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[发明专利]非易失性存储器件-CN201711104792.7有效
发明人：吴星来;金镇浩;金东赫;丁寿男 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L27/11553 文献下载
摘要：一种非易失性存储器件，该非易失性存储器件包括：在基板中形成并且沿着第一方向布置的多个阱区；包括形成在基板上方并且分别与多个阱区相对应的多个子块的存储块；以及设置在存储块上方并沿着第一方向延伸的多条位线。多个子块中的每个子块包括：在对应的阱区和多条位线之间沿着垂直方向形成的沟道层，以及沿沟道层堆叠在基板上方的多条字线、至少一条漏极选择线和至少一条防擦除线。在擦除操作中，擦除电压被施加到与所选子块对应的阱区，并且防擦除电压被施加到包括在未选子块中的防擦除线，可以防止将擦除电压传送到未选子块。
非易失性存储器

[发明专利]发光二极管-CN202310857688.4在审
发明人：林文禹;叶孟欣;罗云明;曾建尧;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管外延片，其包括N型导通层、多量子阱和P型导通层，多量子阱的至少两个周期结构中每一个周期堆叠顺序为第一子层、第二子层和第三子层，第一子层为势阱，所述第二子层为势垒，并且所述第一子层的能级带隙Eg1、第二子层的能级带隙Eg2和第三子层的能级带隙Eg3的关系为Eg1Eg2Eg3。
发光二极管

[发明专利]发光二极管-CN201880025463.X有效
发明人：林文禹;叶孟欣;罗云明;曾建尧;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管外延片，其包括N型导通层、多量子阱和P型导通层，多量子阱的至少两个周期结构中每一个周期堆叠顺序为第一子层、第二子层和第三子层，第一子层为势阱，所述第二子层为势垒，并且所述第一子层的能级带隙Eg1、第二子层的能级带隙Eg2和第三子层的能级带隙Eg3的关系为Eg1Eg2Eg3。
发光二极管

[实用新型]一种发光二极管外延片及发光二极管-CN201820744363.X有效
发明人：林文禹;叶孟欣;罗云明;曾建尧;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种发光二极管外延片及发光二极管，其包括N型导通层、多量子阱和P型导通层，多量子阱的至少两个周期结构中每一个周期堆叠顺序为第一子层、第二子层和第三子层，第一子层为势阱，所述第二子层为势垒，并且所述第一子层的能级带隙Eg1、第二子层的能级带隙Eg2和第三子层的能级带隙Eg3的关系为Eg1
子层带隙能级势垒发光二极管外延发光二极管多量子阱载流子辐射复合效率本实用新型差异设计元件操作周期结构凸出堆叠势阱溢流局限

[实用新型]一种LED结构-CN202123217328.3有效
发明人：刘慰华 -专利权人：无锡晶湛半导体有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED结构，包括衬底，以及在衬底上依次层叠设置的第一半导体层、量子阱结构以及第二半导体层，量子阱结构包括至少一层量子阱层，量子阱层包括靠近衬底一侧的势阱层、远离衬底一侧的势垒层以及设置于势阱层和势垒层之间的应力调制结构；应力调制结构的设置一方面避免了势阱层中的In元素分离逃逸，有效提高了势阱层的晶体质量，另一方面应力调制结构与下方结构间存在内建应力，使得在外部施加电场的情况下有利于载子在注入到应力调制结构下表面时实现二维扩展，进一步提高载子在势阱层中辐射复合的效率，从而提升LED结构的内量子效率。
一种 led 结构

[发明专利]氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法-CN201910061710.8有效
发明人：陶章峰;程金连;曹阳;乔楠;李鹏;胡加辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：所述氮化镓基发光二极管外延片包括设置在所述多量子阱层和所述电子阻挡层之间的插入层，所述插入层包括多个周期的超晶格结构，每个超晶格结构均包括第一子层和设置在所述第一子层上的第二子层，所述第一子层为BInN层，所述第二子层为BAlN层。通过设置插入层可以改善多量子阱层的最后一个GaN垒层和电子阻挡层之间因晶格不匹配导致的电子阻挡层的能带向下弯曲现象，提高电子和空穴的辐射复合率，最终提高LED的发光效率。
氮化发光二极管外延及其制造方法

[发明专利]一种高应变半导体结构及其制备方法-CN202210069124.X有效
发明人：王俊;肖垚;陈湘榴;邓国亮;杨火木;周昊;王树同;张弘;张志成;肖啸;程洋;苟于单;廖新胜;闵大勇;李泉灵 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;四川大学
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明提供一种高应变半导体结构及其制备方法，高应变半导体结构的复合有源层中，第一组分渐变层中的铟含量小于量子阱层中的铟含量且大于第一势垒层中的铟含量，第二组分渐变层中的铟含量小于量子阱层中的铟含量且大于第二势垒层中的铟含量；所述第一组分渐变层中若干第一子渐变层中的铟组分含量随着第一子渐变层的层数的增加满足高斯函数的递增区，所述第二组分渐变层中若干第二子渐变层中的铟组分含量随着第二子渐变层的层数的增加满足高斯函数的递减区；第一应力补偿层和第二应力补偿层中铟的含量为零；量子阱层、第一组分渐变层和第二组分渐变层用于激射光。
一种应变半导体结构及其制备方法

[发明专利]一种半导体激光器及其制备方法-CN202311189899.1在审
发明人：郭丽彬;周大勇;杨慧永;祝曾伟;顾俊 -专利权人：材料科学姑苏实验室
申请日： 2023-09-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：制备方法包括：提供衬底；在衬底的一侧依次制备第一限制层、第一波导层、量子阱有源层和第二波导层；在第二波导层背离量子阱有源层的一侧依次制备多层子限制层，多层子限制层构成第二限制层；其中，子限制层为p型掺杂层，沿多层子限制层层叠的方向，位于中间的子限制层的掺杂浓度大于位于两侧的子限制层的掺杂浓度；在第二限制层背离第二波导层的一侧制备接触层。本发明中，对第二限制层的生长工艺进行优化，既可保证掺杂离子在第二限制层中的有效激活，满足第二限制层低电阻率的要求，还可减少第二限制层中杂质的引入，减少激光器的内部损耗，提升激光器性能。
一种半导体激光器及其制备方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201610003005.9有效
发明人：洪培恒;马洛宜·库马;张雄世;李家豪;陈强伟 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2016-01-04 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：埋藏氧化层，设置于基板上；半导体层，设置于埋藏氧化层上；第一阱，设置于半导体层中；第二阱和第三阱，分别接近于第一阱的相对两侧，且与第一阱分别相距第一距离和第二距离；一隔绝物，覆盖第一阱和第三阱；一多晶场板，设置于隔绝物上，且位于第一阱和第三阱之间的半导体层上方；第一阳极掺杂区，设置于第二阱中；第二阳极掺杂区，设置于第二阱中；第三阳极掺杂区，设置于第二阱中，第二阳极掺杂区位于第三阳极掺杂区的正上方；第一阴极掺杂区，耦接至第三阱。通过实施本发明，可进一步抑制寄生双载子结晶体管所产生闭锁效应，因而有效保护元件抑制漏电流。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]含InGaN子阱结构的YAlN/GaN双势垒共振隧穿二极管及其制作方法-CN202110335756.1有效
发明人：薛军帅;刘芳;郝跃;张进成;姚佳佳;李蓝星;孙志鹏;张赫朋;杨雪妍;吴冠霖 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种含InGaN子阱结构的YAlN/GaN双势垒共振隧穿二极管及其制作方法，主要解决现有GaN共振隧穿二极管峰值电流低、峰谷电流比小和性能一致性差的问题。其自下而上包括衬底、GaN外延层、n+GaN发射极欧姆接触层、GaN隔离层、第一势垒层、第二势垒层、InN隔离层、n+InN集电极欧姆接触层、集电极电极，其中两势垒层之间依次为第一GaN主量子阱层、In组分为3％‑5％的InGaN子量子阱层、第二GaN主量子阱层；两势垒层的Y组分均为6％‑15％的YAlN。
ingan 结构 yaln gan 双势垒共振二极管及其制作方法

[发明专利]一种含量子级联结构的波长上转换器件-CN201110438999.4有效
发明人：罗毅;郝智彪;王磊;康健彬;汪莱 -专利权人：清华大学
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：一种含量子级联结构的波长上转换器件，属于半导体材料和器件制作领域，其特征在于：所述波长上转换器件的核心结构包括光吸收层、量子级联载流子输运区、发光层，光吸收层量子阱中的子带跃迁能量对应于红外光子能量，该能量小于发光区量子阱中的带间跃迁能量；量子级联载流子输运区位于光吸收层和发光层之间，由多个量子阱组成，且各量子阱中的电子能级能量逐个降低。
一种量子级联结构波长转换器件

[发明专利]氮化物半导体结构及半导体发光元件-CN201310029711.7在审
发明人：黄吉丰;林京亮;王信介;吴俊德;李玉柱;李俊杰 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：该氮化物半导体结构主要于发光层与p型载子阻隔层间配置有一应力控制层，p型载子阻隔层由AlxGa1‑xN表示的材料所构成(0<x<1)，而应力控制层由AlxInyGa1‑x‑yN表示的材料所构成(0<x<1、0<y<1、0<x+y<1)，且发光层具有多个彼此交替堆栈的阱层及阻障层的多重量子阱结构，且每两层阻障层间具有一阱层。由此，应力控制层不仅可改善p型载子阻隔层与发光层因晶格失配所造成晶体质量劣化的问题；同时，更可减低阱层因材料差异所受的压缩应力。
氮化物半导体结构发光元件

[发明专利]非能动核电厂钢制安全壳热移出过程的比例分析方法-CN201310401428.2有效
发明人：王国栋;张迪;王喆;张经瑜;汤微建;杨杏波;许志红 -专利权人：上海核工程研究设计院
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： G21C15/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种非能动核电厂钢制安全壳热移出过程的比例分析方法，包括如下步骤：（1）将钢制安全壳热阱分为蒸发区子热阱、干壁区子热阱和过冷区子热阱；（2）确定非能动安全壳冷却系统投入前和非能动安全壳冷却系统投入后的蒸发区子热阱、干壁区子热阱和过冷区子热阱的面积；（3）对蒸发区子热阱、干壁区子热阱和过冷区子热阱的传热传质过程进行分析，并计算各个热阱的传输质量比例群和能量比例群。
能动核电厂钢制安全移出过程比例分析方法

[发明专利]JFET器件的制造方法、JFET器件及其版图结构-CN201911255993.6有效
发明人：蔡莹;金锋 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本申请公开了一种JFET器件的制造方法、JFET器件及其版图结构，该制造方法包括：提供一衬底；在衬底的第一预定区域和第二预定区域进行离子注入，形成深N型阱，该深N型阱在第二预定区域形成有至少两个子阱，子阱呈横向方向的梯度浓度；在第二预定区域形成场氧层；在深N型阱内，子阱的一侧形成P型阱；在第三预定区域和第四预定区域进行P型离子注入，分别形成第一P型重掺杂区和第二P型重掺杂区；在第五预定区域、第六预定区域和第七预定区域进行N本申请通过形成包括至少两个具有呈横向方向的梯度浓度的子阱的深N型阱，能够在不设置PTOP的情况下实现了较高的电流密度。
jfet 器件制造方法及其版图结构

[发明专利]多次可编程存储单元及存储装置-CN202010744694.5有效
发明人：王炜槐;胡涛;陆阳 -专利权人：杰华特微电子股份有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提出了一种多次可编程存储单元，包括：第一衬底；第一阱，配置于第一衬底上；第二阱，配置于第一阱上；第一电极区，配置于第二阱上；第二电极区，配置于第二阱上；第一栅极，配置于第二阱上，位于第一电极区、第二电极区之间；第三电极区，配置于第二阱上，包括第一子电极区及与其相耦接的第二子电极区，第一、第二子电极区的导电类型不同；第二栅极，配置于第二阱上，位于第二电极区、第二子电极区之间；第三阱，配置于第一阱上；第四电极区，配置于第三阱上，包括第三子电极区及与其相耦接的第四子电极区，第三、第四子电极区的导电类型不同；以及第三栅极，配置于第三阱上，位于第三子电极区、第四子电极区之间，耦接于第一栅极。
多次可编程存储单元装置

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