“金镇浩”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果69个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体存储器装置-CN201811510481.5有效
发明人： 金镇浩;金映奇;金定焕;成象铉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G11C5/06 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：基板，其包括单元区域和细长区域；逻辑结构，其设置在基板上方，该逻辑结构包括逻辑电路元件以及电联接到逻辑电路元件的底部布线；源极板，其设置在逻辑结构上方；存储器结构，其包括多个存储器单元和多个栅极层，其中，所述多个存储器单元设置在单元区域的源极板上方，并且多个栅极层层叠在细长区域和单元区域的源极板上方以彼此分离，并且多个栅极层联接到所述多个存储器单元；以及第一狭缝，其在单元区域和细长区域之间的边界处切割源极板，其中，细长区域的源极板被浮置，而不管存储器单元和逻辑电路元件的操作如何。
半导体存储器装置

[发明专利]图像传感器及其制造方法-CN201810629853.X有效
发明人： 金镇浩;朴永薰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-01-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及图像传感器及其制造方法。图像传感器包括：具有前侧和后侧的衬底；在衬底前侧上包含电路的绝缘结构；分别延伸穿过衬底至电路的接触孔；以及布置在衬底后侧上、分别沿着延伸穿过接触孔的导电路径电连接到电路并且位于电路的正上方的多个焊盘。通过导电层形成在衬底的后侧上并且被图案化以形成在电路正上方的焊盘的工艺来制造图像传感器。
图像传感器及其制造方法

[发明专利]半导体存储装置-CN201810985855.2有效
发明人： 金镇浩;吴星来 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：一种半导体存储装置包括：多个通道晶体管，所述多个通道晶体管沿着第一方向设置在基板上方，并且被配置为向存储单元阵列传送工作电压；以及多条全局线，所述多条全局线被形成在所述通道晶体管上方的第一布线层中，沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸，并且被配置为分别向对应的通道晶体管传送工作电压。所述全局线沿着所述第一方向仅被设置在所述多个通道晶体管中的一些通道晶体管的第一方向间距内。
半导体存储装置

[发明专利]非易失性存储器件-CN201711104792.7有效
发明人：吴星来;金镇浩;金东赫;丁寿男 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L27/11553 文献下载
摘要：一种非易失性存储器件，该非易失性存储器件包括：在基板中形成并且沿着第一方向布置的多个阱区；包括形成在基板上方并且分别与多个阱区相对应的多个子块的存储块；以及设置在存储块上方并沿着第一方向延伸的多条位线。多个子块中的每个子块包括：在对应的阱区和多条位线之间沿着垂直方向形成的沟道层，以及沿沟道层堆叠在基板上方的多条字线、至少一条漏极选择线和至少一条防擦除线。在擦除操作中，擦除电压被施加到与所选子块对应的阱区，并且防擦除电压被施加到包括在未选子块中的防擦除线，可以防止将擦除电压传送到未选子块。
非易失性存储器

[发明专利]具有中间电极的基板处理设备-CN202111079208.3在审
发明人： 金镇浩;成象铉;吴星来 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01J37/305 文献下载
摘要：本公开涉及一种具有中间电极的基板处理设备。该基板处理设备可以包括真空室、设置在真空室的内部的下部部分处的基板支撑单元以及在真空室的内部形成电场的电场形成单元。电场形成单元可以包括设置在真空室内部的上部部分处的上电极、设置在基板支撑单元中的下电极以及设置在上电极和下电极之间的中间电极。
具有中间电极处理设备

[发明专利]透明或半透明薄膜的表面异物检测仪-CN201880057116.5有效
发明人： 金镇浩 -专利权人：杰德克思股份有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明公开一种透明或半透明薄膜的表面异物检测仪。本发明的透明或半透明薄膜的表面异物检测仪，包括：光学单元；在内侧收容所述光学单元的光学机壳；向所述薄膜照射光的光照射单元；以及提供在上部能粘合所述薄膜的粘合面，由可以吸收或者以预定比率以下反射光的光吸收材料而制成的薄膜固定器。根据本发明，通过将固定器支撑架由在与周边空间悬浮的异物之间可以产生预定以上的静电的材料而制成，从而，可以防止在周边工作空间悬浮或飞散的异物转移到薄膜侧，提高检测可靠性。
透明半透明薄膜表面异物检测

[发明专利]具有变化的网格宽度的图像传感器-CN202111461364.6在审
发明人：朴俊城;金镇浩;李允基;金范锡;金正生;李东奎;李太星 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供一种减少明暗现象并提高质量的图像传感器。图像传感器包括光接收区域，该光接收区域包括多个单元像素。图像传感器还包括：第一区域，具有与光接收区域的中心相邻的单元像素；以及第二区域，具有与光接收区域的中心间隔开的单元像素。在两个区域中，与多个单元像素相对应的多个滤色器设置在衬底的第一面上，以及介于多个滤色器之间的网格图案限定单元像素之间的边界。第二区域中的网格图案的宽度大于第一区域中的网格图案的宽度，从而调整图像传感器的边缘附近的光接收面积以校正明暗现象。
具有变化网格宽度图像传感器

[发明专利]包括自动聚焦像素的图像传感器-CN202111464430.5在审
发明人：李太星;琴东旻;金范锡;金镇浩;朴俊城;李光熙;李东奎;李允基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H04N5/225 文献下载
摘要：一种图像传感器包括普通像素、第一自动聚焦(AF)像素和第二AF像素，普通像素、第一AF像素和第二AF像素中的每个包括光电二极管。图像传感器还包括设置在普通像素上的普通微透镜以及设置在第一AF像素和第二AF像素上的第一AF微透镜。普通像素的光电二极管、第一AF像素的光电二极管和第二AF像素的光电二极管分别设置在半导体衬底的光电检测区中。第一AF微透镜从半导体衬底的顶表面起在垂直方向上的高度大于普通微透镜从半导体衬底的顶表面起在垂直方向上的高度。
包括自动聚焦像素图像传感器

[发明专利]半导体存储器装置-CN202110670813.1在审
发明人： 金镇浩;朴泰成;成象铉;吴星来 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，该存储器单元阵列设置在第一半导体层中，并且包括在与第一方向相交的第二方向上排列的多个单元部和至少两个通孔区域，其中，每一个通孔区域在第二方向上的宽度具有与所述多个单元部中的每一个在第二方向上的宽度的倍数相对应的尺寸。
半导体存储器装置

[发明专利]三维存储器装置及其制造方法-CN202110618074.1在审
发明人：尹灿浩;金镇浩 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本申请涉及三维存储器装置及其制造方法。一种三维存储器装置包括：多条行线，其与多个层间介电层在垂直方向上交替地层叠在基板上，并且多条行线中的每一条具有从其侧表面突出的突出部；以及多个通孔，其从基板起在垂直方向上延伸，每个通孔联接至相应的行线的突出部，并且所述多条通孔将多条行线电联接到限定在基板下方的外围电路。
三维存储器装置及其制造方法

[发明专利]三维半导体存储器装置-CN202110296463.7在审
发明人：崔诚晧;金镇浩 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L27/11573 文献下载
摘要：一种三维半导体存储器装置可以包括：单元晶圆，其包括源极板、多条第一字线和多条第二字线，多条第一字线沿着在垂直方向上从源极板的底表面突出的多个第一垂直沟道彼此间隔开地层叠，多条第二字线沿着在垂直方向上从源极板的顶表面突出的多个第二垂直沟道彼此间隔开地层叠；第一外围晶圆，其接合到单元晶圆的底表面，并且包括第一行解码器单元，该第一行解码器单元向多条第一字线传送操作电压；以及第二外围晶圆，其接合到单元晶圆的顶表面，并且包括第二行解码器单元，该第二行解码器单元向多条第二字线传送操作电压。
三维半导体存储器装置

[发明专利]包括行解码器的存储器装置-CN202110332501.X在审
发明人： 金镇浩;金映奇;成象铉;吴星来;田炳现 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本申请涉及包括行解码器的存储器装置。一种存储器装置包括：基板，其限定有第一单元区域和第二单元区域以及在第一单元区域和第二单元区域之间的行解码器区域；外围电路，其限定在基板的第一单元区域和第二单元区域中；传输晶体管，其限定在基板的行解码器区域中；底布线层，其设置在覆盖外围电路和传输晶体管的第一介电层中；存储器单元阵列，其限定在第一介电层上；第二介电层，其限定在第一介电层上并覆盖存储器单元阵列；顶布线层，其设置在限定在第二介电层上的第三介电层中；以及全局线，其设置在行解码器区域中并且被配置为向传输晶体管传送操作电压，其中，全局线仅设置在底布线层和顶布线层当中的至少一个底布线层中。
包括解码器存储器装置

[发明专利]包括传输晶体管的存储器装置-CN202110284268.2在审
发明人：朴泰成;金镇浩 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本申请涉及包括传输晶体管的存储器装置。一种存储器装置包括：有源区，该有源区具有漏极；多个存储器块，其在第一方向上布置；以及多个传输晶体管，其形成在有源区中并共享漏极，多个传输晶体管中的每一个传输晶体管被配置为响应于块选择信号而从漏极向多个存储器块中的相应存储器块传送操作电压。多个传输晶体管被划分为第一传输晶体管和第二传输晶体管。第一传输晶体管的沟道长度方向和第二传输晶体管的沟道长度方向可以彼此不同。
包括传输晶体管存储器装置

[发明专利]具有垂直结构的存储器装置-CN202110215825.5在审
发明人： 金镇浩;朴光辉;成象铉;吴星来;崔畅云 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L27/11573 文献下载
摘要：本公开涉及具有垂直结构的存储器装置。一种存储器装置包括：单元晶圆，其包括存储器单元阵列；以及外围晶圆，其包括控制存储器单元阵列的行控制电路、列控制电路和外围电路，外围晶圆在第一方向上层叠在单元晶圆上并接合到单元晶圆。外围晶圆包括：第一基板，其具有在第一方向上彼此背对的第一表面和第二表面；第一逻辑结构，其设置在第一基板的第一表面上，并且包括行控制电路和列控制电路；以及第二逻辑结构，其设置在第一基板的第二表面上，并且包括外围电路。
具有垂直结构存储器装置

[发明专利]包括子共源极的非易失性存储器装置-CN201611044291.X有效
发明人：吴星来;金镇浩;成象铉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器装置，其包括：存储块，其包括多个单元串，多个单元串的每个包括与堆叠在衬底上方的字线电联接的存储器单元；多个子共源极，其电联接到单元串的一端；以及多个位线，其电联接到单元串的另一端，其中存储块包括分别对应于子共源极的子块，并且单元串中电联接到相同位线的单元串被包括在相同的子块中。
包括子共源极非易失性存储器装置

1
2
3
4
5
下一页»
尾页
共 69 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top