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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

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2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种碳化硅外延生长系统及其生长方法-CN201610262594.2在审
发明人：钮应喜;杨霏;温家良;潘艳;王嘉铭;李永平;田亮;吴昊;李玲;查祎英;郑柳;夏经华;桑玲;刘瑞;张文婷;李嘉琳 -专利权人：全球能源互联网研究院;国家电网公司;国网上海市电力公司
申请日： 2016-04-25 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅外延生长系统及其生长方法。本发明提供的外延系统可进行慢速生长、快速生长、N型掺杂、P型掺杂、单层外延生长、多层外延生长、薄膜外延层生长、厚膜外延层生长、选择性刻蚀等多种功能性的碳化硅外延生长；该系统可依据外延结构要求选择生长模式，生长适合的外延材料。本发明提供的技术方案生长的外延材料质量更优，缺陷更少，更适合应用于高电压电力电子器件中；其适合范围广、生长方法简单、加工成本低，适合工业化生产。
一种碳化硅外延生长系统及其方法

[发明专利]改善外延层上光刻标记的方法-CN201910057329.4在审
发明人：李伟峰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种改善外延层上光刻标记的方法，将厚外延层分成多层薄外延层进行外延生长，通过将上一层的光刻标记的刻蚀深度与下一层薄外延层的厚度相关联，以上一层薄外延层上形成的缩小结构的光刻标记通过光刻和刻蚀后得到改善后的光刻标记为基础，进行外延生长下一层薄外延层，以改善厚外延层上形成的光刻标记达到层间对准的工艺要求。本发明能够使厚外延层上形成的光刻标记达到层间对准的工艺要求。
光刻薄外延层厚外延层层间对准工艺要求外延生长外延层上光刻蚀多层关联

[实用新型]半导体发光芯片级封装-CN201520513632.8有效
发明人：彭晖;眭世荣;黄映仪 -专利权人：佛山市南海区联合广东新光源产业创新中心;彭晖
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本实用新型的半导体发光芯片级封装，包括，至少一个半导体发光外延层和覆盖物。其中，半导体发光外延层包括第一外延层、发光层和第二外延层，使得半导体发光外延层在通电后发光。覆盖物覆盖在半导体发光外延层的第一外延层上，并且覆盖半导体发光外延层的四个侧面。第一金属电极形成在第一外延层上，第二金属电极形成在第二外延层上。第一金属电极与第二金属电极在同一面上。
半导体发光芯片级封装

[实用新型]一种碳化硅外延生长系统-CN201620356478.2有效
发明人：钮应喜;杨霏;温家良;潘艳;王嘉铭;李永平;田亮;吴昊;李玲;查祎英;郑柳;夏经华;桑玲;刘瑞;张文婷;李嘉琳 -专利权人：全球能源互联网研究院;国家电网公司;国网上海市电力公司
申请日： 2016-04-25 - 公布日： 2016-12-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种碳化硅外延生长系统。本实用新型提供的外延系统可进行慢速生长、快速生长、N型掺杂、P型掺杂、单层外延生长、多层外延生长、薄膜外延层生长、厚膜外延层生长、选择性刻蚀等多种功能性的碳化硅外延生长；该系统可依据外延结构要求选择生长模式，生长适合的外延材料。本实用新型提供的技术方案生长的外延材料质量更优，缺陷更少，更适合应用于高电压电力电子器件中；其适合范围广、生长方法简单、加工成本低，适合工业化生产。
一种碳化硅外延生长系统

[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置-CN201911045015.9在审
发明人：林俊安;吕伟元;杨丰诚;林资敬;舒丽丽 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：此方法包含凹蚀延伸自基板的鳍片、形成基底外延部件于凹蚀的鳍片上、形成棒状外延部件于基底外延部件上、及形成保形外延部件于棒状外延部件上。棒状外延部件的形成包含在第一掺杂浓度下以N型掺质原位掺杂棒状外延部件。保形外延部件的形成包含在大于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度下掺杂保形外延部件。
半导体装置制造方法

[发明专利]改善背面硅单晶的外延片的制备方法、外延片和半导体器件-CN201810722379.5有效
发明人：高璇;陈建纲 -专利权人：上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善背面硅单晶的外延片的制备方法、外延片和半导体器件，方法为外延层生长前，首先在承载盘表面覆盖一层多晶硅，该层多晶硅将外延片背面边缘与承载盘之间的间隙密封起来，使外延层生长时氢气无法进入外延片背面边缘，从而减少外延片背面的硅单晶点。按照本发明技术方案生产的外延片，可以完全抑制外延片背面单晶硅点的生长。
改善背面硅单晶外延制备方法半导体器件

[发明专利]外延基片处理方法-CN200910209355.0无效
发明人：张元;孟庆丽 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2009-11-04 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种外延基片处理方法，包括：提供外延片，所述外延片包括上表面和下表面，所述外延片的下表面形成有晶点；在所述外延片的上表面形成保护层；去除所述外延片下表面的晶点；去除所述保护层。本发明处理后的外延片，外延片的背面没有晶点，并且具有比较高的平坦度，且本发明提供的外延片处理方法能够与标准半导体工艺结合，不需要额外的设备和特殊的工艺。
外延处理方法

[实用新型]双极栅低电压功率器件用外延片-CN201420047837.7有效
发明人：邹崇生 -专利权人：上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2014-01-24 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种双极栅低电压功率器件用外延片，所述双极栅低电压功率器件用外延片的材质为硅，所述双极栅低电压功率器件用外延片为层状结构，自下至上依次为基板、第一外延层和第二外延层。该双极栅低电压功率器件用外延片成功的克服了基板的自掺杂效应导致外延层的电阻率均匀性变差以及基板-外延过渡区变宽的缺陷，实现了外延层和衬底的低能耗。
双极栅低电压功率器件外延

[发明专利]外延结构体的制备方法-CN201210122583.6有效
发明人：魏洋;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-04-25 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延结构体的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一支持外延生长的外延生长面；在所述外延生长面生长一第一外延层；在所述第一外延层远离基底的表面设置一石墨烯层，所述石墨烯层具有多个空隙；以及在所述设置有石墨烯层的第一外延层表面生长一第二外延层。
外延结构制备方法

[发明专利]一种用于平面型功率MOSFET的外延制作方法-CN201110446915.1无效
发明人：陈伟 -专利权人：上海贝岭股份有限公司
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于平面型功率MOSFET的外延制作方法，包括：制作高掺杂浓度衬底；在所述衬底的基础上生长外延缓冲层；在所述外延缓冲层的基础上继续生长外延漂移层；在所述外延漂移层的基础上继续生长外延低阻层本发明利用三层外延减小外延漂移层电阻Rdrift和JFET电阻RJFET，从而减小了器件导通电阻，提高了器件性能。
一种用于平面功率 mosfet 外延制作方法

[发明专利]减少外延衬底缺陷的形成方法-CN201610293626.5在审
发明人：肖德元;张汝京 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-05-05 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种减少外延衬底缺陷的形成方法，先对原始外延衬底进行沉浸式缺陷去除处理，去除原始外延衬底较多的刮伤和缺陷，接着，进行抛光处理，接着，通过检测收集原始外延衬底表面形貌数据，并对形貌数据进行分析，获得原始外延衬底不同区域的温度控制分布图和刻蚀时间，并通过分区红外线对原始外延衬底进行分区温度控制，并采用等离子干法刻蚀对原始外延衬底进行不同区域的刻蚀，有针对性的刻蚀去除原始外延衬底不同区域的待刻蚀量，从而去除原始外延衬底表面的缺陷及刮伤，形成表面平滑的外延衬底，进而使后续形成的外延层性能得到提高。
减少外延衬底缺陷形成方法

[发明专利]碳化硅半导体器件及其制作方法-CN202111363503.1在审
发明人：袁俊 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅半导体器件及其制作方法，外延片包括：半导体基底；设置在所述半导体基底表面的第一外延层；设置在所述第一外延层背离所述半导体基底一侧表面的第二外延层；设置在所述第二外延层背离所述第一外延层一侧表面的第三外延层通过设置在第三外延层上的沟槽形成栅极，而且还能够基于形成栅极之前的所述沟槽，在所述第二外延层中进行离子注入，以在所述第二外延层中形成与所述第二外延层反型的掺杂区，解决了碳化硅半导体功率器件不便于形成较大深度掺杂区的难题
碳化硅半导体器件及其制作方法

[发明专利]用于产生外延晶片的系统和方法-CN202310145729.7在审
发明人：许致远;塗俊钦;杨燿青;陈世强 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本公开涉及用于产生外延晶片的系统和方法。一种产生外延半导体晶片的方法包含测量一或多个外延半导体晶片以确定由外延设备产生的外延沉积层构型。所述方法进一步包含通过将所述经抛光晶片的所述表面构型与由所述外延设备产生的所确定的外延沉积层构型进行比较而生成所述经抛光晶片的经预测外延后表面构型。所述方法还包含基于所述经预测外延后表面构型确定经预测外延后参数，以及基于所述经预测外延后参数调整所述抛光组合件的工艺条件。
用于产生外延晶片系统方法

[发明专利]一种减少碳化硅外延材料缺陷的方法-CN201510153852.9有效
发明人：芦伟立;冯志红;李佳;刘庆彬;蔚翠 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2015-04-02 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种减少碳化硅外延材料缺陷的方法，涉及半导体器件技术领域；包括如下步骤（1）衬底准备选取碳化硅衬底，对其进行标准清洗待用；（2）初步外延生长在碳化硅衬底上用化学气相沉积法进行初步外延生长较薄外延层；（3）原位退火切断外延生长源，对设备反应室抽真空，在1650℃～2000℃条件下，对步骤（2）外延后的样品进行退火处理；（4）再外延生长对步骤（3）退火后的样品，进行再外延生长，至所需厚度。本发明能够显著减小外延层中的残余应力，有效减少衬底传播外延层中缺陷，获取缺陷密度小的高质量碳化硅外延材料。
一种减少碳化硅外延材料缺陷方法

[发明专利]一种衬底可重复利用的外延结构制作方法-CN201410551495.7有效
发明人：林志伟;陈凯轩;张永;卓祥景;姜伟;杨凯;蔡建九;白继锋;刘碧霞 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开一种衬底可重复利用的外延结构制作方法，包括以下步骤：一、在外延衬底表面由下自上依次形成缓冲层、衬底保护层、外延剥离层、外延保护层及外延发光结构；二、对外延剥离层进行氧化，形成氧化剥离层；三，在外延发光结构的第二型电流扩展层上蒸镀金属反射层；将金属反射层与基板键合；四、采用强碱腐蚀氧化剥离层，使用带旋转功能的腐蚀装置腐蚀氧化剥离层，直至外延发光结构与外延衬底剥离，得到可重复利用的外延衬底。本发明可以解决剥离二极管而导致外延层破损问题，且可重复利用衬底，节约成本。
一种衬底重复利用外延结构制作方法

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