[发明专利]半导体装置与其制造方法在审
| 申请号： | 201911336173.X | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112768595A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 邱楹翔;陈旷举;萧鹏展;刘汉英 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/32 | 分类号： | H01L35/32;H01L35/14;H01L35/34 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 赵平;周永君 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置。半导体装置包含一基板。半导体装置也包含一半导体层，半导体层设置于基板内。半导体装置还包含一第一介电层，第一介电层设置于半导体层上。半导体装置包含一第二介电层，第二介电层设置于第一介电层上。半导体装置也包含一对热电堆，热电堆设置于第二介电层上。第一介电层与第二介电层形成一腔室。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 与其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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- 元富云 - LG伊诺特有限公司
- 2020-12-24 - 2022-08-19 - H01L35/32
- 根据本公开一实施例的热电元件包括下金属基板、设置在下金属基板上的下绝缘层、设置在下绝缘层上以彼此间隔的多个下电极、设置在多个下电极上的多个P型热电腿和多个N型热电腿、设置在多个P型热电腿和多个N型热电腿上以彼此间隔的多个上电极、设置在多个上电极上的上绝缘层、以及设置在上绝缘层上的上金属基板，其中下绝缘层包括设置在下金属基板上的第一绝缘层和设置在第一绝缘层上以彼此间隔的多个第二绝缘层。
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