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[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200710153243.9无效
发明人：江口晋吾;门马洋平;谷敦弘;广末美佐子;桥本健一;保坂泰靖 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-09-29 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于当从衬底剥离包括半导体元件的元件形成层时，抑制随着剥离而产生的静电的放电。在衬底上形成剥离层、元件形成层。在元件形成层的上表面固定之后能够剥离的支撑基材。通过支撑基材改变元件形成层的形状，来使在元件形成层和剥离层的界面产生剥离。在进行剥离时，供应纯水等的液体，以便濡湿随着剥离而逐步露出的元件形成层及剥离层。产生在元件形成层及剥离层的表面的电荷由液体扩散，从而可以消除因剥离带电的放电。本发明的选择图为图3。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN200580044835.6有效
发明人：加藤清;守屋芳隆 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2005-12-21 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：一种半导体装置，其能够防止从阅读器/记录器传输的电磁波的振幅的减小并且能够防止由于磁场变化而造成的元件形成层的加热。本发明的半导体装置具有在基材上形成的元件形成层，和连接到元件形成层的天线。元件形成层至少具有导线，如电源导线和接地导线，其以非环形排列。可以提供元件形成层和天线以便彼此至少部分重叠。天线可以在元件形成层之上或之下提供。
半导体装置

[发明专利]长春花茎形成层来源的干细胞的诱导及分离方法-CN201510161811.4在审
发明人：于荣敏;杨加增;张文锦 -专利权人：于荣敏
申请日： 2015-04-04 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： C12N5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种夹竹桃科(Apocynaceae)长春花属长春花(catharanthus roseus)茎形成层来源的干细胞诱导及分离方法，其步骤包括将从夹竹桃科长春花的茎中获得的形成层组织；将所收获的形成层组织在适当的培养基中培养；将上述形成层组织所分离获得的细胞即为形成层干细胞；将所获得的茎形成层干细胞在5L光照生物反应器培养。利用本法生产长春花茎形成层来源的干细胞具有快速生长、稳定表达的特点，具有很大的工业应用前景。
长春花茎形成层来源干细胞诱导分离方法

[发明专利]半导体装置-CN201811115059.X有效
发明人：菊池哲郎;大东彻;今井元;铃木正彦;西宫节治;上田辉幸;原健吾 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：半导体装置中的至少1个薄膜晶体管(101)包括半导体层(7)、栅极电极(3)、栅极绝缘层(5)、源极电极(8)和漏极电极(9)，半导体层具有层叠结构，上述层叠结构包括：多个沟道形成层，其包括第1沟道形成层(70A)和第2沟道形成层(70B)；以及至少1个中间层，其包括配置于第1沟道形成层和第2沟道形成层之间的第1中间层(71a)，第1沟道形成层(70A)配置于比第2沟道形成层(70B)靠栅极绝缘层侧的位置且与栅极绝缘层(5)接触，多个沟道形成层和至少1个中间层均是氧化物半导体层，多个沟道形成层分别具有比至少1个中间层高的迁移率。
半导体装置

[发明专利]使用可溶解纸的电子照相3-D打印-CN201710205753.X有效
发明人： J·M·勒费夫尔;P·J·麦康维尔;C-H·刘;J·A·温特斯;E·鲁伊斯 -专利权人：施乐公司
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： B29C64/129 文献下载
摘要：在3‑D打印中，台板朝着中间转印带(ITB)移动以使定位在台板上的片材接触ITB以将不同材料的层静电转印到片材，并且然后台板移动到加热器以将层联结到片材。重复该过程以使片材重复地接触ITB(通过在加热器处中间加热)以在片材上连续地形成材料层。其上具有层的片材移动到漂洗站，其中施加液体以溶解片材并且留下层的独立堆叠。独立堆叠进给到平台以连续地形成层的独立堆叠的3‑D结构。光和/或热施加到3‑D结构以在平台上将独立堆叠彼此结合。
使用可溶解电子照相打印

[发明专利]码堆机、码堆方法以及物体层通过码堆机从输送机到层堆放工具的传送-CN201210564420.3有效
发明人：兹马伊·彼得罗维奇 -专利权人：西德尔合作公司
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： B65G57/20 文献下载
摘要：本发明涉及码堆机、码堆方法和物体层通过码堆机从输送机到层堆放工具的传送。将物体预先形成层堆放到货板上的码堆机，包括：输送机，装有推进物体预先形成层的推进装置和将动能传给物体预先形成层；层堆放工具，将物体预先形成层堆放到货板上，和传送装置，传送物体预先形成层，使得物体预先形成层的整体能够离开输送机并到达层堆放工具上输送机是输送机-发送器，用于发送物体预先形成层，以及传送装置仅由输送机-发送器的推进装置和由输送机-发送器所传给的动能构成。
码堆机方法以及物体通过输送机到层堆放工具传送

[发明专利]形成齿状电容器的方法-CN201210092795.4无效
发明人：陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成齿状电容器的方法，其步骤包含提供一基材、在所述基材上交替地形成层叠的低掺杂浓度掺杂硅玻璃层与高掺杂浓度掺杂硅玻璃层、形成多个通孔贯穿所有所述交替层叠的掺杂硅玻璃层、以及进行一湿刻蚀工艺以从所述通孔的侧壁刻蚀所述掺杂硅玻璃层，使得所述高掺杂浓度掺杂硅玻璃层受到比所述低掺杂浓度掺杂硅玻璃层较多的横向刻蚀，进而在所述通孔中形成齿状结构。
形成齿状电容器方法

[发明专利]层叠体-CN201980048410.4在审
发明人：中村健二;今野喜彦;松山浩幸;田井诚;藤田秀一 -专利权人：株式会社有泽制作所
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： B32B27/18 文献下载
摘要：层叠体，其包含基材和镀敷形成层，所述镀敷形成层配置在所述基材的两面的至少一个面上且含有热塑性树脂及镀敷催化剂，所述镀敷形成层还满足下述条件(1)及/或条件(2)。(1)所述镀敷形成层含有使所述镀敷催化剂分散的分散剂。(2)所述镀敷形成层的表面侧的所述镀敷催化剂的存在量比所述镀敷形成层的所述基材侧的所述镀敷催化剂的存在量大。
层叠

[发明专利]集成电路结构及其制造方法-CN202110489769.4在审
发明人：李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种方法包括：在衬底之上形成栅极结构。在栅极结构之上形成电介质帽盖。在衬底之上的源极/漏极区域之上形成源极/漏极接触件。在电介质帽盖之上选择性地形成蚀刻停止层，使得该蚀刻停止层暴露源极/漏极接触件。在蚀刻停止层和源极/漏极接触件之上形成层间电介质。在ILD中形成源极/漏极过孔，并且该源极/漏极过孔连接到源极/漏极接触件。
集成电路结构及其制造方法

[发明专利]利用补偿井信息的先行电阻率的系统和方法-CN201280077327.8在审
发明人： B·东德里奇 -专利权人：哈里伯顿能源服务公司
申请日： 2012-12-19 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： G01V3/26 文献下载
摘要：该方法可包括从形成层内的第一钻孔获得第一形成层数据。该方法可进一步包括从被设置在第二钻孔中的钻探组件获得第二形成层数据。第二形成层数据可对应于在钻头的前面和周围的形成层的一部分。可使第一形成层数据和第二形成层数据相关联，以标识形成层特性。该方法可进一步包括至少部分地基于形成层特性来改变钻探组件的操作条件。
利用补偿信息先行电阻率系统方法

[发明专利]剥离装置及半导体装置的制造方法-CN200710153241.X有效
发明人：江口晋吾;门马洋平;谷敦弘;广末美佐子;桥本健一;保坂泰靖 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-09-29 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及剥离装置及半导体装置的制造方法，其目的在于当从用于制造半导体元件的衬底剥离包括半导体元件的元件形成层时，消除随着剥离而产生的静电的放电。使形成有元件形成层及剥离层的衬底和薄膜经过加压用滚筒和加压用滚筒之间的空隙。在加压用滚筒和加压用滚筒之间，薄膜贴附到元件形成层。在加压用滚筒的回收薄膜一侧，薄膜沿着加压用滚筒的曲面而弯曲，从而在元件形成层和剥离层之间产生剥离，以元件形成层转移在薄膜。向由剥离而产生的元件形成层和剥离层之间的空隙通过喷嘴逐步供应液体如纯水等，从而产生在元件形成层及剥离层的表面上的电荷由液体扩散。
剥离装置半导体制造方法

[发明专利]制造三维非易失性存储器装置的方法-CN201910958010.9在审
发明人：权殷美;李多棉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：在制造非易失性存储器装置的方法中，可在半导体基板上交替地形成绝缘层和导电栅极以形成层叠结构。可穿过层叠结构形成接触孔。可在接触孔的表面上形成沟道层。可利用间隙填充绝缘层填充接触孔。可将间隙填充绝缘层蚀刻目标深度以限定初步结区域。可蚀刻沟道层直至沟道层的表面可与栅极当中的最上栅极的表面对应。可将防扩散离子注入到沟道层中。可在初步结区域中形成具有杂质的封盖层。
制造三维非易失性存储器装置方法

[发明专利]CIS型薄膜太阳能电池及其制造方法-CN200580042513.8有效
发明人：栉屋胜巳;田中良明;小野寺胜;田中学;名古屋义则 -专利权人：昭和砚壳石油株式会社
申请日： 2005-12-09 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明提供一种CIS基薄膜太阳能电池和用于制造该CIS基薄膜太阳能电池的方法，其中在短时间中以低成本进行碱屏障层和金属背电极层的形成，以阻止光吸收层从光吸收层和金属背电极层的界面处脱离的不利现象。该CIS基薄膜太阳能电池(1)包括依次堆叠的玻璃基底(2)、例如硅石的无碱层(7)、具有叠层结构的金属背电极层(3)、p型CIS基光吸收层(4)、高阻缓冲层(5)和n型窗口层(6)。该层(7)单独或者与层(3)中的第一层(3a)一起用作碱屏障层，其在层(4)形成的过程中，阻止和控制碱组分从基底(2)到光吸收层中的热扩散。在层(3a)中，晶粒是精细的并且具有高密度。在基底上通过RF或DC溅射形成层(7)之后，通过DC溅射在层(7)之上连续地形成层(3)。
cis 薄膜太阳能电池及其制造方法

[发明专利]人参形成层干细胞分离培养方法-CN201910066835.X有效
发明人：吴冬;代陈胜;成丽丽;陈怀德;刘民宪;侯丽丽;江灼和;刘雨佳;凌远建 -专利权人：深圳先声科技发展有限公司
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： C12N5/04 文献下载
摘要：本发明涉及人参形成层干细胞的分离培养方法，所述方法包括用本发明的式I化合物处理含有人参形成层的组织的步骤。本发明还涉及根据本发明的方法获得的人参形成层干细胞及其在制备用于人参悬浮培养的产品中的用途。本发明中提供的人参形成层细胞分离及培养方法可以有效地分离人参的形成层细胞，形成层细胞具有无限分裂能力，生长快速，抗逆能力强，为超大体积的液体培养提供基础，可以显著减少生产成本。
人参形成层干细胞分离培养方法

[发明专利]带有保护膜形成层的切片及芯片的制造方法-CN201380051745.4有效
发明人：高山佳;篠田智则;佐伯尚哉;高野健 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2013-10-04 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种带有保护膜形成层的切片，其具备经过预切割的固化性的保护膜形成层，即使在其制造时通过冲刀进行脱模加工，保护膜形成层也不变形。本发明的带有保护膜形成层的切片(10)的特征在于，将固化性的保护膜形成层(4)可剥离地临时粘接于外周部具有粘合部的支撑体(3)的内周部上，且该保护膜形成层在固化前于23℃下的储能模量为0.6～2.5GPa
保护膜形成层切片固化性储能模量不变形可剥离内周部外周部预切割粘合部支撑体冲刀脱模粘接固化制造芯片加工