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[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制造方法-CN200810180071.9有效
发明人：廖国助;蔡善宏;陈素芬;钟明佑 -专利权人：统宝光电股份有限公司
申请日： 2008-11-21 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其包括：形成一半导体层于一基板上；形成一具有第一厚度以及一第二厚度的图案化光致抗蚀剂层于半导体层上；以图案化光致抗蚀剂层为掩模，图案化半导体层以形成一图案化半导体层；移除第二厚度的图案化光致抗蚀剂层；以第一厚度的图案化光致抗蚀剂层为掩模，进行一第一离子注入工艺于图案化半导体层上；移除第一厚度的图案化光致抗蚀剂层；形成一介电层与一栅极于该图案化半导体层上；以及以栅极作为掩模，进行一第二离子注入工艺于图案化半导体层上。
薄膜晶体管阵列制造方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制作方法-CN200810144232.9有效
发明人：曾贤楷;林汉涂;詹勋昌;方国龙 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2008-07-25 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，该方法包括下列步骤：先于基板上分别形成栅极图案与第一接垫图案，并依序形成栅极绝缘层与半导体层覆盖上述二图案。接着，形成图案化光阻层，并调整图案化光阻层在不同区域的光阻区块厚度与适当图案。再经由刻蚀工艺、缩减图案化光阻层工艺，以移除位于第一接垫图案上方的半导体层与栅极绝缘层。之后，移除图案化光阻层，形成源极图案、漏极图案与第一接垫图案电性连接的第二接垫图案。接着，形成图案化保护层于栅极绝缘层上，而图案化保护层具有暴露出源极图案或漏极图案的第二开口与暴露出第二接垫图案的第三开口。
薄膜晶体管阵列制作方法

[发明专利]制造光盘片模板的方法-CN201110119660.8无效
发明人：张俊诚 -专利权人：铼德科技股份有限公司
申请日： 2011-05-04 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： G11B7/26 文献下载
摘要：本发明在此揭露一种制造光盘片模板的方法，其包含以下步骤：(a)形成无机光阻层于基材上；(b)形成有机光阻层于无机光阻层上；(c)以激光照射有机光阻层以及无机光阻层，以形成无机光阻层的第一曝光区以及有机光阻层的第二曝光区；(d)移除无机光阻层的第一曝光区以及有机光阻层的第二曝光区，以形成图案化无机光阻层以及图案化有机光阻层；(e)自图案化无机光阻层上移除图案化有机光阻层；(f)保形地形成一剥离层覆盖于图案化无机光阻层之上
制造盘片模板方法

[发明专利]利用微图案载体制备的光学片-CN201110348339.7无效
发明人： H·雷;M·R·兰德瑞;X-D·米;J·格林纳;李柱贤 -专利权人： SKC哈斯显示器薄膜有限公司
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： G02B6/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有多个光导板图案的光学片，每个光导板图案具有用于发射光的微图案化输出表面，以及与该输出表面相对的微图案化底面。该光学片的制造步骤包括：在图案化辊温度为T1以及辊隙压力P1的条件下，将树脂挤入到图案化辊和图案化载体膜之间的辊隙，以形成光学片，该光学片具有第一图案化表面以及第二图案化表面，第一图案化表面具有传递自图案化辊的微图案，并且第二图案化表面具有传递自图案化载体膜的微图案；并且将图案化载体膜从光学片上剥落。
利用图案载体制备光学

[发明专利]薄型线路制作方法-CN201910923538.2在审
发明人：丁鸿泰;郭肯华 -专利权人：睿明科技股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H05K3/18 文献下载
摘要：本发明中薄型线路制作方法主要于一导电基材的上、下表面分别设置一光阻层，于该上表面的光阻层进行图案化，以形成一图案化光阻层，该图案化光阻层具有多个上方窗口，该些上方窗口暴露部分该导电基材；再进行电镀步骤，于暴露该些上方窗口的部分该导电基材上形成一图案化金属层；接着，利用第一移除步骤，移除该下表面的该光阻层；最后，进行图案化步骤，于该下表面图案化该导电基材，以形成一图案化线路层，该图案化线路层具有多个下方窗口，该些下方窗口暴露至少部分该图案化金属层，以完成一线路结构，本发明的制作方法改良有蚀刻制程会产生侧蚀的缺失，亦可大为降低线路厚度达到薄型化。
线路制作方法

[发明专利]母板制程与血液检测载体的制作方法-CN03137052.7无效
发明人：吴俊翰;郑瑞颐;陈俊华 -专利权人：铼德科技股份有限公司
申请日： 2003-06-02 - 公布日： 2004-12-08 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明是关于一种母板制程与血液检测载体的制作方法，母板制程包括：提供一导体板材；形成一图案化光阻层于导体板材上，图案化光阻层将导体板材部分区域暴露；形成一导体层于图案化光阻层暴露出的导体板材上；及剥除图案化光阻层制作方法是在导体板材上形成暴露部分导体板材的图案化光阻层，继之形成导体层于图案化光阻层暴露的导体板材上；接着进行去墨制程剥除图案化光阻层而形成母板，之后将母板组装于模具，并射出成形制出表面具微流道的血液检测载体由于直接电铸导体层于导体板材上，可解决现有母板在背面研磨出现残留应力及光阻层膜厚不均影响母板图案问题；血液检测载体上的微流道形状及深度一致，可增加制作稳定性，简化血液检验时程及成本。
母板血液检测载体制作方法

[发明专利]相移光掩模的制造方法-CN201810410555.1在审
发明人：田俊介;江政学;陈志明;林政旻;黄彦玮;张浩铭;林国钦;李冠贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：在一种制造光掩模的方法中，在掩模坯之上形成光刻胶层，所述掩模坯包括掩模衬底、设置在所述掩模衬底上的相移层及设置在所述相移层上的光阻挡层。利用光刻操作形成光刻胶图案。利用所述光刻胶图案作为刻蚀掩模将所述光阻挡层图案化。利用经图案化的所述光阻挡层作为刻蚀掩模将所述相移层图案化。以刻蚀硬覆盖体覆盖所述掩模衬底的边界区，而所述掩模衬底的图案区是暴露出来的。通过所述刻蚀硬覆盖体的所述开口将所述图案区中的经图案化的所述光阻挡层图案化。对所述图案区执行光刻蚀操作以移除所述光阻挡层的残留物。
掩模光阻挡层图案化衬底图案区相移层光刻胶图案刻蚀掩模覆盖体刻蚀相移光掩模光刻胶层边界区光刻蚀光掩模光刻移除制造开口暴露覆盖

[发明专利]形成纳米结构的方法-CN201110119659.5无效
发明人：张俊诚 -专利权人：铼德科技股份有限公司
申请日： 2011-05-04 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明在此揭露一种形成纳米结构的方法，其包含以下步骤：(a)形成无机光阻层于基材上；(b)形成有机光阻层于无机光阻层上；(c)以激光照射有机光阻层以及无机光阻层，以形成无机光阻层的第一曝光区以及有机光阻层的第二曝光区；(d)移除无机光阻层的第一曝光区以及有机光阻层的第二曝光区，以形成图案化无机光阻层以及图案化有机光阻层；以及(e)自图案化无机光阻层上移除图案化有机光阻层。
形成纳米结构方法

[发明专利]光感测结构及其制造方法-CN201510511596.6有效
发明人：黄嘉信 -专利权人：业成光电(深圳)有限公司;英特盛科技股份有限公司
申请日： 2015-08-19 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： G06F3/042 文献下载
摘要：本发明提供一种光感测结构。此光感测结构包含透明基板、图案化滤光层、遮光层及光感测元件。图案化滤光层设置于透明基板上，且图案化滤光层具有多个微孔以暴露一部分的透明基板。遮光层设置于透明基板上，且围绕图案化滤光层。光感测元件设置于图案化滤光层及遮光层上方，且具有一光发射面朝向图案化滤光层。一种光感测结构的制造方法也在此公开。由于本发明所提供的光感测结构无需在玻璃盖板上形成红外线孔，因此可解决玻璃盖板与感应膜贴附时所产生的公差问题。
图案化滤光层光感测透明基板遮光层光感测元件玻璃盖板公差问题光发射面感应膜红外线贴附微孔制造暴露

[发明专利]图案化光阻层的形成方法及其制造设备-CN200410006619.X无效
发明人：林陵杰;吴得鸿;黄国俊 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2004-02-25 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：一种图案化光阻层的形成方法，适于形成与一膜层对准的一图案化光阻层，此图案化光阻层的形成方法包括下列步骤：(a)在一基材上形成一光阻层；(b)对光阻层进行曝光；(c)测量光阻层的曝光位置与上述膜层之间的重叠误差；(d)根据重叠误差判断光阻层的曝光位置是否适当；以及(e)当光阻层的曝光位置适当时，对光阻层进行显影。另外，还提出一种图案化光阻层的制造设备，其利用上述的形成方法来实时反馈重叠测量结果，以减少图案化光阻层的制造时间以及再加工时间。
图案化光阻层形成方法及其制造设备

[发明专利]像素结构及其制造方法-CN200610108636.3有效
发明人：宋慧敏;洪孟锋 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2006-07-27 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：提供具有一不透光区与一部分透光区的一光罩，并利用此光罩在半导体材料层上形成一图案化光阻层。以图案化光阻层为遮罩移除部分金属层、部分栅极绝缘层与部分半导体材料层，以形成一栅极、一下电极、一图案化栅极绝缘层与一半导体层。移除部分图案化光阻层，以暴露出下电极上方的半导体层。以图案化光阻层为遮罩移除下电极上方的图案化栅极绝缘层与半导体层。移除图案化光阻层。在半导体层上形成一源极与一漏极。在基板上依序形成一图案化保护层与一像素电极。
像素结构及其制造方法

[发明专利]沟槽间形成空气间隔的方法-CN201210187234.2有效
发明人：张城龙;符雅丽;胡敏达;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-06-08 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L21/764 文献下载
摘要：本发明提供了一种沟槽间形成空气间隔的方法：预先提供一半导体衬底，所述半导体衬底表面自下而上依次包括第一刻蚀终止层和图案化的光阻胶层，图案化的光阻胶层所显露区域定义沟槽的关键尺寸；在第一刻蚀终止层和图案化的光阻胶层表面沉积超低温氧化层，并对所述超低温氧化层进行各向异性刻蚀，形成位于图案化光阻胶层两侧的侧壁层；沉积金属铜并进行化学机械研磨至与图案化光阻胶层的高度齐平，形成沟槽内的金属铜；在金属铜和图案化光阻胶层的表面形成有孔盖层；透过有孔盖层去除图案化光阻胶层
沟槽形成空气间隔方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN201811182653.0有效
发明人：张峰溢;李甫哲;童宇诚 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：首先，形成一第一图案化光致抗蚀剂层于一基底上。接着，在形成第一图案化光致抗蚀剂层于基底上之后，形成一第二图案化光致抗蚀剂层于基底上，其中第一图案化光致抗蚀剂层与第二图案化光致抗蚀剂层交错排列。接续，形成一衬垫层覆盖第一图案化光致抗蚀剂层以及第二图案化光致抗蚀剂层的侧壁。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]利用图案化辊生产的光学片-CN201110348396.5无效
发明人： M·R·兰德瑞;H·雷;J·格林纳;X-D·米;李柱贤 -专利权人： SKC哈斯显示器薄膜有限公司
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G02B6/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有多个光导板图案的光学片，每个光导板图案具有用于发射光的微图案化输出表面，以及与该输出表面相对的微图案化底面。该光学片的制造步骤包括：在第一图案化辊表面温度为T1，第二图案化辊温度为T2，以及辊隙压力为P1的条件下，将树脂挤入到第一图案化辊和第二图案化辊之间的辊隙，以形成光学片，该光学片具有第一图案化表面以及第二图案化表面，第一图案化表面具有传递自第一图案化辊的微图案，并且第二图案化表面具有传递自第二图案化辊的微图案。
利用图案生产光学

[发明专利]形成抗蚀刻保护层的方法-CN200610091591.3有效
发明人：林进祥;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-06-14 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明揭示一种在半导体基板上形成具有强化蚀刻阻抗的图案化光阻的方法。首先在基板上形成图案化光阻，在图案化光阻之上形成含硅聚合物层，接着以热处理工艺在图案化光阻及含硅聚合物层之间形成连接两层的交联抗蚀刻保护层，之后，移除剩余的含硅聚合物层，再以等离子体处理增加交联抗蚀刻保护层及图案化光阻的蚀刻阻抗因此，本发明能有效地制造精细的半导体尺寸，以及提供光阻图案额外的蚀刻阻抗。
形成蚀刻保护层方法