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专利名称

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公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]元件结构-CN202310327670.3在审
发明人：萧远洋;沈香谷;涂文琼;萧琮介;黄镇球;陈殿豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本公开一种元件结构。元件结构包含金属‑绝缘体‑金属(Metal‑insulator‑metal；MIM)堆叠。MIM堆叠包含至少一下导体板层、一设置于下导体板层之上的第一绝缘层、一设置于第一绝缘层之上的第一导体板层、一设置于第一导体板层之上的第二绝缘层，以及一设置在第二绝缘层之上的第二导体板层。该元件结构进一步包含一接地导孔和一第一导孔，接地导孔延伸穿过并电性耦接至第一导体板层中的第一接地板，而第一导孔延伸穿过并电性耦接至第二导体板层中的高电压板。第一接地板与高电压板垂直交叠，且第二绝缘层不同于第一绝缘层。
元件结构

[发明专利]半导体器件结构-CN202210900710.4在审
发明人：涂文琼;沈香谷;萧远洋;萧琮介;黄镇球;陈殿豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：根据本发明的半导体器件结构包括金属‑绝缘体‑金属(MIM)堆叠件，该MIM堆叠件包括与多个绝缘体层交错的多个导体板层。MIM堆叠件包括第一区域和第二区域，并且第一区域和第二区域在第三区域中重叠。MIM堆叠件还包括：第一通孔，穿过第一区域并且电耦接至多个导体板层的第一子集；第二通孔，穿过第二区域并且电耦接至多个导体板层的第二子集；以及接地通孔，穿过第三区域并且电耦接至多个导体板层的第三子集。多个导体板层的第三子集的至少一个与多个导体板层的第一子集的至少一个和多个导体板层的第二子集的至少一个垂直地重叠。
半导体器件结构

[发明专利]半导体器件结构-CN202210524236.X在审
发明人：萧琮介;沈香谷;萧远洋;黄镇球;陈殿豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：根据本公开的半导体器件结构包括钝化层、设置在钝化层上的第一导体板层、设置在第一导体层上的第二导体板层、设置在第二导体层上的第三导体板层以及设置在第三导体层上的第四导体板层。第二导体板层包围第一导体板层，第四导体板层包围第三导体板层。该器件结构在用于后段制程无源器件时，减少因角部放电效应引起的泄漏和击穿。
半导体器件结构

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210557085.8在审
发明人：刘国安;涂文琼;萧远洋;林启德;黄镇球;吴志强;陈殿豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了形成半导体结构的方法和半导体结构。根据本发明的半导体结构包括多个晶体管、电耦接至多个晶体管的互连结构、设置在互连结构上方并且与多个晶体管电隔离的金属部件、设置在金属部件上方的绝缘层以及设置在绝缘层上方的第一再分布部件和第二再分布部件。第一再分布部件和第二再分布部件之间的间隔设置在金属部件的至少部分正上方。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]金属-绝缘层-金属电容结构-CN201810211593.4有效
发明人：黄致凡;白志阳;萧远洋;萧琮介;陈蕙祺;陈殿豪;陈燕铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：提供金属‑绝缘层‑金属电容结构与其形成方法。金属‑绝缘层‑金属电容结构包括基板、底电极层、第一介电层、顶电极层、与第一介电间隔物。底电极层位于基板上。第一介电层位于底电极层上。顶电极层位于第一介电层上。第一介电间隔物位于底电极层其两侧的侧壁上。第一介电层具有第一介电常数。第一介电间隔物具有第二介电常数，且第二介电常数低于第一介电常数。
金属绝缘电容结构

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210152049.3在审
发明人：杨芷欣;陈燕铭;陈殿豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：提供半导体结构和制造工艺。根据本发明的半导体包括具有沿着第一方向延伸的第一鳍、第二鳍和第三鳍的第一区以及邻接该第一区的第二区。该第二区包括沿着第一方向延伸的第四鳍和第五鳍。该第一鳍与第四鳍对准，并且第二鳍与第五鳍对准。该第三鳍终止于第一区与第二区之间的界面处。本申请的实施例还涉及用于形成半导体结构的方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置-CN202210438921.0在审
发明人：萧远洋;沈香谷;萧琮介;赖英耀;陈殿豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：一种半导体装置，包含第一、第二MIM结构，第一MIM结构包含彼此堆叠的第一底部导体板、第一介电层的第一部分第一中间导体板第二介电层的第一部分以及第一顶部导体板，第二MIM结构包含彼此堆叠的第二底部导体板、第一介电层的第二部分、第二中间导体板、第二介电层的第二部分以及第二顶部导体板，在第二介电层的第二部分上；其中第一底部导体板比第一中间导体板更宽且比第一顶部导体板更宽，而第二底部导体板比第二中间导体板更窄且比第二顶部导体板更窄。
半导体装置

[发明专利]半导体封装及其形成方法-CN202210201389.0在审
发明人：沈香谷;林谷峰;王良玮;陈殿豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明实施例的一种半导体封装包括第一半导体器件及第二半导体器件。第一半导体器件包括第一半导体衬底、第一接合结构以及存储单元。第二半导体器件堆叠在第一半导体器件之上。第二半导体器件包括第二半导体衬底、位于第二介电层中的第二接合结构以及位于第二半导体衬底与第二接合结构之间的外围电路。第一接合结构与第二接合结构接合并设置在存储单元与外围电路之间，且存储单元与外围电路通过第一接合结构及第二接合结构电连接。
半导体封装及其形成方法

[发明专利]半导体装置-CN202210285654.8在审
发明人：萧琮介;沈香谷;萧远洋;赖英耀;陈殿豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括金属绝缘体金属(MIM)电容器。MIM电容器包括：多个电极，多个电极包括一或多个第一电极以及一或多个第二电极；以及一或多个绝缘层，设置于相邻的多个电极之间。MIM电容器设置于层间介电(ILD)层中，且ILD层设置于基板上方。一或多个第一电极连接至第一通孔电极的侧壁，其中第一通孔电极设置于ILD层中，而一或多个第二电极连接至第二通孔电极的侧壁，其中第二通孔电极设置于ILD层中。在一或多个上述或下列实施例中，一或多个绝缘层包括高k值介电材料。
半导体装置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202210223456.9在审
发明人：杨芷欣;陈殿豪;陈燕铭;王郁仁;黄镇球 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种包含磁性随机存取存储器(MRAM)单元的半导体装置的制造方法。在上述半导体装置的制造方法中，由导电材料所制成的第一薄层被形成在基板上方。用于磁穿隧接面(MTJ)堆叠的第二薄层被形成在第一薄层上方。第三薄层形成在第二薄层上方。通过图案化第三薄层形成第一硬遮罩图案。通过使用第一硬遮罩图案作为蚀刻遮罩的蚀刻操作图案化第二薄层以形成MTJ堆叠。蚀刻操作停止于第一薄层。侧壁绝缘层被形成在MTJ堆叠上方。在形成侧壁绝缘层后，通过图案化第一薄层形成底部电极，以形成包含底部电极、MTJ堆叠以及作为上电极的第一硬遮罩图案的MRAM单元。
半导体装置制造方法

[发明专利]装置结构-CN202210238220.2在审
发明人：萧琮介;沈香谷;萧远洋;赖英耀;陈殿豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开提出一种装置结构。装置结构包含结构、设置于结构上的第一保护层、设置于第一保护层上的缓冲层、设置于缓冲层的第一部分上的阻挡层、设置于阻挡层上方的重布线层、设置于阻挡层上和重布线层的侧面上的粘着层以及设置于缓冲层的第二部分上的第二保护层。第二保护层接触阻挡层、粘着层和重布线层。
装置结构

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202210121760.2在审
发明人：萧琮介;尹煜峰;王良玮;陈殿豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：在半导体装置的制造方法中，形成单元结构。单元结构包括底部电极、设置在底部电极上的磁穿隧接面(MTJ)堆叠、以及设置在MTJ堆叠上的硬罩幕层。在MTJ堆叠的侧壁上方形成第一绝缘覆盖层。在第一绝缘覆盖层和硬罩幕层上方形成第二绝缘覆盖层。形成第一层间介电(ILD)层。通过蚀刻第一ILD层和第二绝缘覆盖层来暴露硬罩幕层。形成第二ILD层。通过图案化第二ILD层并移除硬罩幕层，在第二ILD层中形成接点开口。在接点开口中形成导电层，使得导电层接触MTJ堆叠。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210328974.7在审
发明人：萧远洋;陈殿豪;陈燕铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包含半导体基板以及位于有源装置上的内连结构。内连结构包含第一层、位于第一层上的第二层、位于第二层上的第三层以及位于第三层上的第四层。第一穿孔延伸穿过半导体基板、第一层以及第二层。第二穿孔延伸穿过第三层以及第四层，且第二穿孔的底面接触第一穿孔的顶面。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN202210288069.3在审
发明人：萧琮介;沈香谷;萧远洋;赖英耀;陈殿豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在制造半导体装置的方法中，在第一介电层中形成开口，使得下部导电层的一部分在开口的底部暴露，一或多个衬垫导电层形成在下部导电层的部分、开口的内侧壁及第一介电层的上表面的上方，主要导电层形成于一或多个衬垫导电层上方，图案化的导电层借由图案化主要导电层和一或多个衬垫导电层而形成，且覆盖导电层形成于图案化导电层上方。被图案化的主要导电层被覆盖导电层和一或多个衬垫导电层的一者围绕。
制造半导体装置方法

[发明专利]半导体装置-CN202210306503.6在审
发明人：黄致凡;郑凯文;黄镇球;陈殿豪;陈燕铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体装置。半导体装置包含位于半导体基板上的第一导电特征部件、位于第一导电特征部件上的底部电极、位于底部电极上的磁性穿隧接面堆叠以及位于磁性穿隧接面堆叠上的顶部电极。间隔物接触顶部电极侧壁、磁性穿隧接面堆叠的侧壁以及底部电极的侧壁。导电特征部件接触顶部电极。
半导体装置

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