“导体电”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1865416个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]灯、照明系统和用于照明系统的操作方法-CN201680083368.6有效
发明人：司徒仁厚 -专利权人：查克森科技有限公司
申请日： 2016-06-17 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H05B45/10 文献下载
摘要：灯(2)包含多个半导体光源(21)以及电终端节点(22)和至少一条电连接线(23)。所述半导体光源(21)经由连接线(23)与终端节点(22)电连接。半导体光源(21)的电操作数据被保存在终端节点(22)中。半导体光源(21)可以被彼此独立地电激励。此外，终端节点(22)是电有源部件或电无源部件。
照明系统用于操作方法

[发明专利]用于对安装于天线杆的无线电设备供电的线缆-CN201380026775.X无效
发明人：拉斯·埃夫雷蒙森 -专利权人：瑞典爱立信有限公司
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01B9/04 文献下载
摘要：公开了一种用于对无线电设备(110)供电的线缆(100)，所述无线电设备(110)安装在用于承载无线电设备(110)的天线杆上。线缆(100)包括：第一导体(C)，用于向无线电设备(110)馈送电流；返回和防护导体(R，G)，用于从无线电设备(110)馈送返回电流以及防护第一导体(C)；以及绝缘材料(I1)，布置在第一导体(C)与返回和防护导体(R，G)之间。第一导体(C)至少部分地被绝缘材料(I1)包围。第一导体(C)的第一横截面积小于返回和防护导体(R，G)的第二横截面积。
用于安装天线无线电设备供电线缆

[发明专利]互补式半导体元件及其制造方法-CN201510630050.2在审
发明人：颜精一;林政伟;许智杰;何金原 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开一种互补式半导体元件及其制造方法。第一半导体层配置于基底上且具有通道区与位于通道区两侧的两个掺杂区。第一介电层配置于基底上且覆盖第一半导体层。栅极配置于第一介电层上，其中栅极对应第一半导体层的通道区。第二介电层配置于第一介电层上且覆盖栅极。第二半导体层配置于第二介电层上且对应栅极。第二半导体层的边界不超出栅极的边界。至少一第一导电插塞贯穿第一介电层与第二介电层并与第一半导体层的掺杂区其中一者接触。至少一接点与第二半导体层接触。
互补半导体元件及其制造方法

[发明专利]一种基于非均匀掺杂半导体的气体换热器-CN201410785963.7在审
发明人：叶磊 -专利权人：厦门兰智科技有限公司
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01L35/26 文献下载
摘要：本发明公开一种基于非均匀掺杂半导体的气体换热器，包括至少一换热片，该换热片包括至少一层热电转换基本装置，该热电转换基本装置包括绝缘导热介质层及半导体电臂，半导体电臂位于绝缘导热介质层之间，半导体电臂至少设置一段故意非均匀掺杂段，形成不均匀的半导体属性分布；热电转换基本装置与外部电路形成电连接，而至少其中一绝缘导热介质层与目标换热气体接触。气体流经热电转换基本装置的半导体电臂与之进行热交换，部分热能量被半导体电臂吸收，转换为电能输出，气体的温度降低；热电转换基本装置通以反向电流条件时半导体电臂放热，加热流经的气体促使其升温，本发明可以节约能源
一种基于均匀掺杂半导体气体换热器

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202210544021.4在审
发明人：高庆良;吴文杰;柯立苓 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种半导体结构的制造方法包括：在绝缘层上形成介电层；蚀刻绝缘层及介电层，使绝缘层及介电层中具有开口，其中绝缘层的内侧壁与底部以及介电层的内侧壁从开口中裸露；注入复数个掺杂物于绝缘层的内侧壁与底部以及介电层的内侧壁上；以及在开口中及介电层上形成半导体层，其中半导体层形成在绝缘层上的第一生长速率不同于半导体层形成在介电层上的第二生长速率。当半导体层形成在开口中时，半导体层将不具有长条状的缝隙，可改善半导体层漏电及效能不佳等问题，因此提高了半导体结构的整体效能。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]浮置栅极层与非易失性存储器的制造方法-CN200710153160.X无效
发明人：颜琬仪;赖亮全;王炳尧 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2007-09-28 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器的制造方法，包括于基底上依序形成穿隧介电层、第一导体层与硬掩模层；于硬掩模层、第一导体层、穿隧介电层与基底中形成隔离结构；移除每一个隔离结构之一部分，以暴露出硬掩模层的部分侧壁继之，于隔离结构上形成介电层，以填满间隙壁之间的空隙；移除间隙壁与硬掩模层；于第一导体层上形成第二导体层，以填满介电层之间的空隙；移除介电层；于基底上共形地形成栅间介电层；于栅间介电层上形成第三导体层；图案化第三导体层与第二导体层、第一导体层以形成控制栅极与浮置栅极。
栅极非易失性存储器制造方法

[发明专利]用于制造半导体组件的方法-CN200680040888.5有效
发明人： K·K·希金斯;J·W·维斯曼 -专利权人：斯班逊有限公司
申请日： 2006-10-06 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：一种用于通过使用牺牲性掩模结构(50)而制造半导体组件(10)的方法。半导体器件从半导体衬底(12)形成，且介电材料层(40)形成于该半导体衬底(12)及该半导体器件之上。该介电材料层(40)可直接形成于该半导体衬底(12)上或通过中间层而与该半导体衬底(12)间隔开。具有侧壁的柱状物或突出物(50)从该介电材料层(40)形成。优选不同于该介电材料层(40)的电性绝缘材料(52)形成邻近于该等柱状物(50)的侧壁。将该电性绝缘材料(52)予以平坦化并去除该等柱状物(50)以形成可露出部分的半导体器件或部分的中间层材料的开口(58A、58B、58C)。电性导电材料(60、62)形成于该等开口中。
用于制造半导体组件方法

[发明专利]半导体装置与其制造方法-CN202210061870.4在审
发明人：高琬贻;廖芳谊;张哲豪;卢永诚;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置与其制造方法，半导体装置包含半导体鳍片、隔离层、介电鳍片结构及栅极结构。半导体鳍片在基板上方。隔离层在基板上方且与半导体鳍片相邻。介电鳍片结构在隔离层上方且包含底部介电鳍片及顶部介电鳍片。隔离层围绕底部介电鳍片的底部。顶部介电鳍片在底部介电鳍片上方且与隔离层间隔开。栅极结构跨越半导体鳍片及介电鳍片结构。与隔离层接触的栅极结构的一部分具有第一宽度，而与顶部介电鳍片接触的栅极结构的另一部分具有大于第一宽度的第二宽度。
半导体装置与其制造方法

[实用新型]一种二次电池装配结构及二次电池-CN202320125487.0有效
发明人：王魏晗;喻先锋;刘微;侯敏;曹辉 -专利权人：瑞浦兰钧能源股份有限公司;上海瑞浦青创新能源有限公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01M50/502 文献下载
摘要：本申请涉及一种二次电池装配结构及二次电池，包括：电芯组件，其包括一个电芯或者多个沿电芯厚度方向堆叠的电芯，电芯延伸出有极性相反的极耳；转接导体，其位于电芯组件的顶部，且转接导体的顶面用于和极耳电连接；绝缘贴片，其贴合于转接导体的底面。本申请的绝缘贴片可以隔绝转接导体与电芯，起到绝缘效果，防止电芯短路。通过采用绝缘贴片替代绝缘垫片，厚度可以很薄，减小高度方向上的占用空间，提高空间利用率，增加二次电池能量密度。绝缘贴片可直接贴合于转接导体底面，与转接导体一体设置，取消了极耳穿绝缘垫片装配孔的装配工序，降低装配难度，不易损伤极耳。
一种二次电池装配结构

[发明专利]多层电子设备-CN201510099107.0有效
发明人：艾伦·罗杰·莫里;马丁·华莱士·埃特蒙德;格雷戈里·托拜厄斯·奈特;亚历克斯·詹姆斯·考彻;保罗·阿尔弗烈德·席尔森;史蒂文·马克·史密斯 -专利权人：德昌电机（深圳）有限公司
申请日： 2015-03-05 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： G06F21/86 文献下载
摘要：本发明涉及一种多层电子设备，所述设备包括：基板，至少包括主导体轨迹；保护层，至少包括导体保护轨迹；电导体啮合元件，与所述主导体轨迹电连接，所述保护层安装在所述主导体轨迹上使得导体保护轨迹与主导体轨迹形成恒定电连接；柔性覆盖层，覆盖于所述保护层上，直接或间接地固定在基板上；其中保护层、电导体啮合元件和主导体轨迹之间的电连接在所述导体保护轨迹破裂时发生中断。
多层电子设备

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201210038549.0有效
发明人：陈永初 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-02-21 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括第一半导体区、第二半导体区、介电结构与栅电极层。第一半导体区具有第一导电型。第二半导体区具有相反于第一导电型的第二导电型。第一半导体区是邻接第二半导体区。介电结构位于第一半导体区与第二半导体区上。栅电极层位于介电结构上。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法、存储器阵列-CN202110719238.X在审
发明人：吴咏捷;何彦忠;魏惠娴;游嘉榕;许秉诚;马礼修;林仲德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：半导体器件包括位于下部层级介电材料层上方的半导体金属氧化物鳍、位于半导体金属氧化物鳍的顶面和侧壁上的栅极介电层、位于栅极介电层上并且跨越半导体金属氧化物鳍的栅电极、嵌入有栅电极和半导体金属氧化物鳍的存取层级介电材料层、嵌入在存储器层级介电材料层中并且包括第一电极、存储器元件和第二电极的存储器单元以及位于存储器单元上面的位线。第一电极可以通过第一导电路径电连接至半导体金属氧化物鳍内的漏极区域，并且第二电极电连接至位线。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法、存储器阵列。
半导体器件及其制造方法存储器阵列

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210826221.9在审
发明人：吴尚霖 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括基板、金属氧化物半导体层、第一栅介电层、栅极、层间介电层、第一导电氧化物层、第一电极以及第二电极。第一栅介电层位于金属氧化物半导体层之上。栅极位于第一栅介电层之上，且重叠于金属氧化物半导体层。层间介电层位于栅极之上。层间介电层具有第一接触孔。第一接触孔横向地分离于金属氧化物半导体层。第一导电氧化物层位于第一接触孔下方。第一电极填入第一接触孔，并通过第一导电氧化物层而电连接至金属氧化物半导体层。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种导体-介质复合目标与环境电磁散射快速计算方法-CN202011623614.7有效
发明人：邹高翔;童创明;秋党庆;孙华龙;彭鹏;宋涛;王童 -专利权人：中国人民解放军空军工程大学
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供一种导体‑介质复合目标与环境电磁散射快速计算方法，对目标及环境剖分，得到超低空导体‑介质复合目标与环境复合散射模型，并将导体‑介质复合目标归于JMCFIE‑MSIE区域，环境归于PO区域，获取PO区域表面电、磁流，得到环境表面感应电、磁场，并与雷达波作为导体‑介质复合目标照射源，得到表面电、磁流，得到导体‑介质复合目标区域表面感应电、磁场；将导体‑介质复合目标区域表面感应电、磁场与雷达波作为环境照射源，得到环境表面电、磁流，并得到环境表面感应电、磁场；进行反复迭代，当迭代误差小于特定值时停止，得到最终场。本发明可对超低空导体‑介质复合目标位于环境上方时的电磁散射特性进行快速准确计算。
一种导体介质复合目标环境电磁散射快速计算方法

[发明专利]半导体发光结构及其制造方法-CN201210279540.9无效
发明人：张源孝;刘恒 -专利权人：华夏光股份有限公司
申请日： 2012-08-07 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光结构制造方法，步骤包括：提供第一基板；于第一基板上形成磊晶层，磊晶层包括第一电性半导体层、第二电性半导体层及位于该等电性半导体层之间的第一发光层；分割磊晶层，而定义出第一磊晶结构及第二磊晶结构，并暴露出部分第一电性半导体层，其中第一电性半导体层的暴露部分上具有第一接触区，第二电性半导体层上具有第二接触区；以及形成导电支撑结构，覆盖第一接触区及第二接触区，使得第一磊晶结构电性耦合第二磊晶结构。
半导体发光结构及其制造方法