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[发明专利]大型模拟电路寄生参数等效模型的建立方法和系统-CN202210300605.7在审
发明人：张文尧;夏群兵;胡海军;陈光明 -专利权人：深圳市爱协生科技有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明提供一种大型模拟电路寄生参数等效模型的建立方法和系统，包括获取大型模拟电路中前级电路模块、后级电路模块之间互连线所对应的电容寄生参数，确定电容寄生参数的容量总和，将容量总和进行N等分；获取大型模拟电路中前级电路模块、后级电路模块之间互连线所对应的等效电阻参数，确定等效电阻参数的阻值总和，将阻值总和进行N等分；建立分布式N阶等效RC模型，分布式N阶等效RC模型用于代替级电路模块、后级电路模块之间的互连线进行仿真。本发明将版图中长距离走线引起的寄生参数用简洁精准的RC网络代替，可适用于评估两级电路之间长走线的寄生参数对前级电路的影响，还可优化后仿真速度，适用于大型模拟电路的后仿真验证。
大型模拟电路寄生参数等效模型建立方法系统

[发明专利]一种确定端口寄生电感及可伸缩模型的方法-CN201910183149.0有效
发明人：刘林林;冯悦怡;王全;郭奥;周伟 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明公开的一种确定端口寄生电感的方法，包括如下步骤：S01：确定待测器件中包含寄生电感的端口；S02：针对每一个含有寄生电感的端口，构建其对应的端口辅助结构；S03：分别建立各端口辅助结构的子电路模型，所述子电路模型中包括串联的寄生电阻和寄生电感；S04：获取各个端口辅助结构的S参数，并基于S参数提取对应子电路模型中的寄生电感值；即为所述待测器件中该端口对应的寄生电感值。本发明提供的一种确定端口寄生电感及可伸缩模型的方法，通过建立端口辅助结构及其子电路模型，确定待测器件的端口寄生电感，再通过端口寄生电感与器件版图尺寸之间的关系，建立可以确定端口寄生电感的可伸缩模型，从而准确确定各个待测器件的端口寄生电感
一种确定端口寄生电感伸缩模型方法

[发明专利]寄生电阻可视化方法、装置、系统、电子装置和存储介质-CN202210784903.8在审
发明人：李索;李嵩 -专利权人：杭州行芯科技有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本申请涉及一种寄生电阻可视化方法、装置、系统、电子装置和存储介质，其中，该寄生电阻可视化方法包括：获取预设的寄生参数网表，并获取该寄生参数网表中的网表节点和寄生电阻，显示该网表节点和该寄生电阻；获取针对该网表节点的节点选择信息，从该寄生电阻中获取与该节点选择信息相匹配的第一电阻，并根据预设的重点标识信息至少显示第一电阻；根据该第一电阻至少获取该第一电阻的端到端等效阻值并显示。通过本申请，解决了寄生电阻可视化方法功能单一且可视化效率低的问题，实现了寄生电阻的高效可视化。
寄生电阻可视化方法装置系统电子存储介质

[发明专利]一种GaNHEMT器件寄生参数的提取方法-CN201711130805.8在审
发明人：陈勇波 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN HEMT器件寄生参数的提取方法，包括以下步骤将夹断偏置条件下的测试数据分为低频段、中频段和高频段三个频段，分别在低频段提取寄生电容和本征电容，在高频段提取寄生电感；结合零偏置条件和夹断偏置条件下的测试数据，提取GaN HEMT器件的寄生电阻；在夹断偏置条件下，评估全频段内模型的精度，计算误差大小；执行最优参数搜索的循环程序，搜索全频段内模型误差最小值对应的一组寄生参数值。本发明属于一种“半直接”的提取方法，具有传统“直接提取法”的优点，即提取方法简单、提取的值可信；同时，该方法由于引入了一个最优参数搜索算法，可以减小参数提取结果受测试不确定性的影响，提取精度较高。
一种 ganhemt 器件寄生参数提取方法

[发明专利]一种基于温度效应的椭圆锥台形TSV的参数提取方法-CN202011282056.2在审
发明人：吕红亮;关文博;谭静茹;严思璐;赵冉冉;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于温度效应的椭圆锥台形TSV的参数提取方法，包括：建立包含键合凸点的椭圆锥台形TSV的物理模型；提取包含键合凸点的椭圆锥台形TSV的寄生电阻；提取包含键合凸点的椭圆锥台形TSV的寄生电感；提取包含键合凸点的椭圆锥台形TSV的寄生电容；建立包含键合凸点的椭圆锥台形TSV寄生参数对应的等效电路；对包含键合凸点的椭圆锥台形TSV的物理模型和等效电路进行S参数仿真。该参数提取方法完整考虑了键合凸点的结构，特别是考虑了键合凸点对TSV电阻和电容产生的耦合影响，能够更加准确地提取TSV各寄生参数。
一种基于温度效应椭圆锥台形 tsv 参数提取方法

[发明专利]一种网表文件的显示方法、电子设备及计算机存储介质-CN202310807477.X在审
发明人：张勇;李嵩;赵小磊 -专利权人：杭州行芯科技有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G06F3/0483 文献下载
摘要：方法包括：响应于文件选择操作，获取至少一个目标网表文件，目标网表文件包括寄生参数值与对应的网络节点，以及网络节点的节点坐标；根据至少一个目标网表文件在显示区域输出热图，其中，热图包括多个单元，单元的位置与网络节点的节点坐标相关联，各单元的颜色用于表征基于各单元关联的节点坐标和寄生参数值确定的单元寄生参数值。本申请的技术方案，通过输出单元的位置与网络节点的节点坐标相关联、单元的颜色表征寄生参数值的热图来对网表文件进行可视化，使用户从热图中能够直观了解网表文件的寄生参数信息和节点信息，提高对网表文件的误差查找效率及准确性
一种文件显示方法电子设备计算机存储介质

[发明专利]一种模拟集成电路前仿过程的预测寄生参数方法及系统-CN202211130816.7在审
发明人：刘乘杰;杜力;杜源 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本申请涉及模拟集成电路设计技术领域，提供一种模拟集成电路前仿过程的预测寄生参数方法及系统，包括获取待预测的原理图文件；从所述待预测的原理图文件中提取器件参数和器件关系，得到器件抽象逻辑集合；将所述器件抽象逻辑集合输入至预先建立的图神经网络模型中，输出伪寄生参数集合；读取模拟集成电路所采用的生产工艺，以及，根据所述生产工艺和所述伪寄生参数集合，得到模拟集成电路的实际寄生参数集合。本申请实施例基于深度学习神经网络，对原理图读取、寄生参数预测以及仿真流程进行了有效的整合，减少了芯片设计者在原理图设计与版图设计之间的迭代次数，实现高效辅助人工设计，极大地提高了模拟集成电路的设计效率以及设计速度
一种模拟集成电路过程预测寄生参数方法系统

[发明专利]一种IGBT模块的寄生电感提取方法和装置-CN201710797220.5在审
发明人：张喆;李现兵;张朋;林仲康;石浩;韩荣刚;田丽纷;武伟 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种IGBT模块的寄生电感提取方法和装置，所述方法包括建立IGBT模块的阻抗等效模型；获取所述阻抗等效模型中每个支路的端阻抗；根据所述端阻抗计算所述IGBT模块的寄生电感。该方案通过根据IGBT模块内部各个电路的特性建立其对应的阻抗等效模型，结合实验测量的方式分别获取该阻抗等效模型中每个支路的端阻抗，根据每个支路的端阻抗以及IGBT模块内部电感的分布情况计算得到每个支路的寄生电感，最终可以得到整个IGBT模块的寄生电感，与现有技术相比，将寄生电感参数的提取单独分出来，避免了将寄生参数设置为一个集总参数带来的数据分析上的不便，为IGBT模块的封装设计提供了更加准确的数据参考。
一种 igbt 模块寄生电感提取方法装置

[发明专利]一种含寄生参数的振荡回路及直流转换开关-CN202110782810.7在审
发明人：蒋紫薇;宁雪峰;刘泽槐;黄漫欣 -专利权人：广东电网有限责任公司;广东电网有限责任公司东莞供电局
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H02H7/26 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种含寄生参数的振荡回路及直流转换开关，其中，振荡回路包括：电容单元，电容单元包括多条振荡支路，多条振荡支路之间并联连接；每条振荡支路包括多个串联连接的电容，每个电容含有的寄生参数包括寄生电感和寄生电阻本发明实施例提供的技术方案结合振荡回路中电容实际连接方式，提出多个电容串并联的组合形式，并结合考虑了电容含有的寄生电感和寄生电阻对产生的振荡交流电的影响，改善了电容参数不匹配的问题，从而提高了直流转换开关的开断成功率
一种寄生参数振荡回路直流转换开关

[发明专利]集成电路版图寄生参数的反标/分析流程-CN200510093666.7有效
发明人：苏毅;戴斌华;郑赟;江红英;张萍;王勇;侯劲松 -专利权人：北京中电华大电子设计有限责任公司
申请日： 2005-09-01 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明集成电路版图寄生参数的反标/分析流程是根据设计层次中的模块划分情况，将版图上的寄生参数处理后反标到原理图上，提供一种直观的了解版图寄生情况的方法，帮助设计者分析它们对电路的影响，快速定位错误，提高
集成电路版图寄生参数分析流程

[发明专利]用于寄生参数提取的添加的版图单元及寄生参数提取方法-CN201910092784.8在审
发明人：闫星臣;任丛飞;郭美兴;郭俊彦 -专利权人：贵州华芯通半导体技术有限公司
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：提供了用于提取标准单元的寄生参数的添加的版图单元和方法，其中添加的版图单元被设置于待提取标准单元周围用于模拟待提取标准单元的周围布线环境，添加的版图单元包括：上部，与待提取标准单元的上侧相连接；下部，与待提取标准单元的下侧相连接
标准单元版图单元右部左部寄生参数提取侧相布线环境寄生参数预定距离

[发明专利]一种高槲皮素含量桑寄生糖浆剂及其制备方法-CN202011336390.1在审
发明人：田春林;宾月景;庄海渊;叶美麟 -专利权人：梧州学院
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： A23L33/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种高槲皮素含量桑寄生糖浆剂及其制备方法，属于食品加工领域。高槲皮素含量桑寄生糖浆剂由桑寄生提取液和单糖储备液混合后听过微波提取制成；所述桑寄生提取液和单糖储备液的体积比为1:3‑5。高槲皮素含量桑寄生糖浆剂其制备方法包括：将桑寄生粉碎后过筛；微波提取；分离残渣；再次微波提取。本发明通过研究桑寄生的槲皮素的最佳工艺参数，得到最高2.86％的槲皮素提取率；然后根据其最佳工艺参数制备一种桑寄生糖浆剂，其桑寄生糖浆剂的槲皮素含量最高能达到12.0％。本发明同时对桑寄生糖浆剂的抗氧化性含量进行研究，最终得到一种具有良好抗氧化性能的桑寄生保健产品，为桑寄生的医疗保健用途提供了较好的成果。
一种高槲皮素含量桑寄生糖浆及其制备方法

[发明专利]一种新能源汽车无线充电系统电磁干扰发射电路模型的建模方法-CN201910363165.8在审
发明人：翟丽;钟广缘 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：该装置包括：人工电源网络、滤波电容、逆变器、初级侧补偿拓扑、初级线圈、次级线圈、次级侧补偿拓扑、整流器、滤波器、电池和寄生模型；人工电源网络由电阻与电容串联组成；滤波电容模型由电容构成；逆变器模型主要由金属‑氧化物半导体场效应晶体管组成；补偿拓扑模型由电感和电容串并联组成；线圈模型由电感构成；寄生模型包括滤波电容寄生参数、引线和连接线缆的寄生参数、线圈的寄生参数、补偿拓扑的寄生参数；线圈的对地分布电容、电池的对地分布电容
补偿拓扑寄生参数分布电容滤波电容逆变器电磁干扰发射人工电源网络无线充电系统电感新能源汽车电路模型寄生模型滤波器电池差模电磁干扰场效应晶体管电压传递函数共模电磁干扰氧化物半导体电容串并联差模干扰初级线圈次级线圈电容串联共模干扰连接线缆桥臂中点线圈模型影响因素电容整流器电阻建模传导金属分析

[发明专利]寄生RC网络的提取方法-CN201710370130.8有效
发明人：曹云 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供的一种寄生RC网络的提取方法，包括：获取包括多个器件的版图；于所述版图中定义辅助层；于所述辅助层中定义寄生RC区域；建立所述寄生RC区域与所述器件的端口之间的连接关系；提取所述寄生RC区域的寄生电阻、寄生电容，并计算出寄生电阻、寄生电容的参数。本发明中，可以将衬底中的寄生阻抗提取出来，提高电路设计的准确性。
寄生 rc 网络提取方法

[发明专利]半导体器件设计方法、系统和计算机程序产品-CN201210383333.8有效
发明人：喻秉鸿;黄正仪;王中兴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-10-10 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：在通过至少一个处理器实施的半导体器件设计方法中，通过不同工具来提取位于半导体部件的布局区域内部的电部件之间的至少一个第一寄生参数以及位于布局区域外部的电部件之间的至少一个第二寄生参数。提取的寄生参数结合在布局中。本发明还提供了半导体器件设计系统和计算机程序产品。
半导体器件设计方法系统计算机程序产品