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[发明专利]银烧结接合用镀覆方法、银烧结接合用镀膜、功率模块用基板、半导体元件和半导体装置-CN202211402103.1在审
发明人：大久保洋树;小田幸典;村山敬祐;佐藤雅亮 -专利权人：上村工业株式会社
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C23C18/32 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种能够低价地确保镍镀膜与银镀膜的密合性且具有良好的耐热性的用于银烧结接合的镀覆方法、用于银烧结接合的镀膜、具备该镀膜的功率模块用基板、具备该镀膜的半导体元件及具备该功率模块用基板的半导体装置。本发明提供一种用于银烧结接合的镀覆方法，其包括以下工序：阻挡层形成工序，其在被镀覆面的上侧形成化学镍镀膜；中间层形成工序，其在化学镍镀膜的上侧形成化学银底镀膜；最表层形成工序，其在被镀覆面的最表层形成化学银镀膜。
烧结接合镀覆方法镀膜功率模块用基板半导体元件装置

[发明专利]半导体装置-CN201780055573.6有效
发明人：岩重朝仁;杉浦和彦;三轮和弘;佐久间裕一;黑坂成吾;小田幸典 -专利权人：株式会社电装;上村工业株式会社
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：半导体装置(1)具备：半导体元件(2)；支承体(3)，是在最表面(35)具有金属化层(34)的金属部件，且配置为所述最表面与所述半导体元件相对置，所述金属化层(34)含有铁族元素即第一成分和铬以外的周期表第5族或第6族过渡金属元素即第二成分；接合件(4)，配置在所述支承体的所述最表面与所述半导体元件之间，并设置为通过与所述最表面接合而将所述半导体元件固定于所述支承体；模塑树脂(6)，设置为将所述支承体和所述接合件和所述半导体元件的接合体(S)覆盖。
半导体装置

[发明专利]无电解镀覆废液的处理方法及无电解镀覆废液的处理系统-CN202210404730.2在审
发明人：佐藤雅亮;小田幸典 -专利权人：上村工业株式会社
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C02F9/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种无电解镀覆废液的处理方法及无电解镀覆废液的处理系统。无电解镀覆废液至少含有金属离子、氨、还原剂、还原剂废物及络合剂，无电解镀覆废液的处理方法包括：电解无电解镀覆废液而去除金属离子的电解处理工序；使进行了电解处理工序的无电解镀覆废液中的氨挥发而去除氨的氨挥发工序；氧化进行了氨挥发工序的无电解镀覆废液，分解还原剂、还原剂废物及络合剂的紫外线·臭氧处理工序；以及通过向进行了紫外线·臭氧处理工序的无电解镀覆废液中添加钙化合物，使磷酸盐沉淀而去除磷酸盐的磷酸盐去除工序。
电解镀覆废液处理方法系统

[发明专利]化学镀Co-W镀膜和化学镀Co-W镀液-CN202210555723.2在审
发明人：井口昭司;板村旭朗;福井翔一;小田幸典;佐藤雅亮;伊井义人;大久保洋树 -专利权人：上村工业株式会社
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C23C18/50 文献下载
摘要：本发明提供一种新的化学镀镀膜以及适合该化学镀镀膜的化学镀镀液。本发明提供的化学镀Co‑W镀膜中的W含量为35～58质量％，且所述化学镀Co‑W镀膜的膜厚为0.05μm以上。本发明的化学镀镀膜能够防止熔融焊料扩散到构成导体的金属材料中。
化学 co 镀膜镀液

[发明专利]化学镀铜浴-CN202080003242.X有效
发明人：高田英明;中山智晴;山本久光;小田幸典 -专利权人：上村工业株式会社
申请日： 2020-02-13 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C23C18/40 文献下载
摘要：化学镀铜浴为含有肼化合物作为还原剂、不含甲醛、pH值为5～10的化学镀铜浴，该化学镀铜浴至少含有胺类络合剂或胺化合物、与氨基羧酸类络合剂。
化学镀铜

[发明专利]金属图案外析出防止处理剂和使用了该处理剂的印刷电路板及封装件的制备方法-CN201610131098.3有效
发明人：田边克久;北岛晃太;染矢立志;小田幸典;能津雅浩 -专利权人：上村工业株式会社
申请日： 2016-03-08 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： C23F1/40 文献下载
摘要：本发明提供一种金属图案外析出防止处理剂和使用了该处理剂的印刷电路板及封装件的制备方法，本发明的金属图案外析出防止处理剂的特征在于，该处理剂含有过氧化氢和选自醛糖、醛糖酸、醛糖二酸及其盐、其内酯体中的一种以上的化合物，且该金属图案外析出防止处理剂的pH值为7.1以上。本发明的化学镀图案外析出防止处理剂以使用直接导致Pd残渣失活的过氧化氢为前提，抑制处理剂随时间劣化，具体而言，在抑制碱性条件下的过氧化氢的消耗的同时，抑制基底金属的溶解，能够除去引起化学镀的图案外析出的Pd残渣。
金属图案析出防止处理使用印刷电路板封装制备方法

[发明专利]无氰化学镀金浴及化学镀金方法-CN201610584745.6有效
发明人：柴田利明;田中小百合;小田幸典 -专利权人：上村工业株式会社
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： C23C18/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种能够在ENIG工序和ENEPIG工序两者的镀金形成中使用的镀金浴。本发明的无氰化学镀金浴为含有水溶性金盐、还原剂和络合剂，不含有氰的化学镀金浴，其特征在于，所述还原剂含有甲酸或其盐，以及肼类。
氰化镀金化学方法

[发明专利]化学镀浴-CN201911199413.6在审
发明人：前川拓摩;柴田利明;小田幸典 -专利权人：上村工业株式会社
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： C23C18/44 文献下载
摘要：本发明提供即使在镀浴中不含有氯化物等卤化物也具有镀膜性优异的特性的化学镀浴。本发明的无卤素的化学镀浴，其为含有水溶性铂化合物或水溶性钯化合物、和还原剂的化学镀浴，所述水溶性铂化合物为四氨合铂(II)络盐，但是，除去所述四氨合铂(II)络盐的卤化物，所述水溶性钯化合物为四氨合钯(II)络盐，但是，除去所述四氨合钯(II)络盐的卤化物和硫酸四氨钯(II)，所述还原剂为甲酸或其盐，所述化学镀浴作为添加剂不含有卤化物。
化学

[发明专利]导电性凸块及化学镀Pt浴-CN201910634802.0在审
发明人：前川拓摩;小田幸典;柴田利明;伊井义人;神崎翔 -专利权人：上村工业株式会社
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供了可以防止凸块的基底导电层中使用的金属扩散至Au层表面或Ag层表面的凸块。本发明的导电性凸块为在基体上形成的导电性凸块，其中，所述凸块从基体侧依次至少具有基底导电层、Pd层、与所述Pd层直接接触的Pt层、以及Au层或者Ag层，所述凸块的直径为20μm以下。
凸块导电性凸块基底导电层金属扩散

[发明专利]化学镀镍浴以及用该化学镀镍浴进行的化学镀法-CN201610149809.X有效
发明人：野村胜矩;小田幸典;稻川扩;柴田利明 -专利权人：上村工业株式会社
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： C23C18/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学镀镍浴，该化学镀镍浴在底层上有凹凸等的情况下也能够形成均匀且有光泽的镀镍膜。所述化学镀镍浴含有水溶性镍盐、由含有作为侧链的脲基的聚合物形成的光泽剂、一硫化物类添加剂以及铅离子。
化学镀镍浴以及进行

[发明专利]耐热用功率模块基板、耐热用镀覆膜和镀液-CN201811321184.6在审
发明人：黑坂成吾;小田幸典 -专利权人：上村工业株式会社
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供：即使进行高温侧200℃以上的TCT也防止覆膜中产生裂纹的耐热用功率模块基板、耐热用镀覆膜和镀液。一种耐热用功率模块基板，其特征在于，其为用于搭载产生最高到300℃的高热的功率半导体的耐热用功率模块基板，所述功率模块基板至少具备：基材，其由氧化铝、氮化铝或氮化硅形成；电路，其直接形成于前述基材上或借助钎料形成于前述基材上，且由铜或铝形成；和，镀覆膜，其形成于前述电路表面，前述镀覆膜为化学镀镍‑磷‑钼覆膜，前述镀覆膜中的磷的含有率为10.5～13重量％。
耐热功率模块镀覆基板基材镀液覆膜功率半导体电路表面化学镀镍直接形成氮化硅氮化铝铝形成氧化铝高热钎料电路

[发明专利]无电镀钯浴和无电镀钯方法-CN201410049533.9有效
发明人：村角明彦;黑坂成吾;稻川扩;小田幸典 -专利权人：上村工业株式会社
申请日： 2006-09-22 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： C23C18/44 文献下载
摘要：本发明公开了包含钯化合物、至少一种选自氨和胺化合物的络合剂、至少一种选自次膦酸和亚膦酸盐的还原剂、和至少一种选自不饱和羧酸、不饱和羧酸酐、不饱和羧酸盐和不饱和羧酸衍生物的不饱和羧酸化合物的无电镀钯浴。这种无电镀钯浴具有高的浴稳定性，并且几乎不会发生浴分解。因此，本发明的无电镀钯浴比传统的无电镀钯浴具有较长的浴寿命。此外，这种无电镀钯浴能够获得优异焊接结合性能和引线接合性能，因为即使当它使用了很长时间，它也不影响镀层的性能。
电镀方法

[发明专利]化学镀金方法及电子部件-CN200810190830.X有效
发明人：黑坂成吾;小田幸典;冈田亨;大久保阿弓;木曾雅之 -专利权人：上村工业株式会社
申请日： 2008-04-16 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： C23C18/44 文献下载
摘要：本发明涉及化学镀金方法及电子部件。所述方法通过使用含有水溶性金化合物、络合剂、甲醛和/或甲醛亚硫酸氢盐加成化合物、用通式R₁-NH-C₂H₄-NH-R₂或R₃-(CH₂-NH-C₂H₄-NH-CH₂)_n-R₄表示的胺化合物的化学镀金浴的化学镀金，形成由化学镀镍膜、化学镀钯膜和化学镀金膜形成的镀敷膜叠层体的化学镀盒膜的一部分或全部。本发明的方法不需要准备快速镀金浴和加厚镀金浴二种浴液，只用一种镀金浴就能形成适合于焊料接合或引线接合的各种膜厚的镀金膜，由于能以一种镀浴，用一个工序就能高效地形成膜厚0.15μm以上的化学镀盒膜，所以工序能简单化，对成本有利。
化学镀金方法电子部件

[发明专利]无电镀钯浴和无电镀钯方法-CN200680035637.8无效
发明人：村角明彦;黑坂成吾;稻川扩;小田幸典 -专利权人：上村工业株式会社
申请日： 2006-09-22 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： C23C18/44 文献下载
摘要：本发明公开了包含钯化合物、至少一种选自氨和胺化合物的络合剂、至少一种选自次膦酸和亚膦酸盐的还原剂、和至少一种选自不饱和羧酸、不饱和羧酸酐、不饱和羧酸盐和不饱和羧酸衍生物的不饱和羧酸化合物的无电镀钯浴。这种无电镀钯浴具有高的浴稳定性，并且几乎不会发生浴分解。因此，本发明的无电镀钯浴比传统的无电镀钯浴具有较长的浴寿命。此外，这种无电镀钯浴能够获得优异焊接结合性能和引线接合性能，因为即使当它使用了很长时间，它也不影响镀层的性能。
电镀方法

[发明专利]无电镀金浴、无电镀金方法及电子部件-CN200710307630.3有效
发明人：木曾雅之;小田幸典;黑坂成吾;上玉利徹;西条义司;田边克久 -专利权人：上村工业株式会社
申请日： 2007-12-06 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： C23C18/42 文献下载
摘要：一种含有水溶性金化合物、络合剂、甲醛焦亚硫酸盐加合物、和一种由R₁－NH－C₂H₄－NH－R₂或R₃－(CH₂－NH－C₂H₄－NH－CH₂)_n－R₄所表征的胺类化合物的无电镀金浴(其中R₁至R₄代表－OH、－CH₃、－CH₂OH、－C₂H₄OH、－CH₂N(CH₃)₂、－CH₂NH(CH₂OH)、－CH₂NH(C₂H₄OH)、－C₂H₄NH(CH₂OH)、－C₂H₄NH(C₂H₄OH)、－CH₂N(CH₂OH)₂、－CH₂N(C₂H₄OH)₂、－C₂H₄N(CH₂OH)₂或者－C₂H₄N(C₂H₄OH)₂，且n是一个1到4的整数)。可形成外观良好的金镀层，而不会由于镍表面晶间腐蚀的进行而导致外观不良。
镀金方法电子部件

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