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[发明专利]在半导体条中形成掺杂区-CN201710661042.3有效
发明人：黄士文;林嘉慧;蔡释严;郑凯鸿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：一种方法包括蚀刻半导体衬底以形成沟槽，半导体衬底的位于沟槽之间的部分是半导体条，以及在半导体条的侧壁上沉积介电剂量膜。介电剂量膜掺杂有n型或p型掺杂剂。用介电材料填充沟槽的剩余部分。对介电材料实施平坦化。介电剂量膜和介电材料的剩余部分形成浅沟槽隔离(STI)区。实施热处理以将介电剂量膜中的掺杂剂扩散到半导体条中。本发明实施例涉及在半导体条中形成掺杂区的方法以及相关半导体器件。
半导体形成掺杂

[发明专利]用于形成集成半导体结构的方法和结构-CN201180007701.2有效
发明人：玛丽亚姆·萨达卡;R·艾奥努特 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2011-01-04 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：本发明提供了用于制造半导体结构的方法和结构，并且特别地提供了用于形成具有改进的平坦度以实现包括已处理半导体结构和多个键合半导体层的键合半导体结构的半导体结构。用于形成半导体结构的方法包括：在已处理半导体结构的非平坦表面上方形成介电层，对介电层的与已处理半导体结构相反的一侧上的表面进行平坦化，以及将半导体结构附接到介电层的平坦化表面。半导体结构包括：覆盖在已处理半导体结构的非平坦表面上方的介电层，以及在介电层的与已处理半导体结构相反的一侧上覆盖介电层的掩蔽层。掩蔽层包括：位于已处理半导体结构的非平坦表面的导电区上方的多个掩蔽开口。
用于形成集成半导体结构方法

[发明专利]电设备和用于运行电设备的方法-CN202180054516.2在审
发明人： M·塞格雷;C·克利;M-A·赛贝特 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01M10/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种电设备和一种用于运行电设备的方法，其中，所述电设备具有壳体，所述壳体具有外部的第一接通部(2)和外部的第二接通部(2)，用于对所述电设备进行能量供给，其中，所述电设备在所述壳体中包括第一导体(4)、第二导体(5)和分析处理装置(9)，其中，所述第一导体(4)与用于第一电势的第一接通部(2)电连接，其中，所述第二导体(5)与用于与所述第一电势不同的第二电势的第二接通部(2)电连接，其中，所述第一导体(4)和所述第二导体(5)与所述分析处理装置(9)电连接，其中，所述第一导体(4)和所述第二导体(5)如此布置，使得所述第一导体(4)和所述第二导体(5)的通过所述壳体中的污物或水分的电连接能够借助所述分析处理装置来探测
设备用于运行方法

[实用新型]电连接件、电连接组件及电池包电连接结构-CN201921328763.3有效
发明人：李子薇;周啸 -专利权人：泰科电子（上海）有限公司
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01R4/62 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电连接件、电连接组件及电池包电连接结构。该电连接件包括：至少一个双金属导电件，双金属导电件包括相连接的第一金属导体部和第二金属导体部，第一金属导体部与第二金属导体部材质不同；和隔离件，至少一个双金属导电件嵌设在隔离件中，并与隔离件形成一体件；隔离件至少包裹第一金属导体部与第二金属导体部的电连接部位；第一金属导体部与第二金属导体部至少部分暴露在隔离件之外，用于电连接。电连接件中第一金属导体部与第二金属导体部的电连接部位被隔离件包裹，密封可靠，不会与外界空气连通，防止产生电位差腐蚀。电连接件可实现不同材质导电件之间的转接，结构精简，制作方便，生产成本低。
连接组件电池结构

[发明专利]混合接合结构及其制造方法-CN201810959903.0有效
发明人：蔡伯宗 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：第一集成电路组件包括第一介电层、第一导体与隔离结构。第一导体与隔离结构嵌入于第一介电层中。隔离结构与第一导体电性绝缘，且隔离结构围绕第一导体。第二集成电路组件包括第二介电层与第二导体。第二导体嵌入于第二介电层中。第一介电层接合至第二介电层，且第一导体接合至第二导体。
混合接合结构及其制造方法

[发明专利]离子导体的电致发热方法和应用-CN202010381311.2在审
发明人：朱世平;石磊;张祺;韩宗益 -专利权人：香港中文大学（深圳）
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H05B3/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子导体的电致发热方法和应用，涉及离子导体加热技术领域。该离子导体的电致发热方法，通过电极对离子导体施加特征频率对应的交流电压，从而实现离子导体的电致发热，其中，所述特征频率为离子导体在电路相位角为‑10°～10°时的频率；该电致发热方法能够有效抑制或消除电极‑离子导体界面上的双电层电容的产生，从而在减弱或避免电化学反应、抑制电极腐蚀、电解等副反应发生的同时，实现对离子导体的快速、均匀加热。本发明还提供了上述离子导体的电致发热方法的应用。
离子导体发热方法应用

[发明专利]向数据中心中的电子设备供电-CN202011308297.X在审
发明人：瓦伦·萨卡尔卡;乔提·萨斯特里;詹姆斯·肯尼迪;爱德华多·拉奥;克里斯托弗·格雷戈里·马隆;帕斯卡·卡姆 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G06F1/18 文献下载
摘要：一种数据中心电力系统包括：电力导体，电力导体包括带电导体表面并且被配置为从电源通过数据中心的人员可居留工作空间输送直流(DC)电力；接地导体，接地导体被定位在人员可居留工作空间中并且与电力导体分离；第一电连接器，第一电连接器被配置为安装到支撑多个电子设备的数据中心机架，第一电连接器可移动以电接触电力导体的带电导体表面；以及第二电导体，第二电导体被定位在机架上并且被配置为与接地导体电接触。
数据中心中的电子设备供电

[发明专利]数据中心电力系统和向数据中心机架递送直流电力的方法-CN201780074294.4有效
发明人：瓦伦·萨卡尔卡;乔提·萨斯特里;詹姆斯·肯尼迪;爱德华多·拉奥;克里斯托弗·格雷戈里·马隆;帕斯卡·卡姆 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H05K7/14 文献下载
摘要：一种数据中心电力系统包括：电力导体，电力导体包括带电导体表面并且被配置为从电源通过数据中心的人员可居留工作空间输送直流(DC)电力；接地导体，接地导体被定位在人员可居留工作空间中并且与电力导体分离；第一电连接器，第一电连接器被配置为安装到支撑多个电子设备的数据中心机架，第一电连接器可移动以电接触电力导体的带电导体表面；以及第二电导体，第二电导体被定位在机架上并且被配置为与接地导体电接触。
数据中心电力系统机架递送直流电力方法

[发明专利]用于移动站的电池交换系统-CN201910117608.5在审
发明人： P·乔蒂;C·S·D·郑 -专利权人：意法半导体有限公司
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：例如，一种电池充电系统包括：第一电连接器，设置为面向第一搁架；第二电连接器，设置为面向第二搁架；第一充电设备，耦合至第一电连接器；以及第二充电设备，耦合至第二电连接器。一种移动设备包括第一电连接器、朝向第一电连接器的第一搁架部分和第二搁架部分、以及朝向第二电连接器的第三搁架部分和第四搁架部分。电池充电系统和移动设备的每个电连接器均包括第一导体、第二导体和第三导体，其中第一导体电耦合至第三导体，并且第二导体与第一和第三导体电隔离且设置在第一导体和第三导体之间，这使电池充电系统和移动设备能够容易地交换电池
电连接器导体搁架电池充电系统移动设备耦合电池交换系统充电设备导体电移动站电池隔离交换

[实用新型]电池充电系统和移动设备-CN201920202353.8有效
发明人： P·乔蒂;C·S·D·郑 -专利权人：意法半导体有限公司
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：例如，一种电池充电系统包括：第一电连接器，设置为面向第一搁架；第二电连接器，设置为面向第二搁架；第一充电设备，耦合至第一电连接器；以及第二充电设备，耦合至第二电连接器。一种移动设备包括第一电连接器、朝向第一电连接器的第一搁架部分和第二搁架部分、以及朝向第二电连接器的第三搁架部分和第四搁架部分。电池充电系统和移动设备的每个电连接器均包括第一导体、第二导体和第三导体，其中第一导体电耦合至第三导体，并且第二导体与第一和第三导体电隔离且设置在第一导体和第三导体之间，这使电池充电系统和移动设备能够容易地交换电池
电连接器导体搁架电池充电系统移动设备耦合充电设备导体电电池隔离交换

[发明专利]发光二极管-CN201010142980.0无效
发明人：余国辉;王建钧;朱长信;李孟信 -专利权人：佛山市奇明光电有限公司;奇力光电科技股份有限公司
申请日： 2010-03-19 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：此发光二极管包括接合基板、第一电性电极、接合层、外延结构、第二电性电极、生长基板与封胶层。第一电性电极与接合层分别设于接合基板的第二表面与第一表面上。外延结构包括依序堆叠在接合层上的第一电性半导体层、有源层与第二电性半导体层。第一电性半导体层与第二电性半导体层的电性不同。外延结构的外围环状设置有沟槽自第二电性半导体层延伸至第一电性半导体层。第二电性电极与第二电性半导体层电性连接。生长基板设于外延结构上。生长基板具有一凹槽以暴露出部分的外延结构与沟槽。封胶层填设于凹槽中。
发光二极管

[实用新型]电连接组件、电连接件和连接器-CN202220674375.6有效
发明人：杨昱辰;周啸;李子薇;姜开轩 -专利权人：泰科电子（上海）有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01R13/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种电连接组件、电连接件和连接器。电连接组件包括一对扁平导体，一对扁平导体被布置成在其厚度方向上彼此重叠，且所述扁平导体包括扁平导体芯和包覆在所述扁平导体芯上的绝缘层，所述扁平导体芯具有从所述绝缘层的一端外露出的、用于电连接的电连接部。在本实用新型中，一对扁平导体被布置成在其厚度方向上彼此重叠，因此，能够增大扁平导体的宽度，提高了扁平导体的载流能力。
连接组件连接器

[发明专利]封装结构-CN201711288268.X在审
发明人：郑心圃;陈硕懋;许峯诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：封装结构包括第一介电层、第一半导体装置、第一重分布线、第二介电层、第二半导体装置、第二重分布线、第一导电件及第一模制材料。第一半导体装置在第一介电层上方。第一重分布线在第一介电层中且电连接至第一半导体装置。第二介电层在第一半导体装置上方。第二半导体装置在第二介电层上方。第二重分布线在第二介电层中且电连接至第二半导体装置。第一导电件电连接第一重分布线与第二重分布线。第一模制材料模制第一半导体装置及第一导电件。
半导体装置介电层重分布线导电件电连接封装结构第一模材料模制

[发明专利]形成封装结构的方法-CN202211615779.9在审
发明人：郑心圃;陈硕懋;许峯诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：封装结构包括第一介电层、第一半导体装置、第一重分布线、第二介电层、第二半导体装置、第二重分布线、第一导电件及第一模制材料。第一半导体装置在第一介电层上方。第一重分布线在第一介电层中且电连接至第一半导体装置。第二介电层在第一半导体装置上方。第二半导体装置在第二介电层上方。第二重分布线在第二介电层中且电连接至第二半导体装置。第一导电件电连接第一重分布线与第二重分布线。第一模制材料模制第一半导体装置及第一导电件。
形成封装结构方法

[发明专利]半导体元件-CN201510718705.1在审
发明人：张俊彦;郑淳护;邱于建 -专利权人：财团法人交大思源基金会
申请日： 2015-10-29 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件，包括基底、第一介电层、导体层、铁电材料层与电荷捕获层。第一介电层设置在基底上。导体层设置在第一介电层上。铁电材料层与电荷捕获层堆叠设置在第一介电层与导体层之间。本发明的半导体元件，具有较佳的存储器特性与晶体管特性。
半导体元件