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- [发明专利]电阻式随机存取存储器-CN201510024293.1有效
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崔明灿
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华邦电子股份有限公司
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2015-01-19
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2019-03-15
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G11C13/00
- 本发明提供一种电阻式随机存取存储器，包括多条字线、位线、源极线以及一存储阵列。存储阵列，具有多个存储单元，设置在所述字线与所述位线的交界处，以形成一矩阵。每一存储单元包括一电阻式存储装置与一开关。每一条源极线被配置在两条字线之间，其中每一条源极线耦接到所述开关的多个源极端，且单独被一源极线驱动器所驱动。源极线驱动器接收命令信号与地址信号，将源极线的电压电平改变为第一电压电平。本发明可以通过施加不同的操作电压来切换存储器的多种逻辑状态，从而进行数据存储。
- 电阻随机存取存储器
- [发明专利]半导体存储器及存储器系统-CN201810886131.2有效
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高际辉男
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铠侠股份有限公司
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2018-08-06
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2023-08-01
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G11C16/04
- 实施方式提供一种能提高存储单元中所存储的数据的恢复能力的半导体存储器及存储器系统。实施方式的半导体存储器包含多个第1及第2存储单元、分别连接于多个第1及第2存储单元的多条第1及第2位线、共通连接于多个第1及第2存储单元各者的字线、以及驱动器。若接收第1指令，则执行第1动作。在第1动作中，驱动器对字线：施加多种第1读出电压，施加多种第1读出电压中的一种而对多个第1存储单元进行读出，施加多种第2读出电压，施加多种第2读出电压中的一种而对多个第2存储单元进行读出。
- 半导体存储器系统
- [发明专利]字线控制电路-CN201510007862.1有效
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黄世煌
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联发科技股份有限公司
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2012-07-03
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2017-06-16
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G11C8/08
- 本发明提供一种字线控制电路，包括第一PMOS晶体管，耦接于第一电压端与第一节点之间，具有栅极耦接至第一选择信号；第一NMOS晶体管，耦接于第二节点与第二电压端之间，具有栅极耦接至反相第一选择信号，其中反相第一选择信号是通过反转第一选择信号而得；以及多个字线驱动器，多个字线驱动器至少其中之一包括第一反相器及第二反相器，其中第一反相器的正电源端耦接至第一电压端，第一反相器的负电源端耦接至第二节点，第二反相器的正电源端耦接至第一节点，而第二反相器的负电源端耦接至第二电压端
- 控制电路
- [发明专利]集成组合件内的参考电压发生器-CN202111360550.0在审
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铃木尊雅;佐藤康夫;何源;李贤義
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美光科技公司
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2021-11-17
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2022-09-27
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G11C5/14
- 本申请涉及一种集成组合件内的参考电压发生器。一些实施例包含一种集成组合件，其具有具备存储器单元和经配置以用于寻址所述存储器单元的感测/存取线的存储器区，且具有接近于所述存储器区的参考电压发生器。所述参考电压发生器包含与所述感测/存取线基本上相同地配置的电阻单元。一些实施例包含一种集成组合件，其具有具备存储器单元、数字线和字线的存储器区。所述存储器单元中的每一个利用所述字线中的一个以及所述数字线中的一个来唯一地寻址。所述字线与驱动器电路系统耦合，且所述数字线与感测电路系统耦合。参考电压发生器接近于所述存储器区。所述参考电压发生器包含与所述字线基本上相同地配置的电阻单元，和/或包含与所述数字线基本上相同地配置的电阻单元。
- 集成组合参考电压发生器
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