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[发明专利]光信息记录媒体及其制造方法、表面印刷方法-CN200610008304.8有效
发明人：内田守;松本孝信;远藤智德;辛有明 -专利权人：太阳诱电株式会社
申请日： 2006-02-17 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种光信息记录媒体，可同时满足增强印刷图像形成层的油墨吸收性与固定性，并且抑制或者防止显示部分发粘这两个相反的要求，从而使印刷性优良，以获得高画质，且该印刷出的显示体具有高保持性，并且进行过该显示的表面层上难以出现发粘现象此时，关于印刷图像形成层用涂布液，即便是粘度比较低的产品也可获得厚膜。本发明的光信息记录媒体，具有以层叠于透光性基板一个主面上的各层为中介的印刷图像形成层，且记录着或者能够记录，利用从该基板另一主面侧射入的激光以光学方式可读取的信号，并且，上述印刷图像形成层包括含树脂膜且具有油墨吸收性的多孔质层而且，在该多孔质层侧与之相邻接的层的表面上形成斥水部。而且，在邻接多孔质层的下层设置固定层。
信息记录媒体及其制造方法表面印刷

[发明专利]三维造型装置、制造方法以及记录介质-CN201710694927.3有效
发明人：角谷彰彦;石田方哉;冈本英司 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2017-08-14 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： B29C64/153 文献下载
摘要：提供在三维造型装置中能够清晰地形成物体轮廓的技术。三维造型装置具备：喷射部，能够喷射作为物体的材料的流动性材料；以及控制部，控制喷射部喷射流动性材料，从而执行一次以上的形成物体的一层截面体的截面体形成处理来形成层叠有一层以上的截面体的层叠体。
三维造型装置制造方法以及记录介质

[实用新型]一种3D模组及3D打印机-CN202320495690.7有效
发明人：肖振中;刘贤焯;张丁军 -专利权人：奥比中光科技集团股份有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B29C64/20 文献下载
摘要：本申请通过在3D模组中设置处理芯片及不设处理芯片构成不同形态的3D模组，两种不同形态的3D模组均包括：发射端，用于向3D打印机的打印平台或形成层发射光束，发射端包括激光器和/或泛光器，激光器向打印平台或形成层发射点状光束、线状光束或十字状光束中任一种光束，泛光器向打印平台或形成层发射泛光光束；接收端，包括面阵接收的图像传感器，用于采集经打印平台或形成层反射回的自然光或泛光光束生成2D图像，或采集经打印平台或形成层反射回点
一种模组打印机

[发明专利]布线基板-CN201510282210.9在审
发明人：长谷川芳弘 -专利权人：京瓷电路科技株式会社
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：本发明的布线基板具备：具有过孔的核心基板、绝缘层、从绝缘层的上表面贯通到下表面的通孔、布线形成层以及接地或者电源用导体，布线形成层由多个带状导体以及至少被填充在带状导体之间的绝缘树脂部形成，接地或者电源用导体形成为包含与带状导体对置的区域，绝缘层的相对介电常数比绝缘树脂部的相对介电常数大。
布线

[发明专利]形成低K层的方法和形成半导体装置的方法-CN201910292773.4在审
发明人：李善英;康珉材;金*娟;金台原;卓容奭;金善政 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了一种形成低k层的方法和形成半导体装置的方法，所述形成低k层的方法包括通过将硅源、碳源、氧源和氮源提供到基底上来形成层。形成层的步骤包括多个主循环，每个主循环包括提供硅源、提供碳源、提供氧源以及提供氮源，提供硅源、提供碳源、提供氧源和提供氮源中的每个执行至少一次。每个主循环包括交替执行提供碳源和提供氧源的子循环。
氧源主循环低K层氮源硅源半导体装置交替执行子循环基底

[实用新型]一种复合金属骨架管-CN202221886797.6有效
发明人：徐冶锋 -专利权人：徐冶锋
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： F16L9/147 文献下载
摘要：本申请涉及一种复合金属骨架管，属于塑料管道技术领域，其包括金属骨架形成层和耐压增强层，耐压层增强层采用高弹性模量塑料混配短纤维制成，并且耐压增强层设置在金属骨架形成层的外侧壁上。
一种复合金属骨架

[发明专利]一种三维存储器的存储单元结构-CN201810195274.9在审
发明人：王本艳;陈邦明;景蔚亮;寇煦丰 -专利权人：上海新储集成电路有限公司
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种三维存储器的存储单元结构，包括：第一金属连线层，制备有字线；二极管制备层，形成于第一金属连线层的上表面；二极管制备层中具有与字线连接的选通二极管；磁隧道结形成层，形成于二极管制备层的上表面；磁隧道结形成层中制备有分别连接字线和选通二极管的磁隧道结；第二金属连线层，形成于磁隧道结形成层的上表面；第二金属连线层中制备有位线，位线与磁隧道结连接；其中，选通二极管的导通方向朝向字线；能够形成单位面积大的选通二极管
二极管制备磁隧道结选通金属连线层上表面字线存储单元结构三维存储器位线半导体技术领域存储单元存储功能连接字线驱动电流导通保证

[发明专利]半导体激光器的波导结构-CN202010216859.1在审
发明人：杨国文;唐松 -专利权人：度亘激光技术(苏州)有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本申请的半导体激光器的波导结构包括衬底、下限制层、量子阱、上限制层和脊形成层，所述下限制层设置在所述衬底上；所述量子阱设置在所述下限制层上；所述上限制层设置在所述量子阱上；所述脊形成层设置在所述上限制层上，所述脊形成层包括刻蚀沟槽和脊波导；其中，所述刻蚀沟槽的槽顶宽度为0.5‑5μm。
半导体激光器波导结构

[实用新型]半导体激光器的波导结构-CN202020393234.8有效
发明人：杨国文;唐松 -专利权人：度亘激光技术(苏州)有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本申请的半导体激光器的波导结构包括衬底、下限制层、量子阱、上限制层和脊形成层，所述下限制层设置在所述衬底上；所述量子阱设置在所述下限制层上；所述上限制层设置在所述量子阱上；所述脊形成层设置在所述上限制层上，所述脊形成层包括刻蚀沟槽和脊波导；其中，所述刻蚀沟槽的槽顶宽度为0.5‑5μm。
半导体激光器波导结构

[发明专利]电光学装置及其制造方法,元件驱动装置及其制造方法,元件基板和电子设备-CN03801726.1有效
发明人：今村阳一 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2003-05-29 - 公布日： 2005-03-30 - 主分类号： G09F9/00 文献下载
摘要：为了抑制在驱动电光学元件等被驱动元件的电路中有源元件在特性上的无序差异，电光学装置(D)具有元件层、布线形成层(2)和电子部件层(3)。元件层(1)具有在平面内不同位置上分别配置的多个有机EL元件(10)。电子部件层(3)具有象素驱动用IC芯片(37)。布线形成层(2)位于元件层(1)和电子部件层(3)之间。该布线形成层(2)具有用于连接象素驱动用IC芯片(37)所含各象素电路(377)和与该象素电路(377)对应的有机EL元件(10)的布线。
光学装置及其制造方法元件驱动电子设备

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN201710017494.8有效
发明人：金大益;金奉秀;朴济民;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：所述方法可包括以下步骤：蚀刻外围区上的本体图案以形成图案并且随后在单元区和外围区二者上形成层。所述方法可包括：形成从单元区延伸至外围区上的线图案；以及随后在单元区和外围区二者上形成层。
制造半导体装置方法

[发明专利]一种显示装置及其控制方法-CN201710229236.6有效
发明人：谭纪风 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： G02F1/29 文献下载
摘要：该显示装置包括显示面板，所述显示面板包含有多个光敏传感单元，还包括：位于所述显示面板的显示侧且沿远离所述显示面板的方向依次设置的透光孔形成层、液晶透镜层、导光层，以及设置在所述导光层侧面的光源；其中，所述透光孔形成层可在透光状态和小孔状态之间切换，所述小孔状态为所述透光孔形成层用于形成与每个光敏传感单元正对的透光孔的状态；所述液晶透镜层可在非透镜状态和透镜状态之间切换，所述透镜状态为所述液晶透镜层用于形成与每个所述光敏传感单元正对的凸透镜的状态
一种显示装置及其控制方法

[发明专利]传感器装置和距离测量装置-CN202180012688.3在审
发明人：井本努;细谷昌宏;大竹悠介 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：根据本发明的传感器装置包括：第一芯片，具有第一半导体基板和第一布线形成层并且具有像素，该像素被配置为包括光电转换元件；以及传输光电转换元件的存储电荷的第一传输门元件和第二传输门元件，以及第二芯片，具有第二半导体基板和第二导布线形成层所述传感器装置还具有电连接至第一传输门元件的第一导线，电连接至第二传输门元件的第二导线和电连接至地的第三导线，其中，第一导线、第二导线和第三导线中的每一个通过接合形成在第一布线形成层上并且在第一方向上延伸的第一部分和形成在第二布线形成层上并且在第一方向上延伸的第二部分来形成
传感器装置距离测量

[发明专利]制备低温多晶硅薄膜及晶体管的方法-CN201610661993.6在审
发明人：王鹏飞 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备低温多晶硅薄膜的方法，包括如下步骤：提供基底；在所述基底上形成温差形成层；所述温差形成层包括多个第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域在进行激光退火时，形成温度差；在所述温差形成层上积淀非晶硅层；进行激光退火以形成多晶硅层。上述方法使非晶硅层在激光退火时不同对应区域也形成了温度差，这样，非晶硅层的低温区中的晶粒会向高温区中扩散，最终实现硅晶粒的超级横向晶化，得到晶粒尺寸大且分布均匀的多晶硅层。由于温度差的形成不是通过激光扫描线得到，而是通过激光一次照射得到，因此生产效率更高。
制备低温多晶薄膜晶体管方法

[发明专利]半导体集成电路装置及其半导体集成电路芯片-CN200310118709.3无效
发明人：铃木敦;大桥繁男;西原淳夫;森英明 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2003-11-28 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：在板状的半导体芯片(101)的一侧面上形成形成有多个电路的电路形成层(2)，并把热传送层(15)与和形成了电路形成层的面相反的侧面接合成一体，该热传送层(15)由与半导体芯片相同的材料形成，且在其内部形成了成为闭合流路的流路管在该闭合流路内封入水等的工作流体(4)，以与工作流体相接触的方式设置了作为工作流体驱动单元的电阻膜(5)，利用电阻膜(5)对工作流体脉冲状加热使其汽化(崩沸)，而对工作流体提供振动，因此传送及扩散在电路形成层
半导体集成电路装置及其芯片