,并且,上述导电配置为,在针对上述多个导电的各个导电,绘制连结各上述导电和位于最近的位置的最接近的导电的线段,并描画通过这些线段中的一个线段的直线时,上述直线具有不与其他的上述线段重叠的部分
  • 电磁波屏蔽
  • [发明专利]半导体装置-CN201580053494.2有效
  • 上田直人;大森弘治;吉田隆幸;本藤拓磨 - 松下知识产权经营株式会社
  • 2015-08-05 - 2019-10-01 - H01S5/024
  • 本公开所涉及的半导体装置具有:导电的第1电极导电的辅助基座、绝缘层、半导体元件、导电导电的第2电极。辅助基座被设置于第1电极的上表面的第1区域,电连接于第1电极被设置于与半导体元件的第1电极相反的一侧的第2电极的上表面,电连接于第2电极。此外,第2电极的下表面在第3区域,经由具有导电的金属层而电连接于。此外,在金属层与之间,设置具有导电的金属片。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201510094994.2在审
  • 田中润 - 株式会社东芝
  • 2015-03-03 - 2016-11-23 - H01L23/488
  • 本发明的实施方式的半导体装置抑制的接合不良。实施方式的半导体装置包括:第一衬底;多个第一导电垫,其设置在第一衬底上;第二衬底,其至少具有半导体衬底,且是以夹着第一导电垫而与第一衬底对向的方式设置;多个第二导电垫,其是以位于第一衬底与第二衬底之间的方式,设置在第二衬底上;绝缘接着层,其将第一衬底与第二衬底之间密封;以及多个,其将多个第一导电垫与多个第二导电垫电连接。多个至少包括:第一,其具有第一高度;以及第二,其设置在比起第一更靠近第二衬底的中心的位置,且具有高于第一高度的第二高度。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201710134843.4有效
  • 河崎一茂 - 东芝存储器株式会社
  • 2017-03-08 - 2019-11-15 - H01L23/488
  • 本发明是能抑制可靠的降低的半导体装置及其制造方法。半导体装置包含具备绝缘层的第1衬底、具备第4至第6导电焊垫的第2衬底、将第1、第4导电焊垫间电连接的第1、将第2、第5导电焊垫间电连接的第2、及将第3、第6导电焊垫间电连接的第3;所述绝缘层具有:第1开口部,使第1导电焊垫的至少一部分露出且第1导电焊垫的露出面积具有第1面积;第2开口部,使第2导电焊垫的至少一部分露出且第2导电焊垫的露出面积具有第2面积,所述第2面积是与第1面积不同的值;及第3开口部,使第3导电焊垫的至少一部分露出且第3导电焊垫的露出面积具有第3面积,所述第3面积是第1面积与第2面积之间的值。
  • 半导体装置制造方法
  • [实用新型]各向异性导电膜和连接结构体-CN201520042927.1有效
  • 森谷敏光;川上晋;有福征宏;市村刚幸;岩井慧子;渡边丰 - 日立化成株式会社
  • 2015-01-21 - 2015-10-07 - C09J9/02
  • 本实用新型提供一种各向异性导电膜和连接结构体。各向异性导电膜(11)中,导电粘接剂层(13)中导电粒子(P)的70%以上与相邻的其他导电粒子(P)分隔开。因此,电路构件(2)、(3)连接时相邻的导电粒子(P)、(P)之间的凝聚被抑制,能够良好地确保电极(6)、(6)之间和电路电极(8)、(8)之间的绝缘。另外,各向异性导电膜(11)中,导电粘接剂层(13)的厚度大于或等于导电粒子(P)的平均粒径的0.6倍且小于1.0倍。由此,压接时导电粒子(P)的流动被抑制,能够提高电极(6)与电路电极(8)之间的导电粒子(P)的捕捉效率,能够确保电路构件(2)、(3)的连接可靠
  • 各向异性导电性连接结构
  • [发明专利]发光二极管-CN201911399673.8在审
  • 金在权;许暋赞;金京完;金钟奎;金贤儿;李俊燮 - 首尔伟傲世有限公司
  • 2019-12-26 - 2020-08-07 - H01L33/46
  • 一种发光元件,其包括安装面以及发光二极管,发光二极管包括:基板;第一导电型半导体层;活性层;第二导电型半导体层,布置在活性层上;透明的导电氧化物层,与第二导电型半导体层电接通;介电层,覆盖导电氧化物层,并具有使得导电氧化物层暴露的多个开口部;金属反射层,布置在介电层上,并通过介电层的开口部与导电氧化物层接通;上绝缘层,布置在第二导电型半导体层上,并具有用于允许电接通的开口部;以及第一焊锡及第二焊锡,布置在上绝缘层上,并分别通过上绝缘层的开口部与第一导电型半导体层以及第二导电型半导体层电接通,第一焊锡以及第二焊锡分别具有10um至100um范围内的厚度。
  • 发光二极管
  • [发明专利]半导体装置-CN201010167397.5无效
  • 陈建宾;林久顺 - 奇景光电股份有限公司
  • 2010-04-20 - 2010-10-20 - H01L23/485
  • 本发明公开了一种半导体装置,包含有半导体芯片、多个以及至少一导电组件。该半导体芯片包含有内建电子电路的有源区以及多个连接垫。该多个设置于该半导体芯片上,其中至少一的位置不与该多个连接垫中其中一特定连接垫在该半导体芯片上的位置重叠。该导电组件连接该至少一的顶面以及该特定连接垫。
  • 半导体装置

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