|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 5478243个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]电致发光装置-CN200710085674.6无效
-
安川浩司
-
精工爱普生株式会社
-
2007-03-06
-
2007-10-31
-
H01L27/32
- 本发明的电致发光装置，在元件基板(S)的电路形成层(S2)上的形成有各有机EL元件(12)的区域形成了阻挡层15。而且，在元件基板(S)的电路形成层(S2)上形成阻挡层15后，对元件基板(S)进行加热，从电路形成层(S2)除去内在于电路形成层(S2)中的水分。然后，形成功能层(19)、对置电极(20)，来形成有机EL元件(12)。从而，未蒸发而残留在电路形成层(S2)中的水分，由该阻挡层(15)被拦截而不浸入功能层(19)内部，因此有机EL元件(12)的功能层不会被水分浸湿。
- 电致发光装置
- [发明专利]一种加热料筒的加热通风系统-CN201911135657.8在审
-
郑志荣;权安江
-
亿夫曼（北京）科技有限公司
-
2019-11-19
-
2020-03-31
-
B29C48/80
- 本发明实施例公开了一种加热料筒的加热通风系统，属于加热设备领域，其技术方案要点包括：风道形成层、隔热层、电磁线圈层和风罩，风罩固定设置在加热料筒外侧，风道形成层、隔热层和电磁线圈层设置于加热料筒与风罩之间，风道形成层设置在加热料筒外壁上，风道形成层包括多个隔热瓦，相邻两个隔热瓦之间可拆卸连接，风道形成层与加热料筒之间形成风道，风道一端位于风罩内，另一端与风罩外部连通，风罩上设置有鼓风机，鼓风机用于产生经过风道的气流，隔热层设置于风道形成层外侧，电磁线圈层设置于隔热层外侧。加热效果更好，热利用率高，并且风道形成层能够有效避免加热过程中的热量散失，并且在需要进行降温调节时能够方便的进行降温操作。
- 一种加热通风系统
- [实用新型]一种加热料筒的加热通风系统-CN201922003612.7有效
-
郑志荣;权安江
-
亿夫曼（北京）科技有限公司
-
2019-11-19
-
2020-09-25
-
B29C48/80
- 本实用新型公开了一种加热料筒的加热通风系统，属于加热设备领域，其技术方案要点包括：风道形成层、隔热层、电磁线圈层和风罩，风罩固定设置在加热料筒外侧，风道形成层、隔热层和电磁线圈层设置于加热料筒与风罩之间，风道形成层设置在加热料筒外壁上，风道形成层包括多个隔热瓦，相邻两个隔热瓦之间可拆卸连接，风道形成层与加热料筒之间形成风道，风道一端位于风罩内，另一端与风罩外部连通，风罩上设置有鼓风机，鼓风机用于产生经过风道的气流，隔热层设置于风道形成层外侧，电磁线圈层设置于隔热层外侧。加热效果更好，热利用率高，并且风道形成层能够有效避免加热过程中的热量散失，并且在需要进行降温调节时能够方便的进行降温操作。
- 一种加热通风系统
- [发明专利]长条层叠片的卷料-CN201980009705.0在审
-
上道厚史;冈本直也;中石康喜
-
琳得科株式会社
-
2019-01-22
-
2020-09-04
-
B32B7/06
- 本发明的目的在于防止在由包含带树脂膜形成层的支撑片和长条的剥离片的长条层叠片卷绕成卷状而成的卷料中的树脂膜形成层上产生卷绕痕迹，该带树脂膜形成层的支撑片具有大致矩形的支撑片和形成于支撑片的大致矩形的树脂膜形成层，且具有用于将环形框架保持在俯视下围绕树脂膜形成层的区域的大致矩形的环形框架保持构件，在剥离片剥离处理面上短边方向的两端连续层叠长条辅助片，多个带树脂膜形成层的支撑片沿剥离片长边方向可剥离且独立地暂时粘着于剥离片剥离处理面上短边方向内侧该长条层叠片中，将从去除剥离片后的树脂膜形成层侧俯视图中树脂膜形成层与辅助片外侧端的距离设为W1、将该俯视图中辅助片最宽部分的辅助片宽度设为W2时，W2/W1≤1.6。
- 长条层叠
- [发明专利]口服给药制剂的制备方法-CN200780053173.8有效
-
加太章生;杉浦裕作;铃木栄次;冈部秀晃
-
琳得科株式会社
-
2007-12-14
-
2010-03-31
-
A61J3/07
- 本发明公开了一种口服给药制剂的制备方法，该方法将第一水膨胀性凝胶形成层和第二水膨胀性凝胶形成层设置在最外层，在内部空间封入药物，所述内部空间是通过使所述第一水膨胀性凝胶形成层的周边部和所述第二水膨胀性凝胶形成层的周边部直接或者经由粘合剂层粘结而形成的，其中，该方法包括：(a)步骤，形成第一水膨胀性凝胶形成层；(b)步骤，在所述第一水膨胀性凝胶形成层的所定部分上形成凹部；(c)步骤，将药物填充至所述形成的凹部内，从而得到药物填充体；以及(d)步骤，在所述药物填充体上，直接或者经由粘合剂层而形成第二水膨胀性凝胶形成层，使得所述第一水膨胀性凝胶形成层和所述第二水膨胀性凝胶形成层粘结在所述凹部的周边部。
- 口服制剂制备方法
- [发明专利]水压转印膜结构、转印膜结构及水压转印方法-CN201310374354.8在审
-
徐茂峰
-
徐茂峰
-
2013-08-23
-
2015-03-18
-
B44C1/175
- 本发明涉及一种水压转印膜结构，包含水溶性薄膜基材、形成在该水溶性薄膜基材上的第一图案预形成层、形成在该第一图案预形成层上的第二图案层、位于该第二图案层上方的油溶性固定层及形成在该油溶性固定层上的活化剂层其中，该第一图案预形成层包括至少一个由水溶性涂料形成的第一区及至少一个由油溶性涂料形成的第二区；该活化剂层是至少部分渗透通过该油溶性固定层进入该第二图案层及该第一图案预形成层而与该第二图案层及该第一图案预形成层产生互溶该水压转印膜结构能在物件上形成具有凹凸触感且多样化的立体图案。
- 水压膜结构方法
- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410376834.2有效
-
苫米地秀一;小谷淳二
-
富士通株式会社
-
2014-08-01
-
2017-08-29
-
H01L29/778
- 本发明公开了半导体器件以及制造半导体器件的方法，该半导体器件包括形成在衬底上的第一超晶格缓冲层。在第一超晶格缓冲层上形成有第二超晶格缓冲层。在第二超晶格缓冲层上由氮化物半导体形成有第一半导体层。在第一半导体层上由氮化物半导体形成有第二半导体层。第一超晶格缓冲层通过交替地且周期地层叠第一超晶格形成层和第二超晶格形成层而形成。第二超晶格缓冲层通过交替地且周期地层叠第一超晶格形成层和第二超晶格形成层而形成。第一超晶格形成层由AlxGa1‑xN形成，第二超晶格形成层由AlyGa1‑yN形成，其中x>y。掺杂到第二超晶格缓冲层中的杂质元素的浓度高于掺杂到第一超晶格缓冲层中的杂质元素的浓度。
- 半导体器件及其制造方法
|
