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[发明专利]一种无源寄生参数网络的精准简化方法及系统-CN202211042406.7在审
发明人：刘乘杰;杜力;杜源;徐浩航;陈威宇 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G06F30/32 文献下载
摘要：本申请提供一种无源寄生参数网络的精准简化方法及系统。方法包括获取待处理电路的无源参数寄生网络；获取所有寄生参数的器件信息；根据有源器件命名规则，标注出有源器件端口的节点名称；若当前寄生参数横跨多个有源器件端口，则删除当前寄生参数，此时当前寄生参数所在的支路若为断路，则删除此支路及其上的寄生参数；遍历完所有寄生参数，得到精准后的无源寄生参数网络；降阶处理精准后的无源寄生参数网络，得到简化后的无源寄生参数网络。所述方法精准化处理无源寄生参数网络，排除有源器件端口以及无效端口，以保证无源寄生参数网络简化降阶处理时能够正确进行，且因排除了无效通路，提高降阶简化处理的效率及准确率。
一种无源寄生参数网络精准简化方法系统

[发明专利]基于天牛须算法的GaNHEMT器件寄生参数的提取方法-CN202111640667.4在审
发明人：张金灿;汪绍伟;候雪锋;张盼盼;樊云航;徐彬瑞;刘敏;王金婵 -专利权人：河南科技大学
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G06F30/373 文献下载
摘要：基于天牛须算法的GaN HEMT器件寄生参数的提取方法，所述方法包括包括如下步骤：S1、在低频夹断偏置条件下测量能够表征寄生电容参数值范围的S参数，并且将S参数转化为Y参数；S2、设置天牛须算法，并且利用天牛须算法对Y参数进行优化得到寄生电容的最优解；S3、去除寄生电容的影响后，在零偏置条件下提取寄生电感和寄生电阻的参数值范围；S4、调整天牛须算法，并且利用天牛须算法对寄生电感和寄生电阻进行优化得到寄生电感和寄生电阻的最优解本发明提供一种基于天牛须算法的GaN HEMT器件寄生参数的提取方法，能够有效提升GaN HEMT器件寄生参数提取结果的精确度。
基于天牛算法 ganhemt 器件寄生参数提取方法

[发明专利]提取寄生参数的方法及系统-CN201110326502.X有效
发明人：吴玉平;陈岚;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-10-24 - 公布日： 2012-02-29 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种提取寄生参数的方法，包括：将集成电路设计的版图划分为多个子区域；将几何同构的子区域置于同一个同构列表中；对每个同构列表中的至少一个子区域进行寄生参数的提取；根据同构列表中子区域间的几何关系和已提取的子区域的寄生参数，计算得到同构列表中其他子区域的寄生参数；将各子区域的寄生参数合并，以得到整个集成电路设计的寄生参数。通过合并寄生参数提取的任务，不用对整个版图区域进行寄生参数提取，减少了集成电路版图中寄生参数的提取数量，进而提高寄生参数提取速度，缩短集成电路设计的周期。
提取寄生参数方法系统

[发明专利]数据处理方法、数据处理装置、终端设备及存储介质-CN202010329075.X有效
发明人：余豪路;姚丽丽 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本申请公开了一种数据处理方法、数据处理装置、终端设备及存储介质，用于集成电路版图的寄生参数处理。数据处理方法包括读取工艺表格、提取表格和标准表格，所述提取表格包括由第一寄生参数提取工具从所述集成电路版图提取的第一工艺参数和第一寄生参数，所述工艺表格包括第二工艺参数，所述标准表格包括由第二寄生参数提取工具提取的第三工艺参数和第二寄生参数确认所述第一工艺参数与所述第二工艺参数相同，确认所述第一工艺参数与所述第三工艺参数相同，输出所述第二寄生参数，计算对应的所述第一寄生参数与输出的所述第二寄生参数之间误差，输出所述误差。
数据处理方法装置终端设备存储介质

[发明专利]一种寄生参数验证方法、装置、电子设备和存储介质-CN202011029859.7有效
发明人：薛明达 -专利权人：成都海光微电子技术有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本申请提供一种寄生参数验证方法、装置、电子设备和存储介质，该方法包括获取设计电路对应的版图和电路网表，版图包含电路中各个器件单元的物理信息，电路网表包含各个器件单元的之间的连接线路信息；将版图和电路网表输入电路规则检查工具进行电路规则检查，以获得电路规则检查工具输出的数据文件，数据文件中具有每一器件单元的物理信息和其对应的连接线路信息；根据数据文件进行寄生参数提取，以获得设计电路的寄生参数网表，寄生参数网表中包含有多个检测的寄生参数信息；判断寄生参数网表中的多个寄生参数信息与预期是否相同；若是，则确定寄生参数网表中的多个寄生参数信息正确。
一种寄生参数验证方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种提取互连线寄生参数的方法和装置-CN201110456859.X有效
发明人：马天宇;陈岚;杨飞;方晶晶 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种提取互连线寄生参数的方法，该方法在寄生参数提取过程中对集成电路版图进行网格划分后，获得版图每个网格的互连线厚度，再利用获得的互连线厚度提取版图网格的互连线寄生参数，获得考虑了厚度差异的寄生参数提取结果相应地，本发明还提供一种提取互连线寄生参数的装置。本发明的方法考虑了CMP工艺可能带来的互连线厚度差异，在寄生参数提取过程中采用了更加准确的互连线几何信息，能够获得更加准确的寄生参数。
一种提取互连寄生参数方法装置

[发明专利]一种新型场效应晶体管小信号等效电路模型参数提取方法-CN201910540463.X有效
发明人：黄风义;魏震楠;唐旭升;张有明 -专利权人：东南大学;上海表象信息科技有限公司;南京展芯通讯科技有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用特征函数的解析迭代法来提取场效应晶体管小信号等效电路模型参数的新型方法，该方法将场效应晶体管小信号等效电路划分成本征子电路、寄生子电路两个子电路。使用寄生子电路特征函数，提取寄生电容、寄生电阻和寄生电感作为第一轮寄生元件参数值。然后，使用第一轮寄生元件参数值剥离寄生电容、寄生电阻和寄生电感，使用本征子电路特征函数提取第一轮本征元件参数值。通过寄生子电路和本征子电路特征函数的差，提取得到第二轮寄生元件参数值，再剥离寄生电容、寄生电阻和寄生电感，使用本征子电路特征函数提取得到第二轮本征元件参数值。反复迭代至收敛到需要的精度。
一种新型场效应晶体管信号等效电路模型参数提取方法

[发明专利]TFT-LCD驱动芯片版图设计中降低寄生参数影响的方法-CN201010231515.4无效
发明人：林康生;陈品霞 -专利权人：博嘉圣（福州）微电子科技有限公司
申请日： 2010-07-21 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种TFT-LCD驱动芯片版图设计中降低寄生参数影响的方法，其特征在于：包括减少寄生电容、降低寄生电阻、降低寄生电感及减少COMS器件产生的寄生参数；所述减少寄生电容包括减小导线长度、选择合适的金属层及将敏感信号隔离开；所述降低寄生电阻采用并联布线的方法，将金属线重叠形成并联结构；所述减少COMS器件产生的寄生参数即采用减少晶硅栅的串联电阻。本发明能有效的降低TFT-LCD驱动芯片版图设计中存在的寄生参数，提高的芯片性能，具有较好的使用价值。
tft lcd 驱动芯片版图设计降低寄生参数影响方法

[发明专利]AlGaN/GaN HEMT器件小信号模型提取方法-CN202210160133.X在审
发明人：黄永;王霄;费一帆;王东 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT器件小信号模型提取方法，涉及射频功率器件领域，通过对器件的三个电极施加相应的直流偏置，分别测出与不同的寄生参数相关的S参数，然后根据这些测得的S参数，基于二端口网络的原理，转换为与寄生电容相关的Y参数矩阵、与寄生电阻和寄生电感相关的Z参数矩阵，之后再将寄生参数去嵌，求得本征参数，本发明的方法针对寄生参数去嵌过程因结构导致的近似误差，提出了在所有测试频率下，逐个求取去嵌前后的S参数相对误差，并对所有频率的误差进行平均化，在保证了参数提取速度的同时，保证了参数的提取精度。
algan gan hemt 器件信号模型提取方法

[发明专利]一种集成电路的器件参数优化方法-CN201310538413.0有效
发明人：吴玉平;陈岚 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-11-04 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成电路的器件参数优化方法，包括，A、提取集成电路的寄生参数初始值；B、依据器件参数初始值和所述寄生参数初始值，构建第一函数，所述第一函数表示寄生参数值与器件参数值之间的关系；C、依据寄生参数值和器件参数值，确定所述集成电路的电路参数，并判断所述电路参数是否满足预定要求，如果否，调整所述器件参数值；D、依据调整后的器件参数值和所述第一函数得到寄生参数计算值，返回步骤C。本发明提供的集成电路的器件参数优化方法避免了现有技术中需要多次反复调用软件工具提取寄生参数和多次作物理版图的调整的缺陷，提高了集成电路的器件参数的优化效率，使得集成电路的器件参数的优化自动化容易实现。
一种集成电路器件参数优化方法

[发明专利]信号线检测方法、装置、设备及存储介质-CN202310272993.7在审
发明人：徐帆 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：信号线检测方法包括：获取版图中功能相同的目标信号线和参考信号线的内部寄生参数，内部寄生参数用于表征目标信号线和参考信号线自身产生的寄生参数；比较目标信号线和参考信号线的内部寄生参数，以确定目标信号线是否满足内部匹配条件；当目标信号线满足内部匹配条件时，获取目标信号线和参考信号线的外部寄生参数，外部寄生参数用于表征版图中的信号线对目标信号线和参考信号线耦合产生的寄生参数；比较目标信号线和参考信号线的外部寄生参数，以确定目标信号线是否满足外部匹配条件
信号线检测方法装置设备存储介质

[发明专利]一种太赫兹器件在片测试去嵌方法-CN202211151158.X在审
发明人：陈阳;曾晓楠;张勇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开一种太赫兹器件在片测试去嵌方法，属于太赫兹器件技术领域，采用测试结构测试待测器件S参数，分别测试与测试结构对应的半直通标准件、直通标准件、开路标准件和带过孔结构的直通标准件的S参数，对应转换为T参数；利用半直通标准件和直通标准件，求解GSG PAD寄生和互联传输线寄生；利用开路标准件和带过孔的直通标准件，求解传输线间耦合寄生和过孔地板寄生；待测器件的T参数依次剥离GSG PAD寄生、互联传输线寄生、传输线间耦合寄生、过孔地板寄生后，得到真实S参数。本发明有效剥离太赫兹频段测试结构带来的复杂寄生效应，获得待测器件的真实参数，具有去嵌精度高，结构简单，可准确表征太赫兹器件特性的特点。
一种赫兹器件测试方法

[发明专利]氮化镓高电子迁移率晶体管小信号电路模型参数提取方法-CN201610178038.7有效
发明人：马晓华;张恒爽;马佩军;郑佳欣;卢阳;赵博超;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化镓高电子迁移率晶体管小信号电路模型参数提取方法，主要解决现有技术提取寄生电感会由于正向大栅压对器件造成损伤、提取寄生电容时需要人工调谐和优化参数不符合物理结构的问题。其技术方案是基于传统提取寄生电容的基础，在低频冷偏截止态等效电路中引入寄生电感，利用线性回归方法同时提取出寄生总电容和寄生电感，结合实际物理结构优化搜索出寄生电容，并结合未偏置时测试的散射参数和正常工作时的散射参数，分别提取出寄生电阻和本征参数。本发明在测试过程中对器件没有损伤，且不需要人工调谐，提取参数效率较高，适用频段宽。本发明得到的模型参数不仅能直接用于建立器件的小信号等效电路模型，也能用于小信号电路设计。
氮化电子迁移率晶体管信号电路模型参数提取方法

[发明专利]一种晶体管小信号建模方法及装置-CN202110512954.0有效
发明人：杨天应;刘丽娟;刘石头 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体管小信号建模方法及装置，该方法包括：制备晶体管对应的两个测试结构，两个测试结构分别为第一开路去嵌结构、第二开路去嵌结构；将第一开路去嵌结构和第二开路去嵌结构的S参数转化为Y参数，计算得到晶体管的第一寄生参数；对晶体管进行栅极正向偏置下的开态测试，计算得到模型第二寄生参数；其次对晶体管正常偏置下的S参数进行测试，并根据第一寄生参数、第二寄生参数，计算得到晶体管的本征参数；根据所述第一寄生参数、所述第二寄生参数及所述本征参数建立所述晶体管的小信号模型本发明实施例能够有效提取晶体管栅极和漏极全部寄生电容，从而能够有效提高建模的精确度，有利于指导器件设计及性能提升。
一种晶体管信号建模方法装置

[发明专利]相邻连线间的寄生电容参数估算方法和电路优化方法-CN201310109638.4有效
发明人：吴玉平;陈岚;吕志强 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种相邻连线间的寄生电容参数估算方法和电路优化方法，在电路优化过程中应用相邻连线间的寄生电容参数估算方法。同时，在电路优化过程中把对所述电路物理版图中各个相邻连线间的寄生电容参数进行提取得到寄生电容参数提取值这一步放置在电路优化的循环体之外，在所述循环体中，代之循环执行费时极少的所述依据构建的电路中相邻连线间的寄生电容参数估算函数估算电路中相邻连线之间的寄生电容参数的步骤加速了整个优化过程
相邻连线寄生电容参数估算方法电路优化

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