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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]LED外延结构-CN201310331888.2有效
发明人：焦建军;黄小辉;李晓莹;周德保;郑远志;陈向东;康建;梁旭东 -专利权人：圆融光电科技有限公司
申请日： 2013-08-01 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED外延结构，包括：衬底；所述衬底上设置有缓冲层；所述缓冲层表面设置有非掺杂的GaN层；所述非掺杂的GaN层表面设置有N型掺杂的GaN层；所述N型掺杂的GaN层表面设置有非对称谐振隧道
led 外延结构

[发明专利]外延生长设备-CN201210444086.8有效
发明人：董志清 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本发明提供一种外延生长设备，其包括反应腔室和加热单元，其中，反应腔室的腔室侧壁采用石英制作；加热单元围绕在腔室侧壁的外侧，并透过腔室侧壁朝向反应腔室的内部辐射热量。
外延生长设备

[发明专利]外延结构体-CN201210085266.1有效
发明人：魏洋;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-03-28 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延结构体，包括：一基底，所述基底具有一外延生长面，所述外延生长面具有多个第一凸起部与多个第一凹陷部；一碳纳米管层，所述碳纳米管层设置于所述基底的外延生长面，并覆盖所述多个第一凸起部与第一凹陷部，所述碳纳米管层的起伏趋势与所述外延生长面的起伏趋势相同；一外延层，所述外延层形成于所述基底的外延生长面，所述碳纳米管层位于所述外延层与所述基底之间。
外延结构

[发明专利]外延结构体-CN201210122568.1有效
发明人：魏洋;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-04-25 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延结构体，其中，所述外延结构体包括依次层叠设置的一基底，一石墨烯层及一外延层，所述基底与所述外延层接触的表面具有多个凹陷，形成一图案化的表面，所述石墨烯层设置于所述图案化的表面，所述外延层与所述基底接触的表面与所述图案化的表面耦合
外延结构

[发明专利]外延硅晶片-CN201610774247.8有效
发明人：小池康夫;片野智一;小野敏昭 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：解决手段如下：外延硅晶片是在氮浓度调节为1×10¹²‑1×10¹³原子/cm³、且由COP区域构成的硅晶片表面上形成有外延硅膜的外延硅晶片
外延晶片

[发明专利]外延基环-CN201610052064.5有效
发明人：史蒂夫·阿博阿杰;保罗·布里尔哈特;苏拉吉特·库马尔;常安忠;萨瑟施·库珀奥;穆罕默德·图格鲁利·萨米尔;戴维·K·卡尔森 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-02-19 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文描述的实施方式涉及用于基板处理腔室的基环组件。在一实施方式中，所述基环组件包括环形主体、上环与下环，所述环形主体的尺寸被设计以容置在所述基板处理腔室的内圆周内，所述环形主体包括装载端口以使基板通过、气体入口以及气体出口，其中所述气体入口与所述气体出口被设置在所述环形主体的相对端处，所述上环被配置以设于所述环形主体的顶表面上，所述下环被配置以设于所述环形主体的底表面上，其中所述上环、所述下环与所述环形主体一旦组装即大体呈同心或共轴的。
外延

[发明专利]硅外延片-CN200810095543.0有效
发明人：保科祐章;田中纪通 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2004-05-21 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种硅外延片，具有单晶硅基片，形成于该单晶硅基片的背面的硅氧化膜，以及形成于上述单晶硅基片的主表面上的硅外延层，其特征是，从上述单晶硅基片的上述背面延续到该单晶硅基片的外周部的至少最外缘的外周氧化膜
外延

[发明专利]外延基环-CN201711105746.9有效
发明人：史蒂夫·阿博阿杰;保罗·布里尔哈特;苏拉吉特·库马尔;常安忠;萨瑟施·库珀奥;穆罕默德·图格鲁利·萨米尔;戴维·K·卡尔森 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-02-19 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本文描述的实施方式涉及用于基板处理腔室的基环组件。在一实施方式中，所述基环组件包括环形主体、上环与下环，所述环形主体的尺寸被设计以容置在所述基板处理腔室的内圆周内，所述环形主体包括装载端口以使基板通过、气体入口以及气体出口，其中所述气体入口与所述气体出口被设置在所述环形主体的相对端处，所述上环被配置以设于所述环形主体的顶表面上，所述下环被配置以设于所述环形主体的底表面上，其中所述上环、所述下环与所述环形主体一旦组装即大体呈同心或共轴的。
外延

[发明专利]外延工艺方法-CN201911162959.4有效
发明人：涂火金;刘厥扬;胡展源 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延工艺方法，两次以上的子外延层生长工艺，在最顶层子外延层之前的各子外延层的所述子外延层生长工艺完成之后还包括气体清洗工艺，用于将对应的子外延层生长工艺的残余工艺气体去除，之后再进行外延生长工艺参数切换并进行下一次子外延层生长本发明能防止残余工艺气体在生长工艺参数切换过程中产生缺陷，从而能在多次子外延层生长工艺中防止缺陷产生。
外延工艺方法

[发明专利]外延石墨基座-CN201911049606.3有效
发明人：乔楠;周盈盈;李昱桦;刘旺平;王飞;胡加辉 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本公开公开了一种外延石墨基座，属于外延生长设备领域。且线段两个端点与弧线两个端点通过两个直线段构成的封闭图形位于阻挡层在底面的投影内时，位于衬底与圆形凹槽的底面之间的阻挡层可以封闭平边衬底的平边区域与侧壁间的间隙，阻止了气流与热度从平边衬底的平边区域与圆形凹槽的侧壁之间的间隙中流失，减小可能出现的平边衬底整体受热不均及外延层在生长时的温度不达标的情况，平边衬底上生长的外延层的质量得到提高。
外延石墨基座

[发明专利]外延生长装置-CN202110873786.8有效
发明人：汪延成;程佳峰;沈文杰;梅德庆;郑丽霞;周建灿;张秋成 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司;浙江求是半导体设备有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本发明涉及半导体外延生长技术领域，特别是涉及一种外延生长装置，该外延生长装置包括至少一个托盘、加热体和至少一组线圈组件；加热体内具有工作空间，托盘位于工作空间内，线圈组件沿加热体周向围设在加热体外；每组线圈组件具有一基点本申请中每个独立的子线圈将托盘上的区域划分为多个独立加热的子区域，每个独立的子线圈对托盘上对应的子区域进行单独加热，从而实现托盘表面温度分区可控；即可调整托盘上对应的子区域的温度，降低各个子区域之间的温度差值，以提高托盘上生长的外延层的质量
外延生长装置

[发明专利]外延生长装置-CN202110606879.4有效
发明人：朱亮;沈文杰;周建灿;程佳峰;张秋成;傅林坚;曹建伟;杨奎 -专利权人：浙江求是半导体设备有限公司;浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明提供一种外延生长装置，包括感应线圈和反应体，所述感应线圈围设于所述反应体周侧；所述反应体包括加热座、多个托盘；所述加热座内具有多个工作空间，所述托盘位于所述工作空间内，且每个托盘对应一所述工作空间本申请提供的外延生长装置具有多个工作空间，可同时生成多个外延层，提高工作效率，有效提高产量；同时，通过对多个托盘的独立控制，确保每个托盘上生产的产品品质优良，且同批次中生产的产品质量一致。
外延生长装置

[发明专利]LED外延片-CN201310398798.5无效
发明人：刘树高;安建春 -专利权人：山东开元电子有限公司
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED外延片，包括依次叠加的衬底、GaN缓冲层、第一N-GaN接触层、第一多量子阱发光层、P-GaN接触层、N型电极和P型电极，所述P-GaN接触层另一面依次设有第二多量子阱发光层和第二
led 外延

[发明专利]LED外延结构-CN201210275054.X无效
发明人：林翔;马培培;陈勇;梁秉文 -专利权人：光达光电设备科技（嘉兴）有限公司
申请日： 2012-08-03 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED外延结构，包括：衬底，所述衬底上形成有第一半导体层；多量子阱层，位于所述第一半导体层上；第二半导体层，位于所述多量子阱层上，所述第二半导体层与第一半导体层的导电类型相反，还包括：第三半导体层本发明提高了LED外延结构的量子效率。
led 外延结构

[发明专利]LED外延结构-CN201210276259.X无效
发明人：林翔;马培培;陈勇;梁秉文 -专利权人：光达光电设备科技（嘉兴）有限公司
申请日： 2012-08-03 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED外延结构，包括：衬底，所述衬底上形成有第一半导体层；多量子阱层，位于所述第一半导体层上；第二半导体层，位于所述多量子阱层上，所述第二半导体层与第一半导体层的导电类型相反，还包括：透明粗化层本发明提高了LED外延结构的量子效率。
led 外延结构

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