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[发明专利]一种重掺磷超低阻硅单晶的制备方法-CN202111594443.4有效
发明人：王万华;李英涛;王凯磊;皮小争;方峰;崔彬 -专利权人：山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种重掺磷超低阻硅单晶的制备方法，在等径工序中，所采用的工艺为：(1)等径前期，炉室压力由70‑90Torr升到180‑220Torr；(2)等径中期，炉室压力维持在等径前期升至的高压不变；(3)等径后期，炉室压力由所述高压降到120‑150Torr；在整个等径过程中，晶体拉速以每毫米等径长度下降0.01‑0.2mm/hr的速度下降，在整个等径过程中，晶体拉速由55‑60mm/hr降至20‑25mm/hr。本发明通过控制晶体的拉速和炉室压力，能够克服等径后期因分凝导致杂质浓度过大出现位错的现象，从而获得无位错的完整单晶。
一种重掺磷超低阻硅单晶制备方法

[发明专利]一种重掺砷硅单晶的放肩工艺-CN202211553223.1在审
发明人： 王凯磊;李英涛;王万华;皮小争;方峰;崔彬 -专利权人：山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种重掺砷硅单晶的放肩工艺。该放肩工艺的参数设定为：根据放肩长度将放肩过程分为放肩初期、放肩中期和放肩后期，其中，放肩初期为放肩长度为1‑40mm的区间；放肩中期为放肩长度为40‑220mm的区间，放肩后期为放肩长度为220mm以上的区间；将降温速度定义为放肩温度差值除以放肩长度差值；将降温速率定义为放肩温度差值除以原始温度；在放肩初期，每20mm降温1‑3SP值，降温速度为0.05‑0.15，降温速率降低；在放肩中期，每20mm降温1‑12SP值，降温速度为0.05‑0.6，降温速率呈现增大、减小、增大的趋势；在放肩后期，每20mm降温3‑15SP值，降温速度为0.15‑0.75，降温速率较小。该放肩工艺可大大提高放肩成活率。
一种重掺砷硅单晶工艺

[发明专利]一种重掺红磷单晶炉管道清理的方法-CN202211534968.3在审
发明人：皮小争;李英涛;王万华;王凯磊;崔彬;方峰 -专利权人：山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B08B9/035 文献下载
摘要：一种重掺红磷单晶炉管道清理的方法，A、停炉取晶后二次氧化；B、调整吸尘器吸力；C、清理抽气管道：两位工作人员，其中一人为第一人，另外一人为第二人；将该炉体内热场保温部分抬出，露出该第一分管道、第二分管道、第三分管道和第四分管道的顶部开口，并使用金属堵头封堵；分别依次清理第一主管道、第一分管道、第一主管道、第二分管道、第一主管道、第二主管道、第三分管道、第二主管道、第四分管道、第二主管道。清理各个管道时，需要确认其他的管道端口处于关闭状态，只能打开当前需要清理的管道口进行清理。本发明可以避免在清理含有红磷元素的氧化硅粉尘挥发物时，发生爆燃、自燃等危险现象，从而达到使用红磷掺杂元素安全生产的目的。
一种红磷炉管清理方法

[发明专利]一种重掺杂硅单晶放肩生长工艺-CN202211568782.X在审
发明人：王万华;李英涛;王凯磊;皮小争;崔彬 -专利权人：山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种重掺杂硅单晶放肩生长工艺。其中，放肩Recipe中长度按照1mm、4mm、5mm、20mm、40mm、60mm、80mm、100mm、120mm、140mm、160mm、180mm、200mm编写，放肩长度在4mm之前，拉速为引晶的平均拉速增加20‑30mm/hr，5mm之后拉速为40‑42mm/hr保持不变。该工艺可以在放肩初期再进行一次排位错，从而提高放肩的成功率。
一种掺杂硅单晶放肩生长工艺

[发明专利]一种N型掺杂硅单晶的制备方法以及所制备的掺杂硅单晶-CN202111487642.5在审
发明人：方峰;李英涛;王万华;王凯磊;钟耕杭 -专利权人：山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种N型掺杂硅单晶的制备方法，利用直拉法，将熔体硅原始质量设为W3；熔体液面到达r弧形过渡区时的熔体硅的重量设为W2；熔体液面到达r弧形过渡区与底部R弧形区相交位置时的熔体硅的重量设为W1；在坩埚内剩余熔体硅的重量为1.5W2时，开启底部加热器S10；在剩余熔体硅的重量从1.5W2变化至W2的过程中，底部加热器S10的输出功率从主加热器S11输出功率的0％线性提升到主加热器S11输出功率的10％～15％；在剩余熔体硅的重量从W2变化至W1的过程中，底部加热器S10的输出功率由主加热器S11输出功率的10％～15％线性提升到主加热器S11输出功率的30％～35％，并保持到收尾完成。采用本发明的制备方法能够避免或延迟高掺杂浓度导致的组分过冷现象发生，维持晶体的无位错生长。
一种掺杂硅单晶制备方法以及

[发明专利]一种重掺砷大直径低阻硅单晶的拉制方法-CN202111593665.4在审
发明人： 王凯磊;李英涛;王万华;皮小争;方峰;崔彬 -专利权人：山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种重掺砷大直径低阻硅单晶的拉制方法，等径过程中炉内压力变化如下：(1)等径前期：炉内压力保持为75‑105Torr之间某一值不变或由75‑105Torr均匀升高到90‑160Torr；(2)等径中期：从等径前期的炉内压力均匀下降到85‑65Torr或维持在等径前期的炉内压力不变；(3)等径后期：维持在等径中期的炉内压力不变或从等径中期的炉内压力均匀下降到75‑50Torr后再维持最低压力不变；晶体拉速的变化如下：(1)等径前期：晶体拉速从45‑65mm/hr均匀降到40‑25mm/hr；(2)等径中期和等径后期：晶体拉速保持在等径前期的最低拉速不变。本发明能够有效解决大直径砷单晶等径卡、电阻率高的问题，提高单晶成晶率，获得完好的大直径低阻硅单晶。
一种重掺砷大直径低阻硅单晶拉制方法

[实用新型]一种用于判定直拉硅单晶位错的装置-CN202023249599.2有效
发明人：王万华;李英涛;王凯磊;皮小争;姜舰;崔彬;吴志强 -专利权人：有研半导体硅材料股份公司;山东有研半导体材料有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于判定直拉硅单晶位错的装置。该装置包括CCD相机，该CCD相机通过固定支架固定在单晶炉副室炉筒侧壁上的观察窗，并通过数据线连接电脑；该CCD相机正对单晶炉副室炉筒内的硅单晶表面，并将采集到的硅单晶表面的图像传输到电脑，经电脑对图像进行分析确定滑移线的位置。采用本实用新型的装置来判定单晶位错，炉室单晶不存在因外力作用产生的划痕，不会对滑移线的判断造成干扰；并且该装置在线判定滑移线的位置，判断精确且效率高。
一种用于判定直拉硅单晶位错装置

[发明专利]一种陶瓷易洁性能的检测方法-CN201811257671.0有效
发明人：王丽娟;田丽;王凯磊;张跃丹;梁金生;郭春森;尹劲松 -专利权人：河北工业大学;山东省无棣海洋贝瓷有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： G01N21/33 文献下载
摘要：本发明为一种陶瓷易洁性能的检测方法。该方法以茶多酚代替茶，通过测量陶瓷茶杯内茶多酚溶液吸光度A值反映其浓度的变化,从而实现判断陶瓷茶具生垢的难易程度。本发明针对陶瓷茶具粘污的特点，填补了陶瓷茶具易洁性测试评价方法的空白，并给出了易洁陶瓷茶具的评价标准为Q≥80％。
一种陶瓷性能检测方法

[发明专利]一种陶瓷咖啡杯具易洁性能的检测方法-CN201811257674.4有效
发明人：王丽娟;田丽;王凯磊;张跃丹;梁金生;郭春森;尹劲松 -专利权人：河北工业大学;山东省无棣海洋贝瓷有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： G01N21/33 文献下载
摘要：本发明为一种陶瓷咖啡杯具易洁性能的检测方法。该方法以咖啡为原料，通过测量陶瓷茶杯内咖啡溶液吸光度A值反映其浓度的变化,从而实现判断陶瓷咖啡杯具生垢的难易程度。本发明针对陶瓷杯的粘污特点，填补了陶瓷杯具易洁性测试评价方法的空白，通过测量陶瓷杯内雀巢咖啡溶液吸光度值的变化量Q来判断其生垢的难易程度，并给出了易洁陶瓷杯具的评价标准为Q≥8%。
一种陶瓷咖啡杯具易洁性能检测方法

[实用新型]一种带有防护结构的数据分布式存储装置-CN202021529205.6有效
发明人：巩冰;胡志杰;杨磊;赵慧敏;张哲玮;白治丹;肖煜晰;李俊杰;曹方圆;王帅;王凯磊 -专利权人：西安欧亚学院
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G06F1/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带有防护结构的数据分布式存储装置，包括装置本体，所述装置本体上设有调节机构，所述调节机构包括固定块、防护罩、固定柱、连接柱，所述固定块位于装置本体的表面，所述固定柱上对称设有限位柱，所述固定块背离限位柱的表面设有固定筒，所述固定筒的内部设有弹簧，所述装置本体远离固定块的端部设有限位机构，所述限位机构包括两个连接板、放置盒、盖板，所述放置盒的表面开设有放置槽，所述放置盒位于放置槽内设有九对绕线柱；防护罩被固定，防护罩起防护作用，避免服务器表面面板受到碰撞而发生变形、损坏，导线收卷且被限位固定，避免导线过长被扯动及导线在自重下弯折，而发生服务器与导线连接不够灵敏的情况。
一种带有防护结构数据分布式存储装置

[发明专利]一种海泡石强韧化卫生陶瓷坯体及其制备方法-CN201910481223.7在审
发明人：王丽娟;王凯磊;梁金生;张跃丹;杨晖 -专利权人：河北工业大学;惠达卫浴股份有限公司
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： C04B33/132 文献下载
摘要：本发明为一种海泡石强韧化卫生陶瓷坯体。所述的卫生陶瓷坯体的原料组成包括坯体料和海泡石矿物纳米纤维；海泡石矿物纳米纤维的质量为坯体料质量的1～4％；所述的坯体料的组成及其百分含量为：紫木节1～6％、沁阳土8～16％、高岭土9～16％、球土9～16％、章村土9～16％、瓷石9～16％、瓷土4～11％、粘土4～11％、长石14～21％、滑石1～6％、废瓷粉1～6％。本发明提高了卫生陶瓷坯体力学性能，可实现卫生陶瓷制品薄型化、轻量化生产，节约所需原料，降低耗能，在生产中节能环保，满足陶瓷行业可持续发展的社会需求。
卫生陶瓷坯体坯体海泡石矿物纳米纤维海泡石强韧化瓷土滑石卫生陶瓷制品高岭土节能环保社会需求陶瓷行业卫生陶瓷原料组成薄型化废瓷粉轻量化体力学紫木节瓷石耗能球土粘土长石制备节约生产

[发明专利]一种凹凸棒石强韧化卫生陶瓷坯体及其制备方法-CN201910481677.4在审
发明人：王丽娟;王凯磊;梁金生;张跃丹;杨晖 -专利权人：河北工业大学;惠达卫浴股份有限公司
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： C04B33/04 文献下载
摘要：本发明一种凹凸棒石强韧化卫生陶瓷坯体及其制备方法。所述的卫生陶瓷坯体的原料组成包括坯体料和凹凸棒石矿物纳米纤维；凹凸棒石矿物纳米纤维的质量为坯体料质量的1～4％；所述的坯体料的组成及其百分含量为：紫木节1～6％、沁阳土8～16％、高岭土9～16％、球土9～16％、章村土9～16％、瓷石9～16％、瓷土4～11％、粘土4～11％、长石14～21％、滑石1～6％、废瓷粉1～6％。本发明开发天然纳米纤维强韧卫生陶瓷坯体，具有工艺简单、成本低，环境负荷小等优点。
卫生陶瓷坯体凹凸棒石坯体纳米纤维强韧化矿物制备高岭土瓷土滑石环境负荷天然纳米原料组成废瓷粉紫木节瓷石强韧球土粘土长石纤维开发

[实用新型]一种医疗设备漏电流的检测装置-CN201821293405.9有效
发明人：王天峰;杨海涛;侯海亮;王凯磊;刘波涛 -专利权人：惠仁望都医疗设备科技有限公司
申请日： 2018-08-13 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： G01R31/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种医疗设备漏电流的检测装置，包括壳体、分布于壳体对立表面的19mm插针及插座，电阻，电容和万用表。所述电阻和所述电容分布于壳体内部，所述19mm插针可直接插接在所述万用表输入端子中，所述电阻R1和所述电容C1串联组成RC滤波器，所述电阻R2与所述RC滤波器并联组成低通滤波器。采用该装置对医疗设备检测漏电流时，不用另外制作及连接导线。降低了操作的难度，提升了测量效率，后期维护方便。极大的方便了操作者进行测量作业。
电阻医疗设备漏电流万用表检测装置电容插针壳体本实用新型低通滤波器并联组成测量效率测量作业电容分布对立表面壳体内部连接导线输入端子维护方便直接插接插座串联检测制作

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