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[发明专利]一种减少8吋重掺硼硅单晶原生位错密度的拉晶方法-CN202310591936.5在审
发明人：马武祥;令狐铁兵;范吉祥;方丽霞;马三宝;李晓川 -专利权人：麦斯克电子材料股份有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：一种减少8吋重掺硼硅单晶原生位错密度的拉晶方法，单晶拉晶过程处于超导水平磁场条件下进行，通过控制引晶和放肩过程中的降温量，使放肩过程中的初始热场SP值为1250‑1350sp，放肩过程中的降温量为20‑25sp，进而省略转肩工序，使放肩过程在拉速为55‑65mm/hr的条件下直接平稳过渡到等径过程，本发明，在8吋重掺硼硅单晶拉晶过程中，减少或者消除其原生位错密度，避免其出现点状缺陷，同时，保证8吋重掺硼硅单晶能够正常生长。
一种减少吋重掺硼硅单晶原生密度方法

[发明专利]一种可降低硅晶体氧含量的热场系统及工艺方法-CN202210829510.4在审
发明人：马武祥;令狐铁兵;范吉祥;方丽霞;张奇 -专利权人：麦斯克电子材料股份有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种可降低硅晶体氧含量的热场系统及工艺方法，本发明有效解决了现有在直拉法生产单晶过程中硅熔体内氧含量较高而导致生成硅单晶棒质量较差的问题；解决的技术方案包括：本方案通过调整主加热器和底部加热器的结构，缩小用于为拉晶过程中提供热量需求的主加热器的中心高效发热区的覆盖范围，从而使得晶体在生长过程中与熔硅与石英坩埚内壁的接触区域不全部处于主加热器中心高效加热区之间，以此来减弱对石英坩埚的热辐射，进而降低石英坩埚内壁与熔硅的反应程度，减少氧进入熔硅中的量。
一种降低晶体含量系统工艺方法

[发明专利]一种用于改善大直径单晶硅生长固液界面温度梯度的方法-CN202210375385.4在审
发明人：马武祥;令狐铁兵;吴彦国;胡晓亮;李战国 -专利权人：麦斯克电子材料股份有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于改善大直径单晶硅生长固液界面温度梯度的方法，本发明有效解决了现有针对大直径单晶硅生长时硅熔体径向温度梯度均匀性较低且晶棒内部热量无法较好的向外界释放的问题；解决的技术方案包括：本方案充分利用针对大直径单晶硅生长时所需的大尺寸热场的空间，将外热屏的倾斜角度减小，增大内、外热屏间的保温毡厚度区域，减少硅熔体对晶棒的热辐射，增大晶棒结晶时其内部热量的释放，另一方面，通过改变外热屏底部结构，使其具有一个反射面，从而改善传统的加热方式造成的油边缘箱中心产生热辐射损耗的情况，提高硅熔体中心的温度。
一种用于改善直径单晶硅生长界面温度梯度方法

[实用新型]一种用于8英寸N型重掺超低阻值单晶硅制备的加热器-CN202121550617.2有效
发明人：吴彦国;马武祥;令狐铁兵;张倩;李战国;王智航 -专利权人：麦斯克电子材料股份有限公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于8英寸N型重掺超低阻值单晶硅制备的加热器，本实用新型在石墨电阻加热器本体的顶部一体设置有厚度逐渐减小的减薄部，导致顶部阻值增大，从而发热量增加，加热器顶部较大的发热量加大对熔体液面的辐射，增强熔体自上而下的对流，加大杂质向熔体中的扩散，能够有效避免高浓度掺杂剂在熔体中的聚集，避免组分过冷，从而提高8英寸N型超低阻单晶制备的成晶率及整棒率。本实用新型整体装置的结构简单、操作方便、安全可靠，有效的化解了现有加热器在制备8英寸N型超低阻单晶时存在的不足。
一种用于英寸型重掺超低阻值单晶硅制备加热器

[实用新型]一种用于对短晶锭切割合格样块和晶锭分段的装置-CN201821102698.8有效
发明人：梁剑;胡晓亮;李战国;焦二强;陈卫群;令狐铁兵;李中军;张奇 -专利权人：麦斯克电子材料有限公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：一种用于对短晶锭切割合格样块和晶锭分段的装置，包括卡具装置、装料装置和切割装置，所述卡具装置包括V型台、前压紧块、后压紧块、第一安装基座和第二安装基座，所述V型台用于晶锭的限位固定支撑，所述前压紧块和所述后压紧块分别用于压紧固定所述晶锭的前端和后端，所述装料装置包括铝坨和真空吸盘，所述铝坨与所述真空吸盘的合金底座粘结在一起，真空吸盘与晶锭的一端面通过橡胶圆盘吸附在一起，铝坨的中轴线位置开设有真空管道，真空穿过真空管道且供给真空吸盘吸附力，以实现铝坨与晶锭形成一整体。综上所述，本实用新型针对晶锭较短需要切割样块情况下，通过前压紧块和真空吸盘的配合使用，有效快速达到切割合格晶锭样块。
晶锭真空吸盘压紧块样块安装基座卡具装置真空管道装料装置切割本实用新型中轴线位置合金底座晶锭切割切割装置限位固定橡胶圆盘压紧固定吸附力吸附粘结分段穿过支撑

[实用新型]一种单晶炉中石墨坩埚与托盘防粘结结构-CN201721172271.0有效
发明人：秦露露;令狐铁兵;刘要普 -专利权人：麦斯克电子材料有限公司
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：一种单晶炉中石墨坩埚与托盘防粘结结构，石墨坩埚设置在单晶炉炉腔内的托盘上，在石墨坩埚的侧壁与底部连接处设置有一环形平台，该环形平台将石墨坩埚的底部隔离成一环状凸台，且该环状凸台放置在托盘上时，托盘的侧壁顶部处于环形平台上；在环形平台与石墨坩埚的侧壁之间设置有环形挡块。本实用新型通过在石墨坩埚与托盘连接的环形平台外部设置环形挡块，环形挡块在环形平台的外侧形成类似于“裙边”的结构，当硅蒸汽凝结的硅液珠流到“裙边”处时，硅液珠凝固在“裙边”上或从“裙边”的底部边缘滴落到炉底，这样就阻止了硅液珠流入石墨坩埚和坩埚托盘之间连接的环形平台上，进而避免了石墨坩埚与托盘的粘结。
一种单晶炉中石墨坩埚托盘粘结结构

[发明专利]一种单晶炉引晶埚位的确定方法-CN201510387092.8有效
发明人：刘要普;史舸;令狐铁兵;王新;李京涛;李中军 -专利权人：麦斯克电子材料有限公司
申请日： 2015-07-06 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：一种单晶炉引晶埚位的确定方法，涉及到直拉法生产单晶硅棒领域，在石墨坩埚中设置一圆盘，且该圆盘的上表面与正常拉晶时液面位置相平齐，然后依次确定上轴的下降行程和下轴的上升行程，从而最终精确确定引晶埚位。本发明通过使用圆盘来精确定位引晶埚位，操作简单，所需工具易于加工、成本低廉，可应用到所有直拉单晶炉，对于不同尺寸的热场，只需要改变圆盘尺寸即可，对于同一单晶炉，调整投料量后，也可以精确定位引晶埚位，可以保证不同炉次的引晶埚位一致，拉制出的单晶棒质量稳定。
一种单晶炉引晶埚位确定方法

[实用新型]一种单晶炉用二次加料器-CN201620462828.3有效
发明人： 令狐铁兵;王新;刘要普 -专利权人：麦斯克电子材料有限公司
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种单晶炉用二次加料器，包括加料筒和导流碗，加料筒包括底部的锥台型定位环和导流块、加料筒底部外侧的卡扣、加料筒上部外侧的挡圈、加料筒上部的定位支撑横杆、中心环和连杆，连杆上端有用于和籽晶卡头连接的连接卡槽；导流碗包括：导流碗上部的卡块和下端面磨砂处理的指示环。本实用新型通过下降上轴带动连杆和导流块移动，使其与锥台型定位环之间出现缝隙，粒状硅或碎多晶从缝隙中均匀漏下并沿导流碗进入熔体，加料过程中通过观察指示环与液面之间的距离，调整液面位置；此时通过操作上轴的上下运动可调整缝隙的宽度，从而控制加料速度。
一种单晶炉用二次料器

[发明专利]一种直拉法制备高电阻硅单晶的方法-CN201610338045.9在审
发明人：刘要普;令狐铁兵;李京涛;王新;方丽霞;李中军 -专利权人：麦斯克电子材料有限公司
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：一种直拉法制备高电阻硅单晶的方法，首先利用直拉法制备出电阻率在0.015~0.020Ω/CM的若干母合金样片，然后再利用该母合金样片继续用直拉法制备出高电阻硅单晶。本发明通过精确控制每一小批次母合金的电阻率，提高母合金的掺杂量，减少母合金的计算和称量的误差，实现直拉高阻硅单晶的稳定生长，使P型单晶硅的电阻率能达到300Ω/CM，且电阻率径向均匀性在3%以内，从而极大提高器件性能和稳定性、安全性，同时也实现了稳定批量生产直拉高阻硅单晶，本方法同样适用于拉制N型高阻单晶棒，能满足拉制N型电阻率在100Ω/CM以内的单晶棒。
一种法制电阻硅单晶方法

[实用新型]一种用于拆卸石墨连接器的拆卸装置-CN201520608570.9有效
发明人：王新;令狐铁兵;刘要普;李京涛;方丽霞 -专利权人：麦斯克电子材料有限公司
申请日： 2015-08-13 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：一种用于拆卸石墨连接器的拆卸装置，适用于单晶硅生产过程中石墨连接器的拆卸。本实用新型所述的工具，主要由套筒、带有顶架的上顶杆、拉杆和下顶杆构成。其中，套筒有上螺纹孔和下螺纹孔，上螺纹孔和下螺纹孔为的螺纹相反；拉杆下端有拉钩。将下顶杆通过石墨电极柱的中心孔放到不锈钢电极上，用拉钩勾住石墨连接器的下端面，再逆时针缓慢旋转套1，石墨连接器既随拉杆一起被提升，完成石墨连接器的拆卸。本实用新型操作简便，安全可靠，有效的解决了现有拆卸方法所存在的不足。
一种用于拆卸石墨连接器装置

[实用新型]一种用于单晶硅掺杂工艺的液相掺杂装置-CN201520608200.5有效
发明人：王新;令狐铁兵;刘要普;李京涛;方丽霞 -专利权人：麦斯克电子材料有限公司
申请日： 2015-08-13 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：一种用于单晶硅掺杂工艺的液相掺杂装置，适用于重掺锑单晶硅生产中的掺杂环节。本实用新型所述的一种液相掺杂工具由高纯石英制成，主要结构包括吊装杆、圆柱形外壁、漏斗形导流壁、导流管和锥形底面。其中吊装杆上端有吊装孔，吊装杆下端与锥形底面相连；外壁与锥形底面相连，形成一个凹腔，用于盛放掺杂元素；在锥形底面下端连接有漏斗形导流壁，漏斗形导流壁下端与导流管相连。
一种用于单晶硅掺杂工艺装置

[实用新型]一种十字形加热器拆卸装置-CN201520515324.9有效
发明人：王新;令狐铁兵;刘要普;李京涛;方丽霞;史舸 -专利权人：麦斯克电子材料有限公司
申请日： 2015-07-16 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： B66C1/42 文献下载
摘要：一种十字形加热器拆卸装置，适用于硅单晶生产中加热器的拆卸。本实用新型所述拆卸装置主要技术特征是十字形支架（1）的四个支架上分别设有滑动仓（5）、滑动导向槽（7）和定位槽（8），滑动仓（5）用于盛放滑动块（9），滑动块（9）为圆柱形，在滑动块（9）的一端有支撑杆（10），滑动块（9）的中间位置有手柄（11）。支撑杆（10）、手柄（11）与滑动块（9）之间均采用螺纹连接；堵头（2）用于封堵滑动仓（5）的开口，堵头（2）的中心有圆形定位孔（3），起到定位作用和起到对支撑杆（10）的支撑作用；吊装环（6）安装在十字形支架（1）的中心，与吊装设备连接。本实用新型操作简便，高纯洁净，安全可靠，有效的解决了现有技术中所存在的不足。
一种十字形加热器拆卸装置

[实用新型]一种单晶硅头尾料破碎装置-CN201520515599.2有效
发明人：王新;令狐铁兵;刘要普;李京涛;方丽霞;史舸 -专利权人：麦斯克电子材料有限公司
申请日： 2015-07-16 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种单晶硅头尾料破碎装置，适用于硅单晶生产中对头尾料的破碎。本实用新型主要是由箱体（1）、四氟护板（2）、压空管道（3）、压空阀门（4）、液氮管道（5）、液氮阀门（6）、排气口（7）、喷洒盘（8）构成；箱体（1）的内壁镶嵌有四氟护板（2）进行屏蔽，防止金属沾污；箱体（1）与四氟板（2）之间填有保温材料（9）；箱体（1）的顶部开有2个圆形的排气口（7），箱体（1）顶部中间连接有液氮管道（5），液氮管道（5）的上下两端连接有液氮阀门（6）和喷洒盘（8），喷洒盘（8）在箱体（1）内部，喷洒盘（8）上有圆形的喷洒孔（10）；箱体（1）的侧面连接有压空管道（3），压空管道上有压空阀门（4）。本实用新型操作简便，高纯洁净，安全可靠，有效的解决了现有破碎方法所存在的不足。
一种单晶硅头尾破碎装置

[实用新型]一种直拉单晶炉挥发物清扫装置-CN201520360611.7有效
发明人：刘要普;邓德翼;张明亮;令狐铁兵;李中军 -专利权人：麦斯克电子材料有限公司
申请日： 2015-05-30 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种直拉单晶炉挥发物清扫装置，包括支架和设置在支架上的过滤腔，过滤腔的一侧设有进气口，另一侧设有排气口，过滤腔的底部依次连接锥形导流筒和收尘筒；所述过滤腔的内部水平设置有多个滤芯，滤芯的出气口处设有脉冲反吹管道，脉冲反吹管道的进气端与压缩空气管道连接，且在脉冲反吹管道上，沿进气方向依次设有球阀、脉冲阀和稳压阀；所述过滤腔的排气口处连接有排气管道，排气管道上设有气环真空泵。本实用新型提供的直拉单晶炉挥发物清扫装置有效地解决了清扫单晶炉和更换滤芯对工作人员造成伤害和环境污染的问题，同时提高了清扫效率。
一种直拉单晶炉挥发物清扫装置

[实用新型]一种分段式悬挂热屏-CN201320668497.5有效
发明人： 令狐铁兵;仝泉 -专利权人：洛阳单晶硅有限责任公司
申请日： 2013-10-29 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型所述的一种分段式悬挂热屏，适用于直拉法硅单晶生产技术领域，特别是适用于电路级硅单晶的生产使用。所述的一种分段式悬挂热屏是由上热屏内层（1）和上热屏外层（2）组成的上热屏、由下热屏外层（5）和下热屏内层（6）组成的下热屏、钼挂钩（3）、固定螺丝（4）构成。构成热屏的上热屏和下热屏采用内外两层的组合式结构设计加上夹层间隙中间用保温材料填充，充分保证了悬挂热屏的保温性能，提高了石英坩埚上部热场的温度梯度，避免了在单晶拉制中热屏外部过冷，挥发物积聚的问题出现，提高了拉晶速度，减少了拉晶时间，提高了生产效率。
一种段式悬挂

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