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[发明专利]一种精密分流器-CN201610849742.0有效
发明人：王书强;李亚禄;崔绍颖;陈少华;宋佳赟 -专利权人：北京东方计量测试研究所
申请日： 2016-09-24 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： G01R15/00 文献下载
摘要：采用这种结构寄生电容小，量程大，且参数可设计调整。
一种精密分流器

[发明专利]一种DCM boost变换器及其电流重整形控制方法和控制器-CN202210788400.8在审
发明人：童乔凌;罗雷明;闵闰;杨冰;袁俊;刘宁宇;吴畅 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H02M1/42 文献下载
摘要：这样就得到了与寄生参数相关的阻尼比系数{Pdamp1,Pdamp2，Pdamp3寄生参数对输入电流的影响，最终提高功率因数。其基本思想是通过上述求得的阻尼比系数。推导出补偿增益Kd(ωt)来修正占空比，以此来抵消寄生参数引起的电流阻尼。将输入电流重整形为正弦波，最终提高功率因素。
一种 dcm boost 变换器及其电流整形控制方法控制器

[发明专利]一种毫米波器件在片测试结构的去嵌方法-CN201810391173.9有效
发明人：王全;刘林林;冯悦怡 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明公开了一种毫米波器件在片测试结构的去嵌方法，包括如下步骤：S01：在硅衬底上形成待测器件及其对应的开路去嵌结构和短路去嵌结构；S02：对上述待测器件、开路去嵌结构和短路去嵌结构进行S参数测试；S03：应用电磁场仿真模型仿真一个平板电容，该平板电容用于模拟上述开路去嵌结构中产生的寄生电容；并得出该电容的附加电容值；S04：将上述测试所得开路去嵌结构的的S参数转换为Y参数，去除开路去嵌结构中的附加电容，并进一步去嵌计算，得出待测器件本身的S参数。本发明公开的一种毫米波器件在片测试结构的去嵌方法，可以去除PAD结构和附带连线之间引起的在片测试结构的寄生效应，在射频微波毫米波应用中有较好的前景。
一种毫米波器件测试结构方法

[发明专利]高效率开关类功率放大器的晶体管建模方法-CN201610244706.1有效
发明人：陈勇波 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2016-04-19 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种高效率开关类功率放大器的晶体管建模方法，其包括：根据晶体管的类型选取等效电路拓扑；对晶体管进行冷场测试以及在不同偏置点条件下进行热场测试，提取外部寄生参数和本征参数；根据本征参数和外部寄生参数建立小信号等效电路模型
高效率开关功率放大器晶体管建模方法

[发明专利]超宽带电磁组合TEM喇叭天线及其参数确定方法-CN201910108787.6在审
发明人：纪奕才;杨光耀;阎焜;刘新;叶盛波;张群英;方广有 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2019-02-03 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01Q13/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种超宽带电磁组合TEM喇叭天线及其参数确定方法，其TEM喇叭天线包括：匚形方框、TEM喇叭上臂、TEM喇叭下臂、寄生枝节、介质垫片、SMA接头和凸台；电流通过所述SMA接头馈入TEM喇叭天线，TEM喇叭上臂馈电端与SMA接头内芯相连，介质垫片填充于上臂过渡段和下臂过渡段间，匚形方框、TEM喇叭上臂和寄生枝节围成封闭磁环，电流流经寄生枝节处发生分流。本公开通过上下臂椭圆渐变方式优化了TEM天线高频裂瓣，使高频增益提高；通过圆弧形寄生枝节增强低频辐射，拓展低频带宽；通过上下臂高度不对称设计调整最大辐射方向，使波束保持在x轴方向；通过过渡段代替巴伦，以介质垫片调节过渡阻抗
喇叭天线寄生上臂介质垫片过渡段喇叭方框参数确定超宽带上下臂下臂匚形波束不对称设计低频带宽低频辐射电流通过封闭磁环高频增益过渡阻抗渐变方式天线带宽最大辐射倍频程馈电端圆弧形椭圆巴伦馈入裂瓣内芯凸台填充天线分流拓展优化

[发明专利]一种漂移阶跃恢复二极管的等效电路模型-CN202310140503.8在审
发明人：向念文;倪征澳;李科杰;田鹏坤;谭永旭;柯一帆;秦呈呈;李兆坤;吴烨欣;王冬伟;李龙龙;孙典;雷佳华;苑乾坤;魏定生;王凌峰;张永纯;杜雨晨;杨翠玲;杨纯 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G06F30/36 文献下载
摘要：所述等效电路模型的拓扑结构包含寄生电阻、寄生电感、二极管D、压控开关、扩散电容、势垒电容、寄生电容和电压控制端口。渡越时间和梯度系数来表征所述漂移阶跃恢复二极管的多层P—N结构，所述势垒电容、扩散电容、压控开关及电压控制端口用于表征所述漂移阶跃恢复二极管在开关过程中的电容特性，同时还考虑了漂移阶跃恢复二极管的各种寄生参数
一种漂移阶跃恢复二极管等效电路模型

[实用新型]一种小型化垂直极化多频段工作的通信天线-CN201920062160.7有效
发明人：杜国孟;郑国敏;王维 -专利权人：西安雷讯电子科技有限责任公司
申请日： 2019-01-15 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本实用新型通过天线主辐射阵元、天线副辐射阵元、主寄生套筒条组、副寄生套筒条组、固定支架、反射安装底座射频馈电电缆的优化设计，调整天线主辐射阵元、天线副辐射阵元、主寄生套筒条组、副寄生套筒条组的尺寸、分布关系等参数将天线整体结构尺寸缩小的同时
天线寄生套筒垂直极化波束本实用新型辐射阵元天线整体通信天线多频段主辐射阵元天线技术领域安装底座尺寸缩小分布关系工作频带工作频段固定支架空间测控射频馈电天线调谐天线增益限制空间优化设计俯仰多波段宽频带反射电缆通信

[发明专利]一种低寄生电阻高电子迁移率器件及其制备方法-CN201310098550.7有效
发明人：王鹏飞;刘晓勇;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2013-03-25 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明属于高电子迁移率器件技术领域，具体涉及一种低寄生电阻高电子迁移率器件及其制备方法。本发明采用先栅工艺制造高电子迁移率器件，利用栅极侧墙来实现栅极与源极位置的自对准，减小了产品参数的漂移，同时，由于栅极被钝化层保护，可以在栅极形成之后通过外延工艺来形成器件的源极与漏极，降低了源、漏寄生电阻
一种寄生电阻电子迁移率器件及其制备方法

[发明专利]一种适于RFID的ESD保护电路及RFID芯片-CN201410737794.X在审
发明人：丁一;吴劲;段志奎;王德明 -专利权人：中山大学;广州中大微电子有限公司
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种适于RFID的ESD保护电路，包括GC-GGNMOS，所述GC-GGNMOS将固有的栅、漏交叠区的寄生电容作为耦合电容，并通过改变连接栅与地的多晶硅电阻的阻值来调整GC-GGNMOS的RC参数。包括：封装的pin脚、RFID芯片内部电路、以及位于封装的pin脚和RFID芯片之间起到保护作用的ESD保护电路，所述ESD保护电路包括GC-GGNMOS，所述GC-GGNMOS将固有的栅、漏交叠区的寄生电容作为耦合电容，并通过改变连接栅与地的多晶硅电阻的阻值来调整GC-GGNMOS的RC参数。
一种适于 rfid esd 保护电路芯片

[发明专利]一种建立向日葵抗列当水平标准的方法-CN201810782403.4在审
发明人：石胜华;张键;柳惠卿;杨剑锋;周洪友;赵君 -专利权人：内蒙古农业大学
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： A01G22/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种建立向日葵抗列当水平标准的方法，包括以下步骤：（1）向日葵列当种子的清洁和表面消毒；（2）向日葵种子的催芽；（3）向日葵根系分泌物收集；（4）向日葵列当种子的预处理；（5）向日葵列当种子的接种；（6）向日葵列当种子萌发率、寄生瘤结数及出茎数的观察和统计本发明建立室内条件下快速诱导向日葵列当萌发，从多个参数中筛选出影响较大的参数指标，由于列当种子的萌发率在不同抗性水平品种之间无显著差异，而瘤节形成数在不同抗性水平品种间差异显著，所以用列当寄生的瘤结数作为评价向日葵抗列当水平的标准
向日葵列当列当向日葵抗性水平水平标准预处理根系分泌物品种间差异向日葵种子种子萌发率表面消毒参数指标室内条件显著差异萌发率催芽寄生瘤节接种诱导筛选清洁观察统计

[发明专利]一种低输入电流谐波的断续模式PFC变换器-CN201610499208.1在审
发明人：满灿;宋俊超 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H02M1/42 文献下载
摘要：本发明能够克服断续模式PFC变换器寄生参数的影响，减小输入电流谐波，提高变换器效率，降低变换器对开关管和续流二极管寄生参数的要求，节省器件成本。
一种输入电流谐波断续模式 pfc 变换器

[发明专利]动静态均流的多芯片并联的功率模块-CN201610407686.5在审
发明人：曾正;邵伟华;冉立;胡博容 -专利权人：重庆大学
申请日： 2016-06-12 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明提供的动静态均流的多芯片并联的功率模块，包括陶瓷覆铜板和功率芯片，所述功率芯片数量为多个，每个功率芯片一一对应设置于结构相同的陶瓷覆铜板上，陶瓷覆铜板以轴对称方式沿圆周方向设置；本发明通过圆形的物理对称结构实现电气参数的对称，通过最优化的布局设计确保多芯片并联的功率模块每个支路寄生参数的最小化并且分布基本一致，有助于解决多芯片并联模块的电流分布不均问题。本发明提及的多芯片模块设计方法能够更好的实现功率模块的动态均流和静态均流，提升功率模块的容量利用率，并且通过减小寄生电感的副作用，适应快速开关过程和高频电力电子变换器。
静态芯片并联功率模块

[发明专利]一种高频变压器寄生参数的测量装置-CN201910139650.7在审
发明人：苏东林;朱凯翔;徐辉;彭珍珍 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高频变压器寄生参数的测量装置，包括：电源模块、信号发生模块、信号获取模块、信号分析模块以及信号调节模块；信号发生模块向待测高频变压器发送的激励信号为方波信号，无需对待测高频变压器进行扫频测量测量次数大大减少，降低了对于测量装置和实际操作的要求，并且，通过信号调节模块调节待测高频变压器输出给信号获取模块的模拟信号，使得信号分析模块可以接收的不同的数字信号并根据不同的数字信号分析得出待测高频变压器的寄生参数
高频变压器测量装置寄生参数信号调节模块信号发生模块信号分析模块信号获取模块测量矢量拟合数字信号分析电源模块方波信号分析过程激励信号模拟信号时域测量数字信号扫频发送输出

[发明专利]一种双频可重构MMIC异相功率放大器及其调控方法-CN202111536406.8在审
发明人：陈世昌;刘康宁;赵鹏;王高峰 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：该放大器包括宽带输入匹配电路，RC稳定电路，双频寄生参数补偿电路，双频可重构功率合成电路，以及后匹配电路。双频寄生参数补偿电路采用T型结构提供两个频率下需要的输入电纳，双频功率合成电路采用开关控制合成器上下路并联电容的大小，通过并联不同容值的电容来实现合成器上下路等效电长度关于90°中心对称的效果。
一种双频可重构 mmic 功率放大器及其调控方法

[发明专利]一种改善半导体器件性能的方法-CN202111555446.7在审
发明人：于凯;杨晓菲 -专利权人：西安中车永电电气有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：通过本发明提出的冗余结构设计，调节器件的电气特性，改善了多芯片并联电气性能，改善了器件寄生参数不平衡所导致的器件性能不佳问题，实现对器件内部各芯片电气性能的精细化控制，提高了器件的可靠性、安全性，延长了器件的使用寿命，缓解了版图不对称或器件寄生参数不平衡所导致的器件电气性能可靠性不优的问题，实现了对器件内部各串、并联芯片电气性能的精细化控制。
一种改善半导体器件性能方法