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[实用新型]用于研磨大直径单晶片的研磨机-CN201120520103.2有效
发明人：曹孜;李晨;李莉;石宇 -专利权人：有研半导体材料股份有限公司
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：一种用于研磨大直径单晶片的研磨机，它包括：基座，基座上设有工作台，工作台的上方设有磨头装置，该装置包括驱动磨头的电机及可改变电机转速的皮带轮组及调节磨头上、下位置的手轮机构，工作台上置有研磨片槽，研磨片槽内的支架上垂直固定吸片装置，吸片装置包括真空吸盘，驱动吸盘旋转的电机、变速箱及皮带，研磨片槽设有排屑、排水口，工作台的下方设有手动调整单晶切片横向及纵向位置的滑轨及手轮组件，本机还包括真空泵和管路以及位于研磨机上方的照明设备，机器底部装有活动脚轮本实用新型的优点是：为大直径单晶片(Φ≤400mm)的表面研磨提供了一种可操作的平台，可对大直径的、厚度较大的、重量较重的单晶样片表面进行研磨，保证单晶样片表面的研磨深度及研磨片表面的均匀性及平整度要求
用于研磨直径晶片研磨机

[发明专利]一种大直径区熔硅单晶的生长方法-CN201410523050.8在审
发明人：沈浩平;王彦君;张雪囡;靳立辉;高树良;刘嘉;王遵义;刘铮;赵宏波;刘琨;郝大维;吴峰;楚占斌 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种大直径区熔硅单晶的生长方法，包括装炉、抽空、充气、预热、化料、引晶、生长细颈、扩肩、保持、等径生长、收尾、降温、拆清炉。通过控制发生器输出功率及多晶料下行速度等参数的方法，克服了原有工艺及方法条件下，大直径多晶料熔化困难，容易造成堆料的问题，工艺重复性差、扩肩过程中产生位错等问题造成的成晶率低的问题，提高了大直径区熔硅单晶的成晶率和合格率
一种直径区熔硅单晶生长方法

[实用新型]带有一次加料器的直拉单晶炉-CN200820059264.4有效
发明人：施美生;许雪松 -专利权人：上海九晶电子材料股份有限公司
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：带有一次加料器的直拉单晶炉，包括一个带有加热石英坩埚的直拉单晶炉本体，其特征在于，所述直拉单晶炉本体上设置有用于添加硅料的高纯透明石英玻璃管加料器，所述加料器的最大直径处尺寸为石英坩埚直径的40％～45采用本实用新型对提高大直径硅单晶的产能及成本的下降有明显的效果。产能能提高20％以上，成本可下降5％以上。
带有一次料器直拉单晶炉

[发明专利]大直径区熔硅单晶制备方法-CN200510013851.0有效
发明人：沈浩平;刘为钢;高福林;高树良;李翔;汪雨田 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2005-06-15 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅单晶制备方法，特别涉及一种用于生产大功率、高电压、大电流半导体器件的大直径区熔硅单晶制备方法。当区熔硅单晶的直径扩肩到Φ110mm～130mm时，发生界面翻转，此时，立即调整区熔单晶炉发生器设定的阳极电压，每隔5～10秒，将阳极电压设定电增加0.1％～0.3％；当区熔硅单晶的直径扩肩到Φ110mm时，将区熔单晶炉编码器控制下轴向下的运动速度设定在2.0～2.4mm/分范围内，其转动速度设定在4～6转/分范围内；在抽空充气过程中，拉晶所需炉膛压力应达3.0bar～3.2bar，当区熔硅单晶的直径扩肩到Φ110mm时开始充入N₂，其比例相当于Ar的0.5％－0.6％，此外还对区熔单晶炉的热场系统进行了改进。经本发明制备的区熔硅单晶，各项指标均达到SEMI标准，从而满足了大型水利火力发电工程用大功率、高电压、大电流的电力电子器件领域以及尖端国防领域对大直径区熔硅单晶的需求。
直径区熔硅单晶制备方法

[发明专利]一种用于改善大直径单晶硅生长固液界面温度梯度的方法-CN202210375385.4在审
发明人：马武祥;令狐铁兵;吴彦国;胡晓亮;李战国 -专利权人：麦斯克电子材料股份有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于改善大直径单晶硅生长固液界面温度梯度的方法，本发明有效解决了现有针对大直径单晶硅生长时硅熔体径向温度梯度均匀性较低且晶棒内部热量无法较好的向外界释放的问题；解决的技术方案包括：本方案充分利用针对大直径单晶硅生长时所需的大尺寸热场的空间
一种用于改善直径单晶硅生长界面温度梯度方法

[发明专利]大直径硅片的制造方法-CN200810118812.0无效
发明人：闫志瑞;库黎明;索思卓;黄军辉;葛钟;陈海滨;张国栋;盛方毓 -专利权人：北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司
申请日： 2008-08-22 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种大直径硅片的制造方法，它包括以下的步骤：(1)将磨削后的硅片进行HF溶液漂洗，去除磨削后硅片表面的氧化层，提高双面抛光的去除速度；(2)将磨削片进行常规双面抛光；(3)将硅片进行单面精抛和清洗。本发明的工艺方法中用HF溶液去除磨削后表面的氧化层，更有利于双面抛光，从而使抛光时间大幅度地降低，同时减小了硅单晶去除量，提高单位单晶的产率。由于磨削量和腐蚀量降低，从而有力的保证了产品的加工精度，可以制造出高平整度的大直径硅片，本发明可以使用于商业上的任何大直径硅片加工工艺。
直径硅片制造方法

[发明专利]单晶的制造方法-CN201980072061.X有效
发明人：永井直树;渡边一德;铃木聪;儿玉义博 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明是一种基于FZ法的单晶的制造方法，其利用感应加热线圈对原料晶棒进行加热熔融而形成悬浮区域，并使上侧的原料晶棒及下侧的单晶棒相对于感应加热线圈一边旋转一边相对地下降，使悬浮区域移动来生长单晶棒，其特征在于，具有：测量工序，当在结晶生长途中停止生长并结束单晶的制造时，测量剩余的原料晶棒的重量；判定工序，计算利用剩余的原料晶棒能够制造的单晶主体部的理论成品率，并确定能够再制造的单晶的最大直径，或确定不制造单晶；以及再制造工序，在确定了能够再制造的单晶的最大直径的情况下，再制造单晶。由此，提供一种单晶的制造方法，其在使结晶生长在途中停止的情况下，通过有效利用剩余的原料晶棒而抑制了成品率降低。
制造方法

[发明专利]一种大直径多晶棒料的加工方法-CN201410525190.9有效
发明人：王刚;李振;张雪囡;李建弘;由佰玲;韩璐;刘铮 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种大直径多晶棒料的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：车削、磨锥、砂带打磨、刻槽。本发明的加工方法有效的改善了大直径多晶棒料的外观及表面质量，大大降低了悬浮区熔法8英寸硅单晶生长的难度。
一种直径多晶加工方法

[发明专利]一种大直径SiC单晶生长装置及生长方法-CN202210227495.6有效
发明人：谢雪健;胡国杰;徐现刚;彭燕;胡小波;陈秀芳;王兴龙 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种大直径SiC单晶生长装置及生长方法，包括石墨保温毡、坩埚、感应线圈和电阻加热器，其中，所述坩埚置于石墨保温毡中，感应线圈位于石墨保温毡外侧，电阻加热器位于石墨保温毡内部，且位于坩埚的顶部或采用感应加热及电阻加热相结合的加热方式，单晶生长系统的温度控制以感应电源加热为主，电阻加热为辅。在单晶生长过程和晶体高温退火过程中，通过调节感应加热和电阻加热器的功率比例，分别构建出近平微凸和平温场，获得大直径高质量SiC单晶。
一种直径 sic 生长装置方法

[发明专利]一种籽晶夹持器-CN201210100151.5无效
发明人：戴小林;吴志强;汪丽都;崔彬;姜舰;邓树军;王雅楠;朱秦发;叶松芳 -专利权人：有研半导体材料股份有限公司
申请日： 2012-04-06 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C30B15/32 文献下载
摘要：采用本发明的籽晶夹持器，在硅单晶生长过程中，可以避免发生籽晶断裂，延长了籽晶的使用寿命；大大提高了大直径硅单晶生产的安全性，适用于生长重量不超过600kg的大直径硅单晶。
一种籽晶夹持

[发明专利]氟化钙生成态单晶-CN200310116494.1无效
发明人：绳田辉彦;仓元信行;柳裕之;福田承生 -专利权人：德山株式会社
申请日： 2003-11-19 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种大直径、小双折射值的氟化钙生成态单晶。本发明的氟化钙生成态单晶用单晶拉制法(Czochralski法)制造，其圆柱形部分直径大于17厘米，圆柱形部分长度较好大于50毫米，双折射值不大于3纳米/厘米，较好为0.1－2.0纳米/厘米。
氟化钙生成态单晶

[实用新型]用于减少硅单晶棒截断崩边的工具-CN200320103212.X无效
发明人：王学锋;吴志强;戴小林;周旗钢;张果虎;万关良;王敬;杨卫国 -专利权人：北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司
申请日： 2003-11-11 - 公布日： 2004-12-15 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种加工半导体硅单晶棒截断时，特别是大直径硅单晶棒截断时减少其崩边的工具，用于硅单晶棒的截断。该工具的优点是结构简单，使用方便，减少或避免硅单晶棒被截断时发生崩边的损失，尤其是减少或避免大直径硅单晶棒被截断时发生崩边的损失。
用于减少硅单晶棒截断工具

[发明专利]大直径SiC单晶的切割方法-CN200510044587.7有效
发明人：徐现刚;胡小波;陈秀芳;李娟;蒋民华 -专利权人：山东大学
申请日： 2005-09-13 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： B26D1/46 文献下载
摘要：大直径SiC单晶的切割方法，属于晶体材料加工技术领域。使用线切割机，采用直径为150μm至450μm、外层镀有金刚石颗粒的金刚石切割线，利用金刚石切割线的高速往复运动，实现对大直径SiC单晶棒的切割。本发明具有以下优点：1.可实现直径不小于2英寸的SiC单晶的连续切割；2.由于金刚石线线径小，因此刀缝损失小，刀痕浅，对晶片造成的损伤小，而且可以切出最小厚度达200μm的晶片，极大地节省了成本；3.切割出的晶片翘曲度小
直径 sic 切割方法

[发明专利]一种重掺砷大直径低阻硅单晶的拉制方法-CN202111593665.4在审
发明人：王凯磊;李英涛;王万华;皮小争;方峰;崔彬 -专利权人：山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种重掺砷大直径低阻硅单晶的拉制方法，等径过程中炉内压力变化如下：(1)等径前期：炉内压力保持为75‑105Torr之间某一值不变或由75‑105Torr均匀升高到90‑160Torr；(2本发明能够有效解决大直径砷单晶等径卡、电阻率高的问题，提高单晶成晶率，获得完好的大直径低阻硅单晶。
一种重掺砷大直径低阻硅单晶拉制方法

[实用新型]大直径高效N型单晶硅的磁控拉晶装置-CN201921105801.9有效
发明人：陈嘉豪;徐文州;耿荣军;喻先丽 -专利权人：乐山新天源太阳能科技有限公司
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种结构简单，便于控制磁场强度，并且能避免电阻加热装置对磁场影响的大直径高效N型单晶硅的磁控拉晶装置。该大直径高效N型单晶硅的磁控拉晶装置，包括炉体；所述炉体上方设置有上炉腔；所述炉体的炉膛内设置有坩埚、石墨托；石墨托下方设置有底部旋转支撑杆；所述炉体的炉膛两侧均设置有磁场发生装置；所述磁场发生装置上设置有采用该大直径高效N型单晶硅的磁控拉晶装置，能够明显地改善单晶的均匀性，降低缺陷密度。
直径高效单晶硅磁控拉晶装置