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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件-CN202110587495.2在审
发明人：薮内诚 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：该半导体器件包括：与匹配线连接的多个存储器单元；与字线连接的字线驱动器；被配置为存储有效位的有效单元，有效位指示条目的有效或无效；第一预充电电路，与匹配线的一端连接并且被配置为将匹配线预充电到高电平；以及第二预充电电路多个存储器单元被布置在第一预充电电路和第二预充电电路之间，并且第二预充电电路被布置在字线驱动器和多个存储器单元之间。
半导体器件

[发明专利]混合堆叠写驱动器-CN201810755948.6有效
发明人： A·桑卡尔;凡卡崔汉文·宾维杰亚拉梵 -专利权人：马维尔亚洲私人有限公司
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G11C11/34 文献下载
摘要：本发明涉及混合堆叠写驱动器，其中，一种电路包括具有存储器单元及位线的存储器阵列。写驱动器通过列选择晶体管与该位线连接。写辅助电路与该写驱动器连接。该负升压晶体管自该数字线连接至该共同升压节点。在针对该存储器阵列的选定单元的写操作期间，该负升压晶体管将该存储器阵列的该选定单元的该位线选择性拉至地。该写辅助电路可包括自第一数字线连接至该共同升压节点的第一负升压晶体管，自第二数字线连接至该共同升压节点的第二负升压晶体管，以及自该共同升压节点连接至地的保持晶体管。
混合堆叠驱动器

[发明专利]输出存储电路在自刷新模式的信息的电路及其相关方法-CN201710796491.9在审
发明人：夏浚;陈和颖;张正男 -专利权人：钰创科技股份有限公司
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：所述电路包含驱动器。所述驱动器耦接于所述存储电路内的自刷新控制电路和自刷新地址计数器，用于当自刷新模式信号和测试模式信号启用且所述存储电路进入所述自刷新模式时，驱动所述存储电路内的多个衬垫输出对应所述自刷新模式信号的多个内部信号的信息，以及输出所述存储电路内对应所述多个内部信号的多条字线的地址的信息，其中所述多条字线的每一字线对应所述多个内部信号的一内部信号。因此，相较于现有技术，测试者将较容易根据所述多个内部信号的信息和所述多条字线的地址的信息，排除所述存储电路的故障。
输出存储电路刷新模式信息及其相关方法

[发明专利]用于控制字线放电的设备及方法-CN202080027375.0在审
发明人：铃木尊雅 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： G11C11/408 文献下载
摘要：本文公开用于以渐进方式驱动字驱动器线的设备及方法。字驱动器线可被驱动到高与低电势之间的中间电势。在一些实例中，所述字驱动器线可以逐步方式被驱动。在一些实例中，所述中间电势可为偏置电压。所述偏置电压可由偏置电压产生器提供。一或多个启用信号可用于控制所述字驱动器线的所述驱动。在一些实例中，地址信号可用于控制所述字驱动器线的所述驱动。在一些实例中，以渐进方式驱动所述字驱动器线可致使字线以渐进方式放电。
用于控制放电设备方法

[发明专利]字线驱动器以及存储装置-CN202211138984.0在审
发明人：赵阳;车载龙;金成镇;韩东玄 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G11C8/14 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种字线驱动器以及存储装置，字线驱动器包括：第一保持晶体管和第二保持晶体管；有源区，有源区包括：沿第一方向延伸的主体部以及与部分主体部相邻接且位于主体部一侧的凸出部，凸出部具有第一源区和第二源区
驱动器以及存储装置

[发明专利]存储器设备-CN202210354837.0在审
发明人：李玟洙;柳民泰;李元锡;赵珉熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：公开了一种存储器设备，包括：基于来自外部设备的行地址来生成字线(WL)控制信号的行解码器；包括连接到字线的存储器单元的第一子阵列；基于与奇数编号的字线相对应的奇数编号的WL控制信号来向字线中奇数编号的字线提供选择电压或非选择电压的第一子字线驱动器(SWD)；以及基于与偶数编号的字线相对应的偶数编号的WL控制信号来向字线中偶数编号的字线提供选择电压或非选择电压的第二SWD。第一SWD响应于偶数编号的WL控制信号来向偶数编号的字线的非选择字线施加非选择电压，并且第二SWD响应于奇数编号的WL控制信号来向奇数编号的字线的非选择字线施加非选择电压。
存储器设备

[发明专利]字线追踪系统-CN200910134149.8有效
发明人：郑宏正;廖宏仁;李政宏;蔡睿哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-04-13 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：一种字线追踪系统，包括行空白的存储器单元、自我时序产生器、电压至电流转换器、电流至电压转换器与线。空白的存储器单元行与一行或多行普通的存储器单元具有大体相同的结构，并包括具有相对的第一末端与第二末端的空白字线，其中第一末端耦接至空白字线驱动器。自我时序产生器用以接收时钟脉冲信号并为空白字线驱动器产生与时钟脉冲信号同步的脉冲信号，以及具有第一端点用以接收反馈信号并用以决定脉冲信号的下降沿。电压至电流转换器耦接至第二末端。电流至电压转换器耦接至第一端点。线用以耦接电压至电流转换器至电流至电压转换器。本发明可有效解决现有技术存在的问题，在字线的远端仍可维持适当的脉冲宽度，不会最后造成功能失效。
追踪系统

[发明专利]半导体存储器件及其弱单元检测方法-CN201611242723.8有效
发明人：金六姬 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： G11C29/40 文献下载
摘要：一种半导体存储器件，包括：多个存储块；多个位线感测放大器，所述位线感测放大器被所述多个存储块中相邻的存储块共享，并且适用于感测并放大经由位线从耦接至被激活的字线的存储单元读取的数据，以及经由多个分段数据线输出放大数据；字线驱动器，所述字线驱动器适用于在测试模式期间激活不共享所述位线感测放大器的存储块的字线；以及弱单元检测电路，所述弱单元检测电路适用于：在所述测试模式期间，压缩经由所述多个分段数据线传输的所述放大数据以产生压缩数据
半导体存储器件及其单元检测方法

[发明专利]高速、低压非易失存储器-CN03133194.7无效
发明人：梅迪·杰扎耶瑞;爱德华·S·辉;乔治·J·科尔施 -专利权人：爱特梅尔股份有限公司
申请日： 1996-07-19 - 公布日： 2004-03-03 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：一种在读操作期间，通过将字线充电到高于Vcc的电压来提高读取速度的低电压EPROM。交替地将电荷放到字线上的两个电压泵(17，18)从温敏振荡器(13)接收相位相反的控制信号。来自二电压泵(17，18)的电压通过一零阈值电压n型通路器件(PAn)传送到某一字线(WL0n－WL3n)。零阈值电压n型通路器件(PAn)从第三电压泵(19)接收其控制信号。为了使低电压EPROM与标准的5伏编程器兼容，每一输出驱动电路包含用在低电压Vcc条件下的大输出驱动器(55)和用在标准5伏Vcc条件下的较小输出驱动器(57)。
高速低压非易失存储器

[发明专利]高速、低压非易失存储器-CN96190845.9无效
发明人：梅迪·杰扎耶瑞;爱德华·S·辉;乔治·J·科尔施 -专利权人：爱特梅尔股份有限公司
申请日： 1996-07-19 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种在读操作期间，通过将字线充电到高于Vcc的电压来提高读取速度的低电压EPROM。交替地将电荷放到字线上的两个电压泵(17，18)从温敏振荡器(13)接收相位相反的控制信号。来自二电压泵(17，18)的电压通过一零阈值电压n型通路器件(PAn)传送到某一字线(WL0n-WL3n)。零阈值电压n型通路器件(PAn)从第三电压泵(19)接收其控制信号。为了使低电压EPROM与标准的5伏编程器兼容，每一输出驱动电路包含用在低电压Vcc条件下的大输出驱动器(55)和用在标准5伏Vcc条件下的较小输出驱动器(57)。
高速低压非易失存储器

[发明专利]半导体存储器件及用于控制半导体存储器件的方法-CN201310359006.3无效
发明人：小泽敬 -专利权人：富士通半导体股份有限公司
申请日： 2013-08-16 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：半导体存储器件（10）包括字线（WL0、WL1）、与所述字线交叉的位线对（B00、xB00、B11、xB11）以及设置在所述字线与所述位线对交叉处的存储单元（C000至C111）。与所述字线之一对应地设置的字线驱动器（21）输出第一电压（VD1）或第二电压（VDD）。电势检测电路（BD00）与至少一个位线对对应地被设置以检测所述位线对处的电势并且生成检测信号（DS00）。字线电压调节电路（31）根据来自电势检测电路的检测信号将字线驱动器的输出电压从第一电压改变至第二电压。读出放大器（SA0）对位线对中的所选择用于访问的一个位线对的电势差进行放大。
半导体存储器件用于控制方法

[发明专利]多层存储器及其制作方法-CN201910355516.0有效
发明人：金允哲;吴振勇;阮庆仲;梅文龙 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种多层存储器及其制作方法。多层存储器包括：多个存储层的堆叠结构，存储层具有第一边缘区域和第二边缘区域；第一电路层，位于堆叠结构的第一端面且具有字线驱动器；字线驱动器通过驱动线与存储层连接；第m个存储层的驱动线，包括：第一部分，连接第m个存储层的第一边缘区域和字线驱动器；第二部分，与字线驱动连接；第三部分，平行于第一部分并穿透第二电路层，其中，第二电路层位于堆叠结构的第二端面，第二端面与第一端面相对设置；第四部分，位于第二电路层上；
多层存储器及其制作方法

[发明专利]低功率和快速存储器复位-CN202210817905.2在审
发明人： H·拉瓦特;P·K·维玛 -专利权人：意法半导体国际有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G11C7/20 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及低功率和快速存储器复位。一种存储器复位方法包括：对存储器阵列的位线进行预充电，在复位节点处断言信号以移除预充电电压，以及选择与位线相关联的写入驱动器，位线与包括待复位的存储器单元的存储器阵列的列相关联；其中在复位节点处断言信号还导致将期望的逻辑状态施加到所选择的写入驱动器的输入，以使那些所选择的写入驱动器改变与那些写入驱动器相关联的位线的逻辑状态。方法继续断言与存储器的、包含待复位的存储器单元的行相关联的每个字线，以在单个时钟周期期间将期望的逻辑状态写入到存储器的列和行的、待复位的所有存储器单元，并且然后解除断言那些字线。
功率快速存储器复位

[发明专利]用于静态随机存取存储器的温度补偿读取辅助电路-CN201710250231.1有效
发明人： D·K·加纳丹;A·库玛;H·乔拉;P·K·维玛 -专利权人：意法半导体国际有限公司
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：公开了用于静态随机存取存储器的温度补偿读取辅助电路。存储器电路包括：字线；存储器单元，这些存储器单元连接至该字线；以及字线驱动器电路，该字线驱动器电路包括p沟道上拉晶体管。该存储器电路进一步包括读取辅助电路，该读取辅助电路包括n沟道下拉晶体管和n沟道二极管接法晶体管，其中，该n沟道下拉晶体管具有连接在该字线与接地节点之间的源漏路径，该n沟道二极管接法晶体管具有连接在正电源节点与该
用于静态随机存取存储器温度补偿读取辅助电路

[实用新型]存储器电路-CN201720404815.5有效
发明人： D·K·加纳丹;A·库玛;H·乔拉;P·K·维玛 -专利权人：意法半导体国际有限公司
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： G11C11/409 文献下载
摘要：一种存储器电路，该存储器电路包括字线；存储器单元，这些存储器单元连接至该字线；以及字线驱动器电路，该字线驱动器电路包括p沟道上拉晶体管。该存储器电路进一步包括读取辅助电路，该读取辅助电路包括n沟道下拉晶体管和n沟道二极管接法晶体管，其中，该n沟道下拉晶体管具有连接在该字线与接地节点之间的源漏路径，该n沟道二极管接法晶体管具有连接在正电源节点与该
存储器电路

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