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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]发光二极管阵列-CN201811346014.3有效
  • 张锺敏;蔡钟炫;李俊燮;徐大雄;金贤儿;卢元英;姜珉佑 - 首尔伟傲世有限公司
  • 2013-08-06 - 2023-10-27 - H01L27/15
  • 本发明涉及一种晶圆级发光二极管(LED)阵列。根据一个实施例的LED阵列包括：生长基板；多个LED，布置在基板上，每个LED具有第一半导体层、有源层和第二半导体层；多个上电极，布置在所述多个LED上，由相同的材料形成，并且分别电连接到相应的LED的第一半导体层；第一焊盘和第二焊盘，布置在上电极上。一个或多个上电极电连接到相邻的LED的第二半导体层，其中，上电极中的其它上电极与相邻的LED的第二半导体层绝缘，LED通过上电极串联连接，第一焊盘电连接到串联连接的LED之中的输入LED，第二焊盘电连接到串联连接的LED之中的输出LED。因此，可提供可用高电压驱动的倒装芯片型LED。
  • 发光二极管阵列
  • [发明专利]发光二极管阵列-CN202010064109.7有效
  • 张锺敏;蔡钟炫;李俊燮;徐大雄;金贤儿;卢元英;姜珉佑 - 首尔伟傲世有限公司
  • 2013-08-06 - 2023-08-22 - H01L33/38
  • 本发明涉及一种发光二极管阵列，包括：第一发光二极管和第二发光二极管，分别包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层；第一上电极，形成在第一发光二极管的第二半导体层上，与第一发光二极管的第二半导体层绝缘；以及第二上电极，形成在第二发光二极管的第二半导体层上，与第二发光二极管的第二半导体层绝缘，其中，第一上电极具有从第一发光二极管侧向第二发光二极管侧突出的突出部，突出部延伸到第二发光二极管上部而与第二发光二极管的第二半导体层电连接，第二上电极具有收容第一上电极的突出部的槽部，第二上电极在彼此相隔的至少两个接触区域与第二发光二极管的第一半导体层接触，第一上电极的突出部向接触区域之间突出。
  • 发光二极管阵列
  • [发明专利]发光二极管芯片-CN201880005643.1有效
  • 吴世熙;金在权;金钟奎;金贤儿;李俊燮 - 首尔伟傲世有限公司
  • 2018-09-14 - 2023-07-07 - H01L33/10
  • 本发明提供一种改善了光提取效率的发光二极管芯片。根据一实施例的发光二极管芯片包括：基板；第一导电型半导体层，位于基板上；台面，包含活性层及第二导电型半导体层，以沿第一导电型半导体层的边缘部位使第一导电型半导体层的上表面暴露的方式位于第一导电型半导体层的一部分区域上；(多个)侧面覆盖层，覆盖台面的侧面；以及反射结构物，与(多个)侧面覆盖层隔开而位于暴露的所述第一导电型半导体层上。
  • 发光二极管芯片
  • [发明专利]发光元件-CN201910953376.7有效
  • 金钟奎;李素拉;尹馀镇;金在权;李俊燮;姜珉佑;吴世熙;金贤儿;林亨镇 - 首尔伟傲世有限公司
  • 2016-02-04 - 2023-06-30 - H01L27/15
  • 本发明涉及一种发光元件。所述发光元件，包括：第一发光单元；第二发光单元，布置为与所述第一发光单元共面并且电串联连接到所述第一发光单元；以及电极连接，将所述第一发光单元电连接到所述第二发光单元，其中，所述电极连接包括：第一电极连接，布置在所述第一发光单元上；第二电极连接，布置在所述第二发光单元上；以及中间连接，介于所述第一发光单元与所述第二发光单元之间，其中，所述第二电极连接包括从所述中间连接延伸的边缘部以及从所述边缘部分支的多个分支。
  • 发光元件
  • [发明专利]发光二极管-CN201910834913.6有效
  • 蔡钟炫;李俊燮;卢元英;姜珉佑;张锺敏;金贤儿;徐大雄 - 首尔伟傲世有限公司
  • 2013-10-22 - 2023-01-03 - H01L33/20
  • 本发明提供一种发光二极管。所述发光二极管包含：透明衬底，具有第一表面、第二表面以及侧表面；第一导电型半导体层，位于所述透明衬底的所述第一表面上；第二导电型半导体层，位于所述第一导电型半导体层上；作用层，位于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间；第一衬垫，电连接到所述第一导电型半导体层；以及第二衬垫，电连接到所述第二导电型半导体层。此外，由所述作用层产生的光通过所述透明衬底的所述第二表面发射到所述透明衬底外部，并且所述发光二极管在至少一个轴向方向上具有至少140度的光束角。因此，可以提供一种适合于背光单元或表面照明设备的发光二极管。
  • 发光二极管
  • [发明专利]高可靠性发光二极管-CN202210050533.5在审
  • 吴世熙;金贤儿;李俊燮;姜珉佑;林亨镇 - 首尔伟傲世有限公司
  • 2017-10-11 - 2022-04-22 - H01L33/64
  • 提供一种高可靠性发光二极管。发光二极管，包括：第一导电型半导体层；台面，布置在第一导电型半导体层上，并且包括第二导电型半导体层以及布置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层；欧姆反射层，布置在台面上而与第二导电型半导体层欧姆接触；下部绝缘层，覆盖台面以及欧姆反射层，并且局部地暴露第一导电型半导体层以及欧姆反射层；第一焊盘金属层，布置在下部绝缘层上，并且与第一导电型半导体层电连接；金属反射层，布置在下部绝缘层上，并且与第一焊盘金属层在水平方向上相隔；以及上部绝缘层，覆盖第一焊盘金属层以及金属反射层，并且具有暴露第一焊盘金属层的开口部，金属反射层的至少一部分覆盖台面的侧表面。
  • 可靠性发光二极管
  • [发明专利]高可靠性发光二极管-CN202210050788.1在审
  • 吴世熙;金贤儿;李俊燮;姜珉佑;林亨镇 - 首尔伟傲世有限公司
  • 2017-10-11 - 2022-04-22 - H01L33/44
  • 提供一种高可靠性发光二极管。发光二极管，包括：第一导电型半导体层；台面，布置在第一导电型半导体层上，并且包括第二导电型半导体层以及布置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层；欧姆反射层，布置在台面上而与第二导电型半导体层欧姆接触；下部绝缘层，覆盖台面以及欧姆反射层，并且局部地暴露第一导电型半导体层以及欧姆反射层；第一焊盘金属层，布置在下部绝缘层上，并且与第一导电型半导体层电连接；金属反射层，布置在下部绝缘层上，并且与第一焊盘金属层在水平方向上相隔；以及上部绝缘层，覆盖第一焊盘金属层以及金属反射层，并且具有暴露第一焊盘金属层的开口部，金属反射层的至少一部分覆盖台面的侧表面。
  • 可靠性发光二极管
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