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- [发明专利]多层线路板及其制备方法-CN200710164326.8无效
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鹤见光之
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富士胶片株式会社
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2007-10-23
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2008-04-30
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H05K3/46
- 本发明提供一种多层线路板,包括用其间插入至少一个电绝缘层的多层结构形成的线路制图,该线路制图通过绝缘层(一个或多个)中形成的至少一个通道互相电连接。该多层线路板在基材或具有预定线路制图线路板的单面或两面上包含至少一个含线路层。该含线路层包含:通过依次设置绝缘层、化学活性位点产生层形成线路形成层,该化学活性位点产生层与绝缘层和含反应性聚合化合物层之间相互作用,所述含反应性聚合化合物层可以与化学活性位点产生层以及导体层相互作用,然后对线路形成层施加能量,以便在化学活性位点产生层和含反应性聚合化合物层之间的相互作用;并且在线路形成层上设置导体层。
- 多层线路板及其制备方法
- [发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置-CN201910540917.3在审
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下沢慎
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富士电机株式会社
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2019-06-21
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2020-03-10
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H01L21/768
- 本发明提供在接触孔形成金属插塞时能防止硅基板被蚀刻的半导体装置的制造方法及半导体装置。半导体装置的制造方法中,在第1导电型的第1半导体层(1)的一个表面形成栅极绝缘膜(8),在第1半导体层的一个表面的表面层形成第2导电型的第2半导体层(5),在栅极绝缘膜上形成栅电极(9),选择性地除去栅极绝缘膜,通过在氧气氛中进行热处理,从而在第2半导体层的表面形成热氧化膜(13),在第2半导体层(5)的表面层选择性地形成第1导电型的第3半导体层(6),在热氧化膜上形成层间绝缘膜,将热氧化膜、层间绝缘膜选择性地开口而形成接触孔,形成覆盖接触孔的势垒金属,通过使用了金属卤化物的CVD法在势垒金属内埋入金属插塞。
- 半导体装置制造方法
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