专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]多层线路板及其制备方法-CN200710164326.8无效
  • 鹤见光之 - 富士胶片株式会社
  • 2007-10-23 - 2008-04-30 - H05K3/46
  • 本发明提供一种多层线路板,包括用其间插入至少一个电绝缘的多层结构形成的线路制图,该线路制图通过绝缘(一个或多个)中形成的至少一个通道互相电连接。该多层线路板在基材或具有预定线路制图线路板的单面或两面上包含至少一个含线路。该含线路包含:通过依次设置绝缘、化学活性位点产生形成线路形成,该化学活性位点产生与绝缘和含反应性聚合化合物之间相互作用,所述含反应性聚合化合物可以与化学活性位点产生以及导体相互作用,然后对线路形成施加能量,以便在化学活性位点产生和含反应性聚合化合物之间的相互作用;并且在线路形成上设置导体
  • 多层线路板及其制备方法
  • [发明专利]用于光电子器件的分布式布拉格反射器-CN200380107734.X无效
  • R·H·荘森;R·A·侯方尼;J·R·比阿德;J·K·古恩特尔;J·A·塔图姆;K·L·荘森 - 菲尼萨公司
  • 2003-10-24 - 2006-02-08 - H01S5/187
  • 一种氧化受限的垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有一种分布式布拉格反射器,该反射器的一重掺杂的铝浓度较高的氧化物开口形成设于铝浓度较低的第一和铝浓度中等的第二之间。在第一和氧化物开口形成之间可存在很薄的过渡,在该过渡中,铝浓度从高向低发生变化。在某些实施例中,铝浓度可从氧化物开口形成一步变到第二。氧化物开口形成可设于由谐振激光产生的电场的零位或其中一个节点处,或设于这些点附近。在氧化物开口形成的氧化过程中,所有或部分含铝的其他DBR也可被氧化,但是其氧化程度会轻得多。这些的氧化部分和未氧化部分之间的结被认为会降低该装置的稳定性和/或可靠性。为了减轻这种不良后果,本发明试图用离子注入、蚀刻或是其它合适的工艺来减少或消除与这些的氧化部分和未氧化部分之间结相关联的一个或多个电气后果,同时也用其来减轻DBR的其他各含铝的氧化。
  • 用于光电子器件分布式布拉格反射
  • [发明专利]一种柏木木栓内侧形成剥离器-CN201910544585.6有效
  • 周识儒 - 江西志成达家具有限公司
  • 2019-06-21 - 2020-07-17 - B27C5/02
  • 本发明公开了一种柏木木栓内侧形成剥离器,包括机身,所述机身内设有开口向左的工作腔,所述工作腔顶壁固定设有第一传动腔,所述第一传动腔与所述工作腔之间设有夹持并带动木材向下移动的夹持下移机构,所述工作腔底壁内设有第二传动腔,所述第二传动腔与所述工作腔之间设有将木材木栓内侧形成剥离的剥离机构,本发明的设备利用圆环锯齿对柏木木栓内侧形成进行剥离,剥离出环形树皮,另外,在剥离过程中自动吸收飘浮在工作腔内的木屑粉尘,粉尘统一回收收集不会污染空气
  • 一种柏木木栓内侧形成层剥离
  • [实用新型]一种可变形成架的桌子-CN201921213688.6有效
  • 陈文珠 - 漳州市必兴钢管家具有限公司
  • 2019-07-30 - 2020-05-15 - A47B85/06
  • 本实用新型公开了一种可变形成架的桌子,包括固定框、桌板一和桌板二,所述桌板一固定安装在固定框上靠近其一侧的顶部,所述固定框内远离桌板一的相对面固定连接有固定板,所述桌板二上靠近其一侧的底部固定安装有U本实用新型通过上述等结构的配合,实现了使桌子跨功能使用,既能当桌子使用,也可以当架使用,解决了现有的家具一般都是单功能使用的问题。
  • 一种可变形成层桌子
  • [发明专利]均热板及其制作方法及电子设备-CN202010987564.4在审
  • 程志政 - 南昌欧菲显示科技有限公司
  • 2020-09-18 - 2020-12-22 - H05K7/20
  • 均热板的制作方法包括:提供第一板体,第一板体包括层叠设置的第一主体和第一形成;蚀刻第一形成,得到多个第一成型部,相邻的第一成型部之间形成第一流道;提供第二板体,第二板体包括层叠设置的第二主体和第二形成;蚀刻第二形成,得到多个第二成型部,相邻的第二成型部之间形成第二流道;接合第一板体和第二板体。本申请通过在第一主体上形成第一流道且在第二主体上形成第二流道,共同形成具有毛细力的腔体,极大地压缩了均热板的厚度,有利于均热板的轻薄化,同时第一主体和第二主体的设置有利于防止均热板的氧化。
  • 均热及其制作方法电子设备
  • [发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置-CN201910540917.3在审
  • 下沢慎 - 富士电机株式会社
  • 2019-06-21 - 2020-03-10 - H01L21/768
  • 本发明提供在接触孔形成金属插塞时能防止硅基板被蚀刻的半导体装置的制造方法及半导体装置。半导体装置的制造方法中,在第1导电型的第1半导体(1)的一个表面形成栅极绝缘膜(8),在第1半导体的一个表面的表面层形成第2导电型的第2半导体(5),在栅极绝缘膜上形成栅电极(9),选择性地除去栅极绝缘膜,通过在氧气氛中进行热处理,从而在第2半导体的表面形成热氧化膜(13),在第2半导体(5)的表面层选择性地形第1导电型的第3半导体(6),在热氧化膜上形成间绝缘膜,将热氧化膜、间绝缘膜选择性地开口而形成接触孔,形成覆盖接触孔的势垒金属,通过使用了金属卤化物的CVD法在势垒金属内埋入金属插塞。
  • 半导体装置制造方法

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