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[发明专利]电连接器组件及电连接器-CN201610474525.8在审
发明人：游万益;郑义宏;常远 -专利权人：凡甲电子（苏州）有限公司;凡甲科技股份有限公司
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01R4/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种电连接器组件及一种电连接器，所述电连接器组件包括第一电连接器及与第一电连接器电性连接的第二电连接器，所述第一电连接器设有第一导体以及与第一导体接触的第二导体，所述第二电连接器设有第三导体，所述第二导体分别与所述第一导体、所述第三导体滚动接触以达成所述第一导体与第三导体的电性连接。
连接器组件

[实用新型]电连接器组件及电连接器-CN201620642743.3有效
发明人： -专利权人：
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01R4/58 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种电连接器组件及一种电连接器，所述电连接器组件包括第一电连接器及与第一电连接器电性连接的第二电连接器，所述第一电连接器设有第一导体以及与第一导体接触的第二导体，所述第二电连接器设有第三导体，所述第二导体分别与所述第一导体、所述第三导体滚动接触以达成所述第一导体与第三导体的电性连接。
连接器组件

[发明专利]半导体晶圆电沉积方法及半导体晶圆电沉积装置-CN201611104605.0在审
发明人：金鑫 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2016-12-05 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体晶圆电沉积方法及半导体晶圆电沉积装置，属于半导体晶圆电沉积领域，为解决现有技术电沉积层均匀性差等问题而设计。本发明半导体晶圆电沉积方法是阳极仅针对待电沉积半导体晶圆的中部进行电沉积，以避免电场线在所述待电沉积半导体晶圆的边缘处集中并产生边缘效应。本发明半导体晶圆电沉积装置包括夹具、挡板、以及阳极，待电沉积半导体晶圆与挡板之间留有间隔；在挡板上开设有挡板通孔，挡板通孔的位置对应于待电沉积半导体晶圆且挡板通孔的面积小于待电沉积半导体晶圆的面积。本发明半导体晶圆电沉积方法及半导体晶圆电沉积装置消除电沉积边缘效应，提高电沉积均匀性。
半导体晶圆电沉积电沉积装置挡板通孔挡板阳极边缘效应夹具电沉积层均匀性差边缘处电场线均匀性

[发明专利]半导体装置-CN202011187508.9在审
发明人：林志昌;苏焕杰;江国诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置。半导体装置包括半导体鳍状物、多个半导体纳米结构、栅极结构、介电鳍状物、介电结构及介电层。半导体鳍状物自半导体基板垂直凸起。多个半导体纳米结构直接位于半导体鳍状物上。栅极位于半导体鳍状物上并围绕半导体纳米结构。介电鳍状物位于基板上。介电结构位于介电鳍状物上。介电结构的上表面高于栅极的上表面。介电层位于基板上。介电鳍状物横向分开栅极与介电层，并横向分开半导体纳米结构与介电层。介电层的上表面高于栅极结构的上表面与介电结构的上表面。介电层的下表面低于介电鳍状物的上表面。
半导体装置

[发明专利]一种半导体器件电连接结构及其制造方法-CN201710377940.6有效
发明人：周志健;朱二辉;陈磊;杨力建;于洋;邝国华 -专利权人：广东合微集成电路技术有限公司
申请日： 2017-05-24 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件电连接结构及其制造方法。所述的半导体器件电连接结构由顶层半导体材料、绝缘层和衬底半导体材料构成；绝缘层位于顶层半导体材料和衬底半导体材料之间；顶层半导体材料和衬底半导体材料为反相掺杂；在顶层半导体材料上设有掺杂区；通过掺杂区设有与衬底半导体材料连通的电连接孔；电连接孔内设有电连接层；衬底半导体材料上设有电隔离沟槽；被电隔离沟槽包围的衬底半导体材料与电连接层相连；衬底半导体材料上设电绝缘层；电绝缘层上设有电接触孔；电接触孔内形成有金属引脚。本发明解决了芯片后续三维(3D)封装的成本及工艺复杂度高、电连接结构制作工艺先后顺序灵活性差或成本高的问题；可用基于绝缘衬底上的硅(SOI)晶圆制作该电连接结构。
一种半导体器件连接结构及其制造方法

[发明专利]半导体装置与其制造方法-CN201911336173.X在审
发明人：邱楹翔;陈旷举;萧鹏展;刘汉英 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置。半导体装置包含一基板。半导体装置也包含一半导体层，半导体层设置于基板内。半导体装置还包含一第一介电层，第一介电层设置于半导体层上。半导体装置包含一第二介电层，第二介电层设置于第一介电层上。半导体装置也包含一对热电堆，热电堆设置于第二介电层上。第一介电层与第二介电层形成一腔室。
半导体装置与其制造方法

[发明专利]半导体器件、切断电熔丝的方法以及确定电熔丝状态的方法-CN200710106567.7无效
发明人：上田岳洋 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2007-06-06 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：半导体衬底和电熔丝，电熔丝形成在半导体衬底上并包括第一导体和与第一导体电分离的第二导体。在切断处理之后的电熔丝状态下，第一导体被切断并分成与第二导体电分离的第一部分和包括流动区域的第二部分，构成第一导体的材料从该流动区域向外流出并电连接到第二导体。
半导体器件切断电熔丝方法以及确定丝状

[发明专利]半导体装置-CN202110284822.7在审
发明人：沈香谷;陈殿豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体装置。半导体装置包括接点结构、第一钝化层、底导体板层、第二介电层、中间导体板层、第三介电层、顶导体板层及第二钝化层。接点结构位于第一介电层中；第一钝化层位于接点结构上；底导体板层位于第一钝化层上，且底导体板层包括多个第一子层；第二介电层位于底导体板层上；中间导体板层位于第二介电层上，且中间导体板层包括多个第二子层；第三介电层位于中间导体板层上；顶导体板层位于第三介电层上，且顶导体板层包括多个第三子层；第二钝化层位于顶导体板层上。
半导体装置

[发明专利]半导体结构-CN202011319569.6在审
发明人：余振华;余俊辉;洪政男;余国宠;林柏帆 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种半导体结构，所述半导体结构包括第一半导体管芯及第二半导体管芯。第一半导体管芯包括第一结合结构。第一结合结构包括第一介电层及嵌置在第一介电层中的第一导体。第二半导体管芯包括第二结合结构。第二结合结构包括第二介电层及嵌置在第二介电层中的第二导体。第一介电层与第二介电层接触，且第一导体与第二导体接触。第一介电层及第二介电层的导热系数大于二氧化硅的导热系数。
半导体结构

[发明专利]一种热电直流变压器-CN201410841036.2在审
发明人：叶磊 -专利权人：厦门兰智科技有限公司
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H01L35/28 文献下载
摘要：本发明公开一种热电直流变压器，包括初级回路及次级回路；初级回路包括发热半导体电臂，发热半导体电臂设置至少一段故意非均匀掺杂段，形成不均匀的半导体属性分布，发热半导体电臂与电源连接产生热量；次级回路包括吸热发电半导体电臂，吸热发电半导体电臂设置至少一段故意非均匀掺杂段，形成不均匀的半导体属性分布，吸热发电半导体电臂与发热半导体电臂绝缘导热连接，吸热发电半导体电臂的故意非均匀掺杂段吸热转换为电能并输出。本发明基于非均匀掺杂半导体的热电转换实现变压输出，其结构简单，且热电转换效率较高。
一种热电直流变压器

[发明专利]半导体装置封装-CN202011558222.7在审
发明人：周庭旸 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：半导体装置封装包含封装层中的半导体装置、用于将所述半导体装置电连接至外部装置的电导体，以及用于所述半导体装置与所述电导体之间的电连接的再分布结构。所述再分布结构包含在所述封装层与所述电导体之间延伸的方向上彼此堆叠的介电层，其中最邻近所述电导体的所述介电层包含在所述电导体之下的第一图案；以及电路层，其各自对应于所述介电层中的一个相应的介电层。所述半导体装置封装进一步包含导电区域，其根据所述第一图案设置在最邻近所述电导体的所述介电层中；以及第一介电区域，其根据所述第一图案设置在所述电导体之下的最邻近所述电导体的所述介电层中，并且被所述导电区域包围
半导体装置封装

[发明专利]半导体元件及其形成方法-CN202310067734.0在审
发明人：高琬贻;林洪正;张哲豪;卢永诚;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体元件及其形成方法，形成半导体元件的方法包含沉积第一介电层于第一半导体鳍和第二半导体鳍的多个侧壁上方并沿着多个侧壁，其中第一半导体鳍和第二半导体鳍从半导体基板向上延伸，沉积第二介电层于第一介电层上方，沉积第三介电层于第二介电层上方，其中第二介电层的材料不同于第三介电层的材料，且第一介电层的材料不同于第二介电层的材料，以及凹陷第一介电层和第二介电层以暴露出第一半导体鳍和第二半导体鳍的多个侧壁，并形成虚设鳍于第一半导体鳍和第二半导体鳍之间
半导体元件及其形成方法

[发明专利]避雷器-CN200910000373.8有效
发明人：绵引聪史;松井崇 -专利权人：日本AE帕瓦株式会社
申请日： 2009-01-07 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： H01C7/12 文献下载
摘要：在密闭的容器里配置复数个由非线性电阻构成的元件柱，各元件柱位于加电侧板状导体和接地侧板状导体之间电并联后构成避雷器时，在加电侧板状导体(5)和接地侧板状导体(6)之间，设置有多层与加电侧板状导体(5)通过垫圈状层间连接导体(22a、22b)电连接且从接地侧数奇数的中间板状导体(15a)、及与接地侧板状导体(6)通过垫圈状层间连接导体(11a、11b)电连接且从接地侧数偶数的中间板状导体(15b)。在接地侧板状导体(6)和各中间板状导体及前述加电侧板状导体间的各层，分别配置复数个元件柱(18a～21a、18b～21b...)。加电侧板状导体(5)和从接地侧数奇数的中间板状导体(15a)之间、及前述接地侧板状导体(6)和从接地侧数偶数的中间板状导体(15b)之间通过位于各中间板状导体所形成的非接触部的层间连接导体(11a、11b)电连接。
避雷器

[发明专利]微波电浆发生装置及其操作方法-CN201380032280.8有效
发明人： J·迈;H·施勒姆 -专利权人：梅耶博格（德国）股份公司
申请日： 2013-04-16 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有电浆室的微波电浆发生装置。在所述电浆室外部设有至少一个微波发生装置，并且所述微波发生装置的微波被至少一个微波接入装置接入到所述电浆室中。所述微波接入装置具有穿过所述电浆室的至少一个室壁而伸入所述电浆室中的内导体、包围所述内导体并且将所述内导体与所述电浆室的内腔间隔开的绝缘管、和至少一个穿过所述至少一个室壁而伸入所述电浆室中的外导体，所述外导体与所述内导体同轴地布置但并不包围所述内导体的整个圆周所述外导体在所述电浆室中具有至少一个外导体末端。所述内导体与所述外导体形成微波导线，其中在所述电浆室中，微波可以从所述微波导线中外泄出，以便在所述电浆室的内腔中产生微波电浆。根据本发明，在所述电浆室的内腔中设有至少一个与所述内导体同轴布置且与所述室壁电绝缘的电浆电极，该电浆电极可被施加有直流电压、低频电压或高频电压，所述微波电浆可与该电浆电极电接触，使得所述微波电浆可以至少部分地承担所述外导体的作用本发明还涉及一种操作该微波电浆发生装置的方法。
微波发生装置及其操作方法

[发明专利]引线框架和集成电路连接布置-CN201880012873.0在审
发明人： S.L.涂;M.A.斯图伯;B.塔斯巴斯;S.B.莫林;R.蒋 -专利权人：斯兰纳亚洲有限公司
申请日： 2018-02-14 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：一种半导体封装包括：引线框架，所述引线框架具有周边封装引线和电连接器；单个半导体管芯，所述单个半导体管芯具有后侧电触点和前侧电触点；导电夹(“夹”)；以及顶部半导体管芯，所述顶部半导体管芯具有前侧和后侧所述单个半导体管芯包括两个或更多个晶体管。所述半导体管芯的所述前侧电触点中的两者或更多者电耦合并被物理安装到所述引线框架的相应的电触点。所述夹的电接触表面电耦合并被物理安装到所述引线框架的电连接器。所述夹的另一电接触表面被物理安装并电耦合到所述半导体管芯的所述后侧电触点。所述顶部半导体管芯的所述后侧被物理安装到所述导电夹的另一表面。
半导体管芯引线框架电触点电接触表面电连接器导电夹电耦集成电路连接半导体封装周边封装电耦合合并晶体管

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