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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种燃料电池气体扩散层、电极、膜电极组件、电堆及其制备方法-CN200810300243.1无效
发明人：李志民;肖钢;侯晓峰 -专利权人：汉能科技有限公司
申请日： 2008-01-29 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01M4/86 文献下载
摘要：本发明公开了一种燃料电池气体扩散层、电极、膜电极组件、电堆及其制备方法。所述的气体扩散层包括多孔基层1，位于多孔基层1上的预处理层2以及位于预处理层2上的气体扩散亚层3；通过将导电碳材料或纳米碳与低分子醇以及粘结剂混合均匀后进行涂布分别形成上述各层；以及采用上述气体扩散层的电极本发明对碳粉整平层的结构进行了调整，将传统的单层结构变为多层结构，形成梯度孔结构，可以更好的进行膜电极的水管理和传质传热。
一种燃料电池气体扩散电极组件及其制备方法

[发明专利]氮化物半导体装置及其制造方法-CN200810184420.4无效
发明人：盐泽胜臣;金本恭三;大石敏之;樽井阳一郎;德田安纪 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2008-12-19 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明提供能够降低在P型电极与氮化物半导体层的界面的接触电阻的氮化物半导体装置。该氮化物半导体装置(10)包括：P型氮化物半导体层(1)；和形成于P型氮化物半导体层(1)上的P型电极(3)，P型电极(3)通过在P型氮化物半导体层(1)上依次层叠由功函数为5.1eV以上的金属构成的金属层(3a)；由钯(Pd)构成的Pd层(3b)；和由钽(Ta)构成的Ta层(3c)而被形成。
氮化物半导体装置及其制造方法

[发明专利]含有Ⅲ族元素基氮化物半导体的电子器件-CN200610127080.2无效
发明人：小嵜正芳;平田宏治 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2006-09-26 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种电子器件，包括衬底；位于衬底上的单晶体第一缓冲层，其包含由通式Al_xGa_1－xN代表的半导体；位于第一缓冲层上的非单晶体第二缓冲层，其包含由通式Al_yGa_1－yN代表的半导体；和位于第二缓冲层上的包含GaN的未掺杂基层，其中0＜x≤1且0≤y≤1。第一缓冲层在1000℃－1200℃温度下形成。第二缓冲层在350℃－800℃温度下形成。衬底包含SiC。第二缓冲层具有5－20nm的厚度。
含有元素氮化物半导体电子器件

[发明专利]一种透明导电膜-CN201310444660.4无效
发明人：王立新 -专利权人：苏州胜利光学玻璃有限公司
申请日： 2013-09-26 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种透明导电膜，包括基材，并在基材表面依次镀覆底层、黑色层、导电层和保护层，然后对黑色层、导电层和保护层进行图案蚀刻，形成网格线图案，网格线沿着第一方向和第二方向布设，网格线之间形成的网格单元为透明区导电层为金属网格，阻抗低，适用于中大屏幕触摸屏，并且具有较高的透光率和抗干扰能力，减小设备的耗电；并且金属网格与现有技术中ITO导电膜相比，成本大大降低。
一种透明导电

[发明专利]布线电路基板及其制造方法-CN201210202736.8无效
发明人：大川忠男 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2012-06-15 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：在基体绝缘层的上表面形成有由一对传送线路构成的差动传送路径。在基体绝缘层的下表面形成有接地导体层。接地导体层隔着基体绝缘层与差动传送路径相对。接地导体层的与差动传送路径的一部分重叠的部分的厚度小于接地导体层的与差动传送路径的其他的部分重叠的部分的厚度。
布线路基及其制造方法

[发明专利]印刷配线板及其制造方法、印刷电路板单元和电子装置-CN201210065956.0无效
发明人：中村直树;菅根光彦;松井亚纪子;山田哲郎;向山考英;广岛义之;大井誉裕 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2012-03-13 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：公开了一种印刷配线板，其包括：绝缘层；导电层，与绝缘层交替堆叠；通孔，穿过绝缘层和导电层；第一抗镀剂部分，在通孔内壁的第一部分上形成，该第一部分位于从通孔一端到堆叠在一对绝缘层之间的一个导电层；以及镀覆部分，在通孔内壁的与第一部分不同的第二部分上形成。
印刷线板及其制造方法电路板单元电子装置

[发明专利]镀膜件的制备方法及由该方法制得的镀膜件-CN201110084827.1无效
发明人：张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;黄嘉 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2011-04-06 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明提供一种白色的镀膜件的制备方法，其包括如下步骤：提供基材；采用溅射法在该基材的表面形成一预制层，该预制层为含A金属的金属层，或为含A金属与M金属的不饱和氧化物层；其中A金属为钛、铝及锌中的一种或一种以上，M金属为钙及钡中的一种或两种；对预制层进行热氧化处理以形成色彩层，该色彩层呈现白色。
镀膜制备方法法制

[发明专利]电路基板及其制作方法-CN201110456526.7无效
发明人：苏民社;刘潜发 -专利权人：广东生益科技股份有限公司
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种电路基板，包括经过表面粗糙化处理形成粗糙层的玻璃膜、分别位于所述玻璃膜两侧粗糙层上的树脂粘接层、以及位于树脂粘接层外侧的金属箔，所述玻璃膜、树脂粘接层及金属箔通过压制结合在一起。本发明的电路基板，采用经过表面粗糙化处理形成粗糙层的玻璃膜为载体材料，使得树脂粘接层与玻璃膜表面具有良好的结合力，电路基板具有介电常数在X、Y、Z方向差别小的特点。
路基及其制作方法

[发明专利]发光元件搭载用基板、其制造方法及发光装置-CN201110217877.2无效
发明人：太田诚吾 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2011-07-22 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提供具备反射率高且因腐蚀而造成的反射率的下降较少的银反射层、出光效率有所提高的发光装置用基板。发光元件搭载用基板(1)包括基板主体(2)、形成于基板主体(2)的以银或银合金为主体的银反射层(6)、以覆盖银反射层(6)的整面的方式形成且包含玻璃的保护层，保护层(7)含有氧化铝类填料，且构成保护层(保护层(7)的玻璃中包含的银离子的浓度为0.5质量％以上5.0质量％以下。
发光元件搭载用基板制造方法装置

[发明专利]图案化聚合物层的方法及封装微电池的方法-CN201110279202.0无效
发明人： M.贝德贾奥伊;S.波勒特 -专利权人：原子能和代替能源委员会
申请日： 2011-09-20 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01M10/058 文献下载
摘要：本发明提供图案化聚合物层的方法及封装微电池的方法。一种图案化布置在支撑件(4)上的聚合物层(22)的方法，该方法包括：在支撑件的第一区域(18a、18b)上沉积由基于锂的聚合抑制剂材料制成的层(16)；在聚合抑制剂层以及支撑件的第二区域(18c)上沉积阳离子可聚合材料(20)；进行聚合处理，从而在第一区域中形成未固化的牺牲层(20)且在第二区域中形成聚合物层(22)；以及去除牺牲层(20)。
图案聚合物方法封装电池

[发明专利]氮化镓系化合物半导体的磊晶结构及其制作方法-CN03121877.6无效
发明人：赖穆人;刘家呈;章烱煜 -专利权人：威凯科技股份有限公司
申请日： 2003-04-16 - 公布日： 2004-10-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓系化合物半导体磊晶结构及其制作方法，是在基板上磊晶形成单晶结构的磷化硼缓冲层后，继续在低温下于上述单晶磷化硼缓冲层上形成III族－氮化物缓冲层，然后在高温下于上述低温下生成的III族－氮化物缓冲层上再生成一III族－氮化物缓冲层，藉此，本发明可提供一种制程简单且成本低的缓冲层结构，使其后续的磊晶层具有较完美的晶体结构，以有效达到提高元件发光效率、亮度与使用寿命等功效。
氮化化合物半导体结构及其制作方法

[发明专利]一种电池隔离膜-CN02151640.5无效
发明人：陈杰良;吕昌岳 -专利权人：鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2002-12-28 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： H01M2/14 文献下载
摘要：一种电池隔离膜，其包括多个膜层，膜层之间通过粘结剂粘结。每一膜层包括多个由碳原子与锂离子构成的分子层，其中每三个相邻的锂离子形成一正三角形单元，每一碳原子位于正三角形单元中心并且碳原子与锂离子之间通过悬浮键连接，且相邻碳原子以共价键形成碳六元环。膜层的层数为5至20层，每一膜层厚度为500nm至500μm，且正三角形单元边长为25nm至100nm。
一种电池隔离

[发明专利]分离装置、分离方法及制造半导体衬底的方法-CN00101846.9无效
发明人：近江和明;米原隆夫;坂口清文;柳田一隆;栗栖裕和 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2000-02-02 - 公布日： 2000-08-30 - 主分类号： H01L21/08 文献下载
摘要：通过键合单晶硅层形成于多孔层上和绝缘层形成于单晶硅层上的第一衬底与第二衬底得到键合衬底叠片,在多孔层分离该键合衬底叠片时,防止了分离的衬底的外围发生锯齿缺陷。在一个方向(R)绕轴(C)使键合衬底叠片(30)旋转的同时,从喷嘴(112)喷射流体,并注入到键合衬底叠片(30)的多孔层,从而在多孔层将键合衬底叠片(30)分成两个衬底。
分离装置方法制造半导体衬底

[发明专利]记录纸-CN96103957.4无效
发明人：福岛範夫;岡本道子;吉田羲雄;安田强;黑山良弘 -专利权人：日本制纸株式会社
申请日： 1996-04-01 - 公布日： 2002-07-10 - 主分类号： D21H19/40 文献下载
摘要：公开了一种具有记录层的记录纸，该记录层包括作为它的主要成份的水溶粘合剂和合成二氧化硅，所述层在基纸的至少一面上形成，就形成该层的一个表面上的固体而论该层的量为0.5-0.4克/米2，其中该记录层表面的临界表面张力(γc)为32≤γc≤42达因/厘米2，或用水测定的接触角为100°-120°，或换句话说，该记录层表面的临界表面张力为32≤γc≤42达因/厘米和用水测定的接触角为100°-120°
记录纸

[发明专利]运动用球的内胆、球及其制作方法-CN200710194152.X无效
发明人：郑榕斌 -专利权人：郑榕彬
申请日： 2007-12-05 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： A63B45/00 文献下载
摘要：所述方法包括以下步骤：提供充气的内胎；将涂覆有胶粘剂的纤维绕在内胎上形成第一增强层；在所述第一增强层外施加第二增强层；以及施加外皮层。所述运动用球包括橡胶内胎，第一增强层、中介层、第二增强层以及外皮层。本发明的方法简单易行，使用本发明的方法制作的运动用球具有双重增强层，防水，抗冲击，适应性强，球形性好，形成后的球壁的厚度以及球重心稳定均匀，形状的保持性以及耐久性好。
运动内胆及其制作方法

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