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[发明专利]采用物理法提纯的硅料制备的多晶硅锭和多晶硅棒及方法-CN201910032735.5在审
发明人：闫灯周;刘俊辉;郭志球 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用物理法提纯的硅料制备的多晶硅锭和多晶硅棒及相应方法，采用定向凝固法将所述硅料制备为多晶硅锭，制备过程中掺杂第一类元素和第二类元素，以控制所述多晶硅锭的电阻率在预设范围内，其中，所述第一类元素控制所述多晶硅锭的电阻率升高，及所述第二类元素控制所述多晶硅锭的电阻率降低。由上述内容可知，本发明提供的技术方案，通过定向凝固法制备多晶硅锭以去除金属杂质，进而能够有效去除多晶硅锭和多晶硅棒中的金属杂质；以及，通过掺杂第一类元素和第二类元素，能够实现多晶硅锭和多晶硅棒中的掺杂平衡，使其电阻率在预设范围内，进而保证采用该多晶硅锭或多晶硅棒制作的硅片的性能提高，有效降低半导体结构器件的成本。
多晶硅锭多晶硅棒电阻率硅料制备掺杂金属杂质元素控制物理法提纯去除预设半导体结构定向凝固法定向凝固制备过程硅片升高平衡制作保证

[发明专利]基于FinFET小面积标准单元的版图结构-CN201911106462.0在审
发明人：虞蓓蕾;高唯欢;胡晓明 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FinFET小面积标准单元的版图结构，中线构成标准单元上边缘的第一多晶硅截断层和中线构成标准单元下边缘的第二多晶硅截断层之间还形成有中间多晶硅截断层，所述中间多晶硅截断层将同一轨道上的多晶硅分成两部分多晶硅，由两个图形规格不同的多晶硅连接层通过所述两部分多晶硅分别引入不同的输入信号。本发明增加了两个多晶硅截断层，采用两种不同图形规格的多晶硅连接层与增加的多晶硅截断层的组合，在与传统标准单元版图高度相同并符合设计规则的条件下，实现同一多晶硅轨道上能同时引入两个不同的输入信号，有源区布局(4个独立AA区)更加紧凑，而且使用四个多晶硅轨道即可实现，减小了标准单元的版图面积。
多晶硅截断层标准单元连接层版图结构传统标准单元版图面积标准设计规则同一轨道上边缘下边缘轨道引入减小紧凑源区

[发明专利]显示基板的制备方法-CN202210279548.9在审
发明人：杨维;刘威;胡合合;邸云萍 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种显示基板的制备方法，包括以下步骤：准备制备有低温多晶硅驱动晶体管和低温多晶硅开关晶体管的基板；对低温多晶硅驱动晶体管进行过孔，在低温多晶硅驱动晶体管中形成分别与低温多晶硅驱动晶体管中的多晶硅的用于形成源极和漏极的两端连通的第一接触孔；对第一接触孔进行退火；在对第一接触孔进行退火之后，对低温多晶硅开关晶体管进行过孔，在低温多晶硅开关晶体管中形成分别与低温多晶硅开关晶体管中的多晶硅的用于形成源极和漏极的两端连通的第二接触孔。本发明提供的显示基板的制备方法能够改善多晶硅开关晶体管的特性，提升多晶硅开关晶体管的开关性能，提升多晶硅薄膜晶体管的性能，提升显示基板的性能。
显示制备方法

[发明专利]一种高压晶体管及其制备方法-CN201310178587.0有效
发明人：李绍彬 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-05-15 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种高压晶体管及其制备方法，该制备方法至少包括以下步骤在半导体衬底中的高压阱区上自下而上依次沉积形成栅氧化物层、第一多晶硅层及多晶硅间介质层；去除部分或全部多晶硅间介质层；制作第二多晶硅层；制作源区和漏区；沉积刻蚀阻挡层和绝缘膜层，所述刻蚀阻挡层和绝缘膜层覆盖所述第二多晶硅层、源区及漏区；分别制作暴露第二多晶硅层、源区及漏区的接触孔。本发明通过去除第一多晶硅层上的部分或全部多晶硅间介质层，之后制作接触孔于第二多晶硅层上，高压晶体管中起作用的多晶硅厚度为第一多晶硅层厚度与第二多晶硅层厚度的总和，这样就有效地增大了多晶硅层的厚度，更好地满足高压晶体管耐压能力和驱动能力等性能的要求
一种高压晶体管及其制备方法

[发明专利]在多晶硅上形成金属硅化物的方法和半导体器件-CN201410049252.3有效
发明人：闻正锋;马万里;赵文魁;黄杰 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-02-12 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种在多晶硅上形成金属硅化物的方法和一种金属氧化物半导体器件，其中，在多晶硅上形成金属硅化物的方法包括在硅半导体外延层上生长栅氧化层，并在栅氧化层上沉积多晶硅层；在多晶硅层上形成作为栅极的多晶硅线条；在多晶硅层上沉积第一氧化层；刻蚀第一氧化层，在多晶硅线条的侧壁上形成侧墙；在多晶硅线条上制作需覆盖金属硅化物的多晶硅裸露区域；沉积金属层，对金属层进行热处理，在多晶硅裸露区域上生成金属硅化物；去除未生成金属硅化物的金属本发明通过在多晶硅层上沉积第一氧化层，刻蚀第一氧化层以在多晶硅的侧壁形成侧墙，使得即使光刻对偏，也不会在多晶硅两边有源区上形成金属硅化物，避免短路或漏电引起器件失效。
多晶形成金属硅方法半导体器件

[发明专利]防止PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽的方法-CN201210269123.6有效
发明人：陈瑜;罗啸;马斌 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-07-30 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽的方法，包括步骤：进行多晶硅淀积，第一段多晶硅淀积形成栅极多晶硅的底层部分，第二段多晶硅淀积形成栅极多晶硅的顶层部分，第二段多晶硅淀积中通入氧气使顶层部分中同时形成一氧化硅阻挡层；栅极多晶硅生长完成后注入硼离子；在栅极多晶硅的表面形成钨硅层。本发明通过在栅极多晶硅生长过程中使其表面形成一层氧化硅阻挡层，该氧化硅阻挡层能防止后续热过程中硼从栅极多晶硅渗透到钨硅层中，多晶硅生长完成后再进行硼离子注入，这样能有效降低硼在钨硅层中的聚集，从而能有效抑制PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽的发生，使PMOS器件的阈值电压稳定。
防止 pmos 器件工艺栅极多晶耗尽方法

[发明专利]双极晶体管的制作方法-CN201711366256.4有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：南京溧水高新创业投资管理有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：一种双极晶体管的制作方法包括：提供P型衬底，形成N型埋层、N型外延层、隔离沟槽、N阱、氧化层、第一开口；在氧化层及第一开口处的N型外延层上形成第一多晶硅，对第一多晶硅进行P型注入；对第一多晶硅进行表面氧化形成氧化硅层；对氧化硅层进行光刻及腐蚀，去除氧化层上的部分第一多晶硅上的氧化硅层；在第一多晶硅及氧化硅层上形成第二多晶硅；对第二多晶硅及第一多晶硅进行光刻与刻蚀，去除氧化层上的部分第一多晶硅及第二多晶硅；去除N型外延层上的部分第二多晶硅及部分氧化硅层，从而形成贯穿第二多晶硅及氧化硅层的第二开口；对第二开口处的第一多晶硅进行热氧化形成氧化物；去除氧化物。
双极晶体管制作方法

[发明专利]一种改善栅极特性的MOSFET芯片制造方法-CN202110925733.6有效
发明人：潘光燃;胡瞳腾 -专利权人：深圳市芯电元科技有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善栅极特性的MOSFET芯片制造方法，包括在隔离氧化层上成型轻掺杂多晶硅，并去除沟槽区域的轻掺杂多晶硅，以在沟槽区域外周侧获得第一轻掺杂多晶硅及第二轻掺杂多晶硅，在外延层成型源区，对第一轻掺杂多晶硅的部分区域进行重掺杂，获得第二重掺杂多晶硅，并向上成型介质层，第二重掺杂多晶硅与第一轻掺杂多晶硅的类型相反，及以第一轻掺杂多晶硅和第二重掺杂多晶硅组成二极管，以第二轻掺杂多晶硅两端组成电阻，所述二极管与所述电阻并联，并串接于栅极上在芯片内部集成了多晶硅电阻和多晶硅二极管，可有效限制流经栅极的电流，从而实现对栅极的保护。
一种改善栅极特性 mosfet 芯片制造方法

[发明专利]一种NOR Flash栅极多晶硅工艺方法-CN201911373896.7有效
发明人：熊伟;陈华伦 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：本发明提供一种NOR Flash栅极多晶硅工艺方法，提供同一工艺中的Flash存储区及外围逻辑区；在flash存储区中的栅极多晶硅以及外围逻辑区的逻辑区多晶硅上形成多晶硅硬掩膜；刻蚀去除flash存储区中栅极多晶硅上的多晶硅硬掩膜，保留外围逻辑区中逻辑区多晶硅上的多晶硅硬掩膜；刻蚀去除flash存储区中的栅极多晶硅；刻蚀去除flash存储区中的栅极氧化层和氮化硅层；刻蚀去除flash存储区中的字线端头处多晶硅,以及定义外围逻辑区中的逻辑区多晶硅本发明不增加光罩，使用已有的存储单元光罩对flash区预先处理后，使逻辑区域与flash区域氧化层厚度接近，在进行多晶硅刻蚀时可兼顾逻辑区及Flash存储区一并刻蚀，避免因不同工艺逻辑栅极多晶硅厚度差别需要增加光罩对
一种 nor flash 栅极多晶工艺方法

[实用新型]一种蜂巢结构多晶硅片-CN201620437580.5有效
发明人：陈德榜 -专利权人：温州海旭科技有限公司
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种蜂巢结构多晶硅片，包括单元结构，所述单元结构设有正六角N型多晶硅体，所述正六角N型多晶硅体上部设有正六角斜凹槽，所述正六角斜凹槽设有环形凹槽底，所述环形凹槽底的中部设有贯穿于正六角N型多晶硅体的圆柱形P型多晶硅体，所述正六角N型多晶硅体与圆柱形P型多晶硅体的连接部分形成PN结，所述正六角N型多晶硅体与圆柱形P型多晶硅体的上表面均设有吸光层，所述正六角N型多晶硅体的外侧设有多晶硅保护膜，所述正六角N型多晶硅体的底部设有第一电极，所述圆柱形P型多晶硅体底部设有第二电极。
一种蜂巢结构多晶硅片

[发明专利]多晶硅薄膜半导体衬底的制备方法-CN201910753004.X在审
发明人：魏星;徐洪涛;陈猛;高楠;苏鑫 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅薄膜半导体衬底的制备方法，其包括如下步骤：提供一衬底；在第一温度下，在所述衬底上生长一第一多晶硅薄膜层；在第二温度下，在所述第一多晶硅薄膜层上生长一第二多晶硅薄膜层，所述第一温度与所述第二温度不同，以释放多晶硅薄膜的应力。本发明采用高低温交替生长多晶硅薄膜层的方法在衬底上生成多晶硅薄膜，其能够释放多晶硅薄膜自身及其与半导体衬底之间的应力，改善多晶硅薄膜半导体衬底的翘曲度及弯曲度。
多晶硅薄膜衬底多晶硅薄膜层半导体制备交替生长释放生长高低温翘曲度弯曲度

[发明专利]多晶粒封装及其制造方法-CN202310617618.1在审
发明人：许佳桂;游明志;李宗彦;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：多晶粒封装包含多晶粒封装中包含的集成电路晶粒中的多个非主动晶粒。可以包含非主动晶粒以减少在多晶粒封装中使用的封装胶材料及/或底部填充材料的量，这降低多晶粒封装中的热膨胀系数失配量。在多晶粒封装的特定区域中使用多个非主动晶粒增加多晶粒封装中的间隙数量。多晶粒封装中增加的间隙数量提供多晶粒封装中用于应力和应变吸收的区域的增加量，并使得多晶粒封装中的应力和应变分布更均匀。
多晶封装及其制造方法

[发明专利]具有沟槽底部多晶硅结构的功率半导体及其制造方法-CN201010230893.0有效
发明人：涂高维 -专利权人：科轩微电子股份有限公司
申请日： 2010-07-15 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种具有沟槽底部多晶硅结构的功率半导体及其制造方法，所述功率半导体包括一第一导电型的基材、一沟槽、一重掺杂多晶硅结构、一栅极多晶硅结构与一栅极介电层；其中，沟槽形成于基材内；重掺杂多晶硅结构位于沟槽的一下部份，并且，重掺杂多晶硅结构的至少一侧边直接接触基材；栅极多晶硅结构位于沟槽的一上部份；栅极介电层位于栅极多晶硅结构与重掺杂多晶硅结构之间；重掺杂多晶硅结构的掺杂向外扩散以形成一重掺杂区。
具有沟槽底部多晶结构功率半导体及其制造方法

[发明专利]多晶硅刻蚀的方法-CN200610165226.2有效
发明人：霍秀敏 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2006-12-14 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅刻蚀的方法，用于在多晶硅片上刻蚀线条，多晶硅片包括自然氧化层、多晶硅层、SiO₂绝缘膜，多晶硅刻蚀的方法包括自然氧化层开启步骤、多晶硅层主刻步骤、多晶硅层过刻步骤既能有效的控制刻蚀线条的宽度尺寸，又不影响工艺气体对多晶硅层与SiO₂绝缘膜的选择比，主要适用于对多晶硅片进行刻蚀，也适用于对其它类似的硅片进行刻蚀。
多晶刻蚀方法

[发明专利]太阳能级多晶硅和电子级多晶硅联产的方法和系统-CN201710756829.8在审
发明人：相文强;宋高杰;侯雨;张伟;夏祥剑;孙荣义;陈朝霞;王惠 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能级多晶硅和电子级多晶硅联产的方法和系统，1)将生产太阳能级多晶硅的尾气与生产电子级多晶硅的尾气混合通过尾气分离得到分离开的粗制氢气、粗制氯硅烷；2)通过氢气初级提纯得到太阳能级氢气；通过氯硅烷初级提纯得到太阳能级氯硅烷；3)将部分太阳能级氢气用来作为生产太阳能级多晶硅的原料，其余部分通过氢气中级提纯得到电子级氢气；将部分太阳能级氯硅烷用来作为生产太阳能级多晶硅的原料，其余部分通过氯硅烷中级提纯得到电子级氯硅烷；4)生产太阳能级多晶硅；生产电子级多晶硅。实现单套系统具备同时进行太阳能级多晶硅和电子级多晶硅的生产能力，在不进行电子级多晶硅生产期间仍可以生产太阳能级多晶硅。
太阳能级多晶硅电子级多晶硅氢气氯硅烷太阳能级生产尾气初级提纯电子级提纯粗制联产生产期间生产能力