“垂直沟道”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1120287个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]垂直晶体管及其制造方法-CN201510147785.X有效
发明人：卡洛斯·H.·迪亚兹;王志豪;连万益;杨凯杰;汤皓玲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：垂直晶体管包括源极‑沟道‑漏极结构、栅极和栅极介电层。源极‑沟道‑漏极结构包括源极、源极上方的漏极和介于源极和漏极之间的沟道。栅极围绕沟道的一部分。当垂直晶体管是n沟道垂直晶体管时，栅极被配置成提供基本沿着沟道的延伸方向的压缩应变，或当垂直晶体管是p沟道垂直晶体管时，栅极被配置成提供基本沿着沟道的延伸方向的拉伸应变。在一些实施例中，垂直晶体管还包括ILD，当垂直晶体管是n沟道垂直晶体管时，ILD被配置成提供基本沿着沟道的延伸方向的拉伸应变，或者当垂直晶体管是p沟道垂直晶体管时，ILD被配置成提供基本沿着沟道的延伸方向的压缩应变本发明还提供了垂直晶体管的制造方法。
垂直晶体管及其制造方法

[发明专利]用于使垂直全环栅器件中的载流子沟道应变的方法和结构-CN201510089654.0有效
发明人：大藤彻;吴俊鹏;蔡庆威 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：用于增强垂直全环栅器件中沟道性能的方法和结构，其提供了器件，该器件包括：源极区(140)；基本上垂直对齐于源极区的漏极区(190)；桥接在源极区和漏极区之间且限定基本上垂直的沟道方向的沟道结构(160)；以及垂直布置在源极区和漏极区之间且围绕沟道结构的栅极结构(170)。沟道结构包括彼此基本上并列垂直延伸的多个沟道(161)，每个沟道桥接源极区和漏极区，和插入每对相邻沟道之间且基本上沿着垂直沟道方向延伸的至少一个应力源(240)；应力源影响相邻沟道上的侧向应变，从而在垂直沟道方向上使沟道发生应变本发明还涉及用于使垂直全环栅器件中的载流子沟道应变的方法和结构。
源极区沟道漏极区沟道结构全环载流子沟道垂直沟道相邻沟道垂直应力源桥接侧向应变垂直布置垂直对齐方向延伸栅极结构垂直的并列

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110248114.4有效
发明人：郑永均 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，包括：形成在衬底之上的管道沟道层；形成在管道沟道层之上以将管道沟道层与位线相耦接的第一垂直沟道层；形成在管道沟道层之上以将管道沟道层与源极线相耦接的第二垂直沟道层；包括电荷陷阱层且形成为包围第一垂直沟道层、第二垂直沟道层和管道沟道层的多层；形成为包围所述多层的绝缘屏障层；形成在管道沟道层与位线之间的多个第一导电层，其中所述第一垂直沟道层贯穿第一导电层；以及形成在管道沟道层与源极线之间的多个第二导电层，其中所述第二垂直沟道层贯穿第二导电层
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体存储器件-CN202210634014.3在审
发明人：李基硕;金根楠;金熙中;李元锡;赵珉熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：所述半导体存储器件可以包括：位线；沟道图案，所述沟道图案位于所述位线上，所述沟道图案包括设置在所述位线上的水平沟道部分和从所述水平沟道部分垂直延伸的垂直沟道部分；字线，所述字线设置在所述沟道图案上以与所述位线交叉，所述字线包括设置在所述水平沟道部分上的水平部分和从所述水平部分垂直延伸以面对所述垂直沟道部分的垂直部分；以及栅极绝缘图案，所述栅极绝缘图案设置在所述沟道图案与所述字线之间。
半导体存储器件

[发明专利]三维非易失性存储器件、半导体系统及其制造方法-CN201410545144.5有效
发明人：金兑京;严大成 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-10-15 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种三维非易失性存储器件包括：从衬底延伸的第一垂直沟道层和第二垂直沟道层；沿着第一垂直沟道层和第二垂直沟道层与彼此间隔开的多个存储单元、第一选择晶体管和第二选择晶体管；在第一垂直沟道层之上采用层叠配置的焊盘、接触插塞和位线；以及形成在第二垂直沟道层之上的公共源极线。
三维非易失性存储器半导体系统及其制造方法

[发明专利]垂直存储器件-CN201510055617.8有效
发明人：李昌炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-02-03 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本发明公开了垂直存储器件。根据示例实施方式，一种垂直存储器件包括在下绝缘层上的低电阻层、在低电阻层上的沟道层、在沟道层上的多个垂直沟道、以及多个栅线。垂直沟道在相对于沟道层的顶表面垂直的第一方向上延伸。栅线围绕垂直沟道的外侧壁，并且在第一方向上层叠并且彼此间隔开。
垂直存储器件

[发明专利]垂直存储器件-CN201910678901.9有效
发明人：李昌炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-02-03 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：本发明公开了垂直存储器件。根据示例实施方式，一种垂直存储器件包括在下绝缘层上的低电阻层、在低电阻层上的沟道层、在沟道层上的多个垂直沟道、以及多个栅线。垂直沟道在相对于沟道层的顶表面垂直的第一方向上延伸。栅线围绕垂直沟道的外侧壁，并且在第一方向上层叠并且彼此间隔开。
垂直存储器件

[发明专利]半导体器件-CN201410743476.4有效
发明人：车载龙 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-12-08 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：公共源极区，其形成在半导体衬底中；位线，其形成在半导体衬底之上；第一垂直沟道层和第二垂直沟道层，其耦接在位线与公共源极区之间，其中，第一垂直沟道层和第二垂直沟道层交替地布置在半导体衬底上；第一导电层，其层叠在半导体衬底之上以包围第一垂直沟道层的一侧；第二导电层，其层叠在半导体衬底之上以包围第二垂直沟道层的一侧；以及电荷储存层，其形成在第一垂直沟道层与第一导电层之间以及第二垂直沟道层与第二导电层之间
半导体器件

[发明专利]在垂直晶体管替代栅极流程中控制自对准栅极长度-CN201710912237.0有效
发明人：谢瑞龙;山下天孝;程慷果;叶俊呈 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及在垂直晶体管替代栅极流程中控制自对准栅极长度，其中，一种半导体结构包括半导体衬底，位于半导体衬底上方的第一垂直晶体管的底部源/漏层，位于该源/漏层上方的垂直沟道，以及包覆该垂直沟道的金属栅极，该垂直沟道在与该金属栅极之间的接口处相对金属栅极具有固定高度。半导体结构还包括位于该垂直沟道上方的顶部源/漏层，以及至各顶部及底部源/漏层及该栅极的自对准接触。半导体结构可通过以下步骤实现：提供上方具有底部源/漏层的半导体衬底，在底部源/漏层上方形成垂直沟道，形成包覆垂直沟道的伪栅极，以及分别围绕垂直沟道的顶部及底部形成底部间隙壁层及顶部间隙壁层，垂直沟道的剩余中心部分定义固定垂直沟道高度
垂直晶体管替代栅极流程控制对准长度

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310011310.9有效
发明人：赵兴在 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-01-11 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直沟道晶体管，所述垂直沟道晶体管包括：柱体，所述柱体形成在衬底之上；以及栅电极，所述栅电极形成在柱体的侧壁上，其中，所述柱体包括：源极区、在源极区之上的垂直沟道区、在垂直沟道区之上的漏极区、以及插入在垂直沟道区与漏极区之间的泄漏防止区。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]垂直沟道晶体管以及包括垂直沟道晶体管的存储器件-CN200710087961.0无效
发明人：金真怜;宋基焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-02-23 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件，其包括：NMOS垂直沟道晶体管，位于衬底上，并包括围绕垂直p沟道区的p+多晶硅栅电极；和PMOS垂直沟道晶体管，位于衬底上，并包括围绕垂直n沟道区的n+多晶硅栅电极。该NMOS和PMOS垂直沟道晶体管任选地在CMOS操作模式下可工作。
垂直沟道晶体管以及包括存储器件

[发明专利]一种芯‑壳场效应晶体管及其制备方法-CN201410427814.3有效
发明人：孙雷;徐浩;张一博;韩静文;王漪;张盛东 -专利权人：北京大学
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种结合垂直沟道、芯‑壳结构和无结结构的环栅场效应晶体管，包括垂直方向的环状半导体芯，垂直方向的环状半导体壳，环状栅电极，环状栅介质层，芯源区，芯漏区，壳源区，壳漏区，半导体衬底；其中，芯源区位于垂直芯沟道的底部，与衬底相接，芯漏区位于垂直芯沟道的顶部；壳源区位于垂直壳沟道的底部，与衬底相接，壳漏区位于垂直壳沟道的顶部；壳沟道呈环状围绕住芯沟道；壳沟道外环绕着栅介质层；栅介质层外环绕着栅电极。本发明利用源漏沟道相同掺杂极大地降低了热预算消除了杂质扩散和突变结的形成问题、简化了工艺要求，利用锗芯增大了驱动电流，并利用垂直沟道、环形栅结构突破了集成加工光刻极限限制，提高了集成度。
一种场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]非易失性存储器装置和垂直NAND存储器装置-CN201410301392.5有效
发明人：薛光洙;金锡必;朴允童 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-02-09 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：本发明提供了一种包括垂直NAND沟道的非易失性存储器装置和一种垂直NAND存储装置，所述非易失性存储器装置可包括多个直接相邻的偏移的垂直NAND沟道，电结合到所述非易失性存储器装置的单一的选择栅极线，其中，所述多个直接相邻的偏移的垂直NAND沟道在所述非易失性存储器装置中限定的位线方向上相互偏移，其中，所述多个直接相邻的偏移的垂直NAND沟道包括第一沟道以及在垂直于位线方向的方向上与第一沟道偏移的第二沟道，其中，位线方向垂直于所述单一的选择栅极线的方向。
非易失性存储器装置垂直 nand 存储

[发明专利]垂直器件结构-CN201410507489.1有效
发明人：王志豪;廖忠志;连万益;游家权;邱奕勋;蔡庆威;吴伟豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-09-28 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了垂直器件结构。本发明涉及具有在源极区和漏极区之间延伸的矩形垂直沟道条的垂直晶体管器件及其相关的形成方法。在一些实施例中，垂直晶体管器件包括设置在半导体衬底上方的源极区。具有一个或多个垂直沟道条的沟道区设置在源极区上方。一个或多个垂直沟道条的底面邻接源极区并且具有矩形形状(即，具有四条边的形状，具有不同长度的相邻边和四个直角)。栅极区位于源极区上方并且位于邻接垂直沟道条的位置处，漏极区设置在栅极区和垂直沟道条上方。垂直沟道条的矩形形状提供了具有更好性能和单元区域密度的垂直器件。
垂直器件结构

[发明专利]交错堆叠的垂直晶体半导体沟道-CN202180014221.2在审
发明人：康宗圣;李桃;A·拉曼;P·约瑟夫;I·塞沙德里;E·A·德西尔瓦 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-02-17 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种半导体结构(100)包括具有多个垂直纳米线(106)的第一半导体沟道和具有多个垂直纳米线(106)的第二半导体沟道。第一半导体沟道和第二半导体沟道被配置为处于堆叠配置。第一半导体沟道的多个垂直纳米线(106)被配置为相对于第二半导体沟道的多个垂直纳米线(106)处于交替位置。
交错堆叠垂直晶体半导体沟道

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条