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[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法-CN202210541077.4有效
发明人：侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管外延片及其制备方法，所述发光二极管外延片包括：衬底，以及在衬底上依次层叠的缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂的GaN层、N型GaN层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型非掺杂GaN层、P型Mg掺杂GaN层和P型接触层；P型电子阻挡层包括m个超晶格结构子层；超晶格结构子层为由nm个周期性排布的InxGa1‑xN/AlymGa1‑ymN所组成的超晶格结构；沿多量子阱层至所述P型非掺杂GaN层方向上，各个超晶格结构子层中的Al组分浓度先逐渐增高后逐渐降低。本发明解决了现有P型电子阻挡层与多量子阱层和P型GaN层间的晶格失配所带来的降低了发光二极管外延片的发光效率的问题。
一种发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种半导体量子阱光探测器件-CN201210151113.2无效
发明人：安正华;王恒亮 -专利权人：复旦大学
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明属于光波探测器技术领域，具体涉及一种半导体量子阱光探测器件。该探测器包括半导体层、量子阱层和一层亚波长周期性结构的金属膜；量子阱中至少具有两个能级，并具有一定的载流子浓度。一定频谱宽度入射光波垂直或倾斜于半导体层入射，入射光波激发周期性结构的金属膜/量子阱界面的表面等离子体，表面等离子体被半导体量子阱吸收并发生电子子带跃迁过程，跃迁的电子在外加偏压下形成电流信号。本发明中的半导体量子阱光探测器件，其探测效率可大幅度提高。
一种半导体量子探测器件

[发明专利]紫外LED外延结构及其制备方法-CN201910189628.3有效
发明人：李光;郑悠;赵平林;廖加成;白耀平 -专利权人：深圳市洲明科技股份有限公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外LED外延结构及其制备方法，属于氮化物半导体发光器件的外延生长技术领域，包含：衬底、缓冲层、N型铝镓氮层、多量子阱发光层、电子阻挡层、P型铝镓氮层和P型氮化镓层；多量子阱发光层中的每一个量子垒层包含多个子层，所述子层的厚度和铝分子的含量按照由底向上的生长方向先递增后递减，递增和递减的分界层为每个量子垒层位于中间的子层。
紫外 led 外延结构及其制备方法

[发明专利]一种GGNMOS器件-CN202210762915.0在审
发明人：郭文武;陈余;季翔宇;邰连梁;李广仁 -专利权人：深圳朗田亩半导体科技有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种GGNMOS器件，将第一N型子掺杂层、第二N型子掺杂层和第三N型子掺杂层形成在N型阱层处，相当于在第一N型子掺杂层和第二N型子掺杂层之间形成一较大的寄生电阻，同样的在第一N型子掺杂层和第三N型子掺杂层之间形成一较大的寄生电阻，由此在保证GGNMOS器件的漏极结构耐压较高的同时，降低了GGNMOS器件的制作成本。
一种 ggnmos 器件

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法-CN201810532508.4在审
发明人：丁杰;秦双娇;胡任浩 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层、P型掺杂层和P型接触层，P型掺杂层包括至少一个叠层结构，当P型掺杂层包括多个叠层结构时，多个叠层结构依次层叠设置，每个叠层结构包括依次层叠设置的第一子层和第二子层，第一子层为掺Mg的AlxGa1‑xN层，0＜x≤0.3，第二子层为掺Mg的InyGa1‑yN层，0＜y≤0.2；该P型掺杂层可以阻挡电子向P型层移动，同时提高空穴的有效注入，使电子和空穴在多量子阱层的辐射复合发光，进而提高LED的光效。
叠层结构子层发光二极管外延依次层叠空穴多量子阱层衬底半导体技术领域复合发光缓冲层未掺杂光效制造阻挡辐射移动

[发明专利]一种具有类超晶格结构的选通管及其制备方法-CN202011100542.8有效
发明人：童浩;王伦;王位国;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：选通管包括衬底以及依次层叠在衬底上的第一金属电极层、类超晶格层以及第二金属电极层，类超晶格层包括周期性交替层叠的n+1个第一子层和n个第二子层，第一子层的材料包括GeS或GeSe，第二子层的材料包括GeTe由于GeS和GeSe材料均具有较高的稳定性，可以阻止由于高温导致的第二子层材料中的Te的扩散分离。同时，类超晶格结构各子层很薄，相邻阱之间的耦合很强，在类超晶格层中形成周期性的量子势阱，原来在各量子阱中的分立的能级扩展成为能带，可以减小带隙宽度，从而降低功耗，并且更好的与存储器件单元集成。
一种具有晶格结构选通管及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管-CN202210146631.9有效
发明人：朱涛;程志青;芦玲 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：该发光二极管包括衬底、缓冲层、N型半导体层、应力释放层、多量子阱发光层和P型半导体层；应力释放层包括在N型半导体层上至少一个周期层叠设置的第一子层和第二子层；第一子层包括掺杂第一杂质的GaN层、未掺杂的GaN层和InGaN层中的至少两种；第二子层为AlGaN层。本发明通过设置AlGaN层，能提高应力释放层的禁带宽度，提高势垒，极大降低在大电流密度下空穴从V型坑底部穿透到应力释放层的概率；高势垒的存在使得电子进入多量子阱发光层时，电流分布更加均匀；且更高的势垒还增加了对位错屏蔽的效果
一种发光二极管

[实用新型]一种大功率平面栅D‑MOSFET结构-CN201720290593.9有效
发明人：张学强;张振中;和巍巍;汪之涵 -专利权人：深圳基本半导体有限公司
申请日： 2017-03-23 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种大功率平面栅D‑MOSFET结构，所述平面栅D‑MOSFET为N‑MOS结构或P‑MOS结构，包括P‑阱或N‑阱，门极，N+源区或P+源区，源极，绝缘层，N‑漂移区或P‑漂移区，漏极，所述N‑MOS结构的P‑阱结构转角区域为子阶梯组成的阶梯状结构；所述P‑MOS结构的N‑阱结构转角区域为子阶梯组成的阶梯状结构。所述阶梯状结构降低了P‑阱结构和N‑阱结构转角区域的等效界面曲率，从而降低了该区域的最大电场强度，降低D‑MOSFET内部雪崩击穿的可能性，改善D‑MOSFET的可靠性，并提高D‑MOSFET的整体可用性
一种大功率平面 mosfet 结构

[发明专利]光电集成电路-CN201480034881.7无效
发明人： G.W.泰勒 -专利权人：欧培拉太阳能公司;康涅狄格大学
申请日： 2014-06-11 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：半导体器件包括：衬底，支承包括与量子阱中的量子点（QD-in-QW）结构偏移的至少一个调制掺杂的量子阱（QW）结构的多个层。所述调制掺杂的QW结构包括被通过间隔壁层与至少一个QW间隔开的电荷片层。所述QD-in-QW结构可以包括至少一个被通过势垒层分离开的模板/发射子结构配对，所述模板子结构与所述发射子结构相比具有更小的大小的QD。
光电集成电路

[发明专利]一种具有抗静电能力的外延片及其在发光二极管中的应用-CN202110797224.X有效
发明人：朱涛;宋长伟;程志清;芦玲 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，公开了一种具有抗静电能力的外延片及其在发光二极管中的应用，该外延片包括衬底以及依次沉积在其上的缓冲层、N型掺杂GaN层、电子缓冲层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层，应力释放层为InGaN子层与GaN子层交替生长的周期性结构；在周期性结构中，InGaN子层的厚度为1～2nm，GaN子层的厚度范围为46~60nm；在应力释放层和多量子阱层中具有密度为6×10层中GaN子层的厚度，增加了LED外延层中的V型缺陷的密度和大小，降低器件的电流密度，减少器件热击穿的概率，提高抗静电能力。
一种具有抗静电能力外延及其发光二极管中的应用

[发明专利]热辐射光源以及在该光源中使用的二维光子晶体-CN201580011021.6有效
发明人：野田进;井上卓也;浅野卓;M·德佐萨 -专利权人：国立研究开发法人科学技术振兴机构
申请日： 2015-02-24 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01S5/04 文献下载
摘要：热辐射光源(10)具备：二维光子晶体(12)，其在将由n型半导体形成的n层(112)、具有量子阱结构的量子阱结构层(114)以及由p型半导体形成的p层(111)依此序层叠而成的板材(11)内，周期性地配置有折射率与n层(112)、p层(111)及量子阱结构层(114)的折射率不同的异折射率区域(空孔(121))，使得与量子阱结构层(114)中的量子阱内的子带之间的跃迁能量对应的特定波长的光发生谐振；以及p型电极(131)和n型电极(132)，其向板材(11)施加p层(111)侧为负、n层(112)侧为正的电压。
热辐射光源以及使用二维光子晶体

[发明专利]一种浅沟槽隔离结构及其制作方法-CN201210030270.8有效
发明人：刘金华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-02-10 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其制作方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底中形成具有第一宽度的第一子浅沟槽隔离结构；在半导体衬底上形成覆盖第一子浅沟槽隔离结构的第一外延层；在第一外延层中形成具有第二宽度的第二子浅沟槽隔离结构，第二子浅沟槽隔离结构位于第一子浅沟槽隔离结构的正上方，第二宽度大于第一宽度；在第一外延层上形成覆盖第二子浅沟槽隔离结构的第二外延层；在第二外延层中形成具有第三宽度的第三子浅沟槽隔离结构，第三子浅沟槽隔离结构位于第二子浅沟槽隔离结构的正上方该浅沟槽隔离结构呈“十”字形来保证载流子在阱区和阱区相对侧的晶体管的源/漏极之间的移动路径，以保证其隔离性。
一种沟槽隔离结构及其制作方法

[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法-CN201710081805.7有效
发明人：李红丽;胡加辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2017-02-15 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：外延片包括有源层等，有源层包括多个量子阱子层和多个量子垒子层，多个量子阱子层和多个量子垒子层交替层叠设置，多个量子垒子层沿外延片的层叠方向依次属于第一量子垒、第二量子垒、第三量子垒；第一量子垒为掺有Si的铝镓氮层或者掺有Si的氮化镓层，第二量子垒为掺有Si的铝镓氮层或者掺有Si的氮化镓层或者未掺杂的铝镓氮层或者未掺杂的氮化镓层，第三量子垒由未掺杂的铝镓氮层和未掺杂的铟镓氮层组成，第一量子垒中Si的掺杂浓度大于第二量子垒中
一种发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种InP基中红外InAsBi量子阱结构-CN201410247131.X在审
发明人：顾溢;张永刚;王庶民 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2014-06-05 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明涉及一种InP基中红外InAsBi量子阱结构，采用InAsBi作为量子阱结构的势阱层，同时采用与InP匹配的In_0.53Ga_0.47As或者晶格常数比InP小的In_xGa_1-xAs、0<x<0.53作为量子阱结构的势垒层。本发明所采用的InP衬底相对GaSb衬底具有较优的衬底质量，可降低器件制备成本；量子阱采用InAsBi作为势阱层，由于具有窄带隙，可实现中红外波段发光；利用量子阱带间跃迁制备的半导体光源与利用子带间跃迁的量子级联激光器相比
一种 inp 红外 inasbi 量子结构

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法-CN201410222155.X有效
发明人：孙玉芹;王江波;刘榕 -专利权人：华灿光电(苏州）有限公司
申请日： 2014-05-23 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在蓝宝石衬底上的未掺杂GaN层、N型层、有源层、P型层，有源层包括交替生长的量子阱层和量子垒层，量子阱层为InGaN层，量子垒层包括第一量子垒层和第二量子垒层，第二量子垒层为有源层中最靠近P型层的一个量子垒层，第一量子垒层为除第二量子垒层以外的量子垒层，第一量子垒层为GaN层，第二量子垒层包括交替生长的第一子层和第二子层，第一子层为GaN层，第二子层为AlGaN层。本发明通过将有源层中最靠近P型层的量子垒层改为交替生长的GaN层和AlGaN层，提高了发光二极管的发光效率。
一种发光二极管外延及其制造方法

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