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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]蚀刻制造方法以及图案化制造方法-CN200410085084.X有效
发明人：周珮玉 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2004-10-12 - 公布日： 2006-04-19 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种蚀刻制造方法，其首先提供一材料层，且材料层上已形成有一底部抗反射层以及一图案化光致抗蚀剂层。接着，以图案化光致抗蚀剂层为蚀刻掩模，蚀刻底部抗反射层。然后，进行一清洁步骤，以清除附着在图案化光致抗蚀剂层表面上的聚合物。之后，以图案化光致抗蚀剂层为蚀刻掩模，蚀刻材料层。
蚀刻制造方法以及图案

[发明专利]用于测量晶片上的图案布置误差的方法和系统-CN201810353449.4在审
发明人：金庆燮 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： G03F1/76 文献下载
摘要：一种用于测量晶片上的图案布置误差(PPE)的方法包括接收光掩模图案。一个或多个单位单元图案被添加到光掩模图案。每个单位单元图案包括至少一个参考设计图案和至少一个PPE检查设计图案。光掩模由其上添加有一个或多个单位单元图案的光掩模图案制造。使用所制造的光掩模对晶片进行图案化。获取图案化晶片的显微镜图像。测量至少一个参考设计图案和至少一个PPE检查设计图案之间的位移作为图案布置误差。
设计图案图案布置光掩模图案测量晶片单元图案多个单位光掩模图案化晶片显微镜图像单位单元掩模图案参考接收光图案化晶片制造测量检查图案

[发明专利]图案化层状结构的光刻设备、图案化系统与方法-CN202080076833.X在审
发明人：克里斯多弗·丹尼斯·本彻 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本案的实施方式包括一种用于图案化层状结构的光刻设备、图案化系统及方法。图案化系统包括图像形成装置及反应层。图案化系统允许在单一操作中创建光刻图案。光刻设备包括图案化系统和光学系统。光刻设备与图像形成装置一起使用多个波长的光，以在反应层上创建多个颜色图案。图案化方法包括将反应层暴露于多个波长的光。依据发射到不同区域的光的波长，光会与反应层的不同区域发生不同的反应。
图案层状结构光刻设备系统方法

[发明专利]半导体器件层上的氧化层刻蚀后残留物的去除方法-CN201010136701.X有效
发明人：叶逸舟;朱晓静;杨晓松;郁志芳 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-03-26 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件层上的氧化层刻蚀后残留物的去除方法，对在半导体器件层上热生长的氧化层进行图案化后，在半导体器件层上出现残留物，该方法还包括：在半导体器件层以及氧化层上热生长第二氧化层后抛光至该图案化的氧化层的上表面；在第二氧化层和该图案化的氧化层上旋涂光阻胶层，采用光刻工艺得到图案化的光阻胶层，该图案化的光阻胶层的图案与该氧化层的图案相同；以图案化的光阻胶层为掩膜，对第二氧化层和该图案化的氧化层刻蚀，得到二次图案化的氧化层
半导体器件氧化刻蚀残留物去除方法

[发明专利]指纹辨识系统及其辨识方法-CN202011108829.5在审
发明人：印秉宏;王佳祥 -专利权人：广州印芯半导体技术有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：该指纹辨识系统包括光发射器、光接收器以及比对模块。首先，光发射器对待测物发射至少一图案化发射光，接着借由光接收器接收待测物反射后的图案化反射光，之后借由比对模块，将图案化发射光及图案化反射光相互比对并产生比对信息，最后当比对信息于立体比对区间时，判定该待测物的表面为立体
指纹辨识系统及其方法

[发明专利]照明或信号指示装置和机动车辆-CN201810465753.8在审
发明人：斯特凡纳·泰里;范磊;王龙;罗辑;周海清;杨平武 -专利权人：法雷奥照明公司
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： F21S43/14 文献下载
摘要：该照明或信号指示装置(100，200)包括：光源(101，201)；第一光图案形成部件(110，210)，其被构造成对来自光源的光进行图案化，以形成第一光分布；和第二光图案形成部件(120，220)，其位于第一光图案形成部件(110，210)的出光侧并被构造成对来自第一光图案形成部件(110，210)的第一光分布进行图案化，以形成投射至一目标(1)上的第二光分布。
光图案信号指示装置光分布图案化成对光源机动车辆投射

[发明专利]结构光投影模组、深度相机及制造结构光投影模组的方法-CN201711080702.5在审
发明人：黄源浩;王兆民;闫敏;许星 -专利权人：深圳奥比中光科技有限公司
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： G03B21/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种结构光投影模组、深度相机以及制造结构光投影模组的方法，该结构光投影模组包括光源，包括布置成二维阵列的多个子光源，用于发射与所述二维阵列对应的二维图案化光束；透镜，接收并汇聚所述二维图案化光束；衍射光学元件，接收经所述透镜汇聚后出射的所述二维图案化光束，并投射出斑点图案化光束；所述斑点图案包括与所述二维图案对应的多个像图案，所述多个像图案中的相邻的像图案之间的关系至少包括重叠、毗连以及间隔关系中的两种本申请的结构光投影模组能够投影出具有较高不相关度的斑点图案。
结构投影模组深度相机制造方法

[发明专利]使用具有多重脉冲的脉冲列激光与等离子体体蚀刻的晶圆切割-CN201280001234.7在审
发明人：类维生;S·辛格;M·R·亚拉曼希里;B·伊顿;A·库玛 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：一种方法包括以下步骤：于半导体晶圆上方形成光罩。该光罩由覆盖并保护该等集成电路的层所组成。以使用多重脉冲的脉冲列激光雕绘工艺图案化该光罩，以提供具有间隔的图案化光罩。该图案化暴露出在集成电路之间的半导体晶圆的区域。之后经由图案化光罩中的间隔蚀刻半导体晶圆，以切割该等集成电路。
使用具有多重脉冲激光等离子体蚀刻切割

[发明专利]罩幕式只读存储器的制造方法-CN02142772.0有效
发明人：林圣评 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-09-19 - 公布日： 2004-03-24 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：于此基底上形成一层材质层后，图案化此材质层，且经图案化的材质层覆盖住预定形成埋入式扩散区的区域。然后，利用实时蒸汽产生制作工艺或快速热回火制作工艺使经图案化的材质层转变成经图案化的氧化硅层。接着，于基底上形成暴露经图案化的氧化硅层的一层图案化光阻层，并以图案化光阻层为罩幕，进行掺质植入制作工艺以于基底中形成埋入式扩散区。之后，移除图案化光阻层，并于基底上形成字线。
罩幕式只读存储器制造方法

[发明专利]具有图案化玻璃集中器的光伏装置-CN201080036082.5有效
发明人：马修·斯彭切尔;克里斯托弗·R·科丁 -专利权人：北美AGC平板玻璃公司
申请日： 2010-07-14 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H02N6/00 文献下载
摘要：本发明提供了具有能够集中太阳能的光学部件的光伏装置以及制造该光伏装置的方法。更具体地，本发明提供了在线制造的图案化玻璃部件，其能够集中太阳能并允许在光伏装置中使用显著少的光伏材料。本发明还提供了制造图案化玻璃的在线方法和制造并入在此描述的图案化玻璃的光伏装置的方法。
具有图案玻璃集中器装置

[发明专利]像素结构的制作方法-CN200810137834.1有效
发明人：杨智钧;黄明远;林汉涂;石志鸿;廖达文;方国龙;蔡佳琪 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2008-07-08 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：接着，于第二金属层上形成图案化光致抗蚀剂层，并以图案化光致抗蚀剂层为掩模移除部分的第二金属层，以于栅极两侧的通道层上形成源极与漏极，其中栅极、通道层、源极以及漏极构成薄膜晶体管。之后，于图案化光致抗蚀剂层、栅介电层以及薄膜晶体管上形成保护层。移除图案化光致抗蚀剂层，以使图案化光致抗蚀剂层上的保护层一并被移除，而形成图案化保护层，并暴露出漏极。接着，于图案化保护层与漏极上形成一像素电极。本发明可以简化工艺步骤并减少光掩模的制作成本。
像素结构制作方法

[发明专利]相移式光掩模及其制作方法-CN201711306818.6有效
发明人：赖义凯 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明公开一种相移式光掩模及其制作方法。该相移式光掩模用于在曝光制作工艺中转移一布局图。相移式光掩模包括一基板与一图案化相移层。图案化相移层设置于基板上并具有至少一元件图案开口与多个虚设图案开口，元件图案开口与虚设图案开口暴露出基板表面，且虚设图案开口环设于元件图案开口的周围。图案化相移层具有一预定厚度，使得曝光制作工艺中通过图案化相移层的曝光光束与通过元件图案开口或者虚设图案开口的曝光光束相位差为180度，并且图案化相移层的光线穿透率为100％。
相移式光掩模及其制作方法

[发明专利]图案化方法-CN200910005762.X有效
发明人：施仁杰;叶孝蔚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-02-06 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种图案化方法，包括于基底上形成光致抗蚀剂图案，光致抗蚀剂图案于基底上包括至少一预期开口与至少一留白开口于其中，于光致抗蚀剂图案与基底上形成图案化感光材料层，其中图案化感光材料层覆盖光致抗蚀剂图案的留白开口，以及对光致抗蚀剂图案的预期开口进行化学微缩辅助光刻解析度强化工艺。
图案方法

[发明专利]金属结构的制作方法-CN202111068603.1在审
发明人：周学轩;林宜宏 -专利权人：群创光电股份有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属结构的制作方法，其包括以下步骤：在基板上形成晶种层；在晶种层上形成图案化金属层，其中图案化金属层包括金属件；在晶种层上形成第一图案化光阻层，其中第一图案化光阻层的厚度小于图案化金属层的厚度；以及透过第一图案化光阻层对晶种层进行第一图案化制程以形成图案化晶种层，其中在第一图案化制程之后，金属件包括第一部分和第二部分，第一部分设置在图案化晶种层和第二部分之间，且第一部分的宽度大于第二部分的宽度
金属结构制作方法

[发明专利]图案化的方法-CN200610160394.2无效
发明人：陈薏新;王明俊;廖俊雄;杨闵杰 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-11-15 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种图案化的方法。此方法是先在材料层上依序形成底层、多硅有机层与光致抗蚀剂层。接着，图案化光致抗蚀剂层，再以光致抗蚀剂层为掩模，图案化多硅有机层。之后，以多硅有机层为掩模，进行一蚀刻工艺，图案化底层，此蚀刻工艺所使用的反应气体包括保护气体、蚀刻气体以及载气，其中保护气体可在蚀刻的过程中在已图案化的底层的侧壁形成保护层。其后，以底层为掩模，图案化材料层，以形成一开口。然后，再移除该底层。
图案方法

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