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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]晶片切割过程中颗粒污染的减轻-CN201880045337.0有效
发明人： 类维生;朴怀生;艾杰伊·库玛;布拉德·伊顿 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：描述了切割半导体晶片的方法。在一个示例中，一种对在其上具有多个集成电路的晶片进行切割的方法包含：将晶片切割成设置在切割带上的多个单切裸片(singulated die)。所述方法还包含在切割带上的多个单切裸片上方和之间形成材料层。所述方法还包括使切割带扩展，其中在扩展期间在材料层上收集多个颗粒。
晶片切割过程颗粒污染减轻

[发明专利]使用具有多重脉冲串的脉冲列激光与等离子体蚀刻的晶圆切割-CN201810568682.4有效
发明人： 类维生;S·辛格;M·R·亚拉曼希里;B·伊顿;A·库玛 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明涉及使用具有多重脉冲串的脉冲列激光与等离子体蚀刻的晶圆切割。本文描述切割半导体晶圆的方法，每个晶圆具有多个集成电路。一种方法包括以下步骤：于半导体晶圆上方形成掩模。所述掩模由覆盖并保护所述集成电路的层所组成。以使用多重脉冲串的脉冲列激光雕绘工艺图案化所述掩模，以提供具有间隔的图案化掩模。所述图案化暴露出在集成电路之间的半导体晶圆的区域。之后经由图案化掩模中的间隔蚀刻半导体晶圆，以切割所述集成电路。
使用具有多重脉冲激光等离子体蚀刻切割

[发明专利]用于激光钻孔盲通孔的方法和设备-CN202180060651.8在审
发明人： 类维生;K·莱斯彻基什;R·胡克;S·文哈弗贝克;V·斯瓦拉马克瑞希楠 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H05K3/40 文献下载
摘要：在实施例中，提供了一种在包含掩模层、导电层和介电层的基板中形成盲通孔的方法，包括以下步骤：将基板传送到扫描腔室；确定盲通孔的一种或多种性质，所述一种或多种性质包含顶部直径、底部直径、容积、或约80°或更大的锥角；将激光束聚焦在基板处，以移除掩模层的至少一部分；基于一种或多种性质调整激光工艺参数；以及在经调整的激光工艺参数下聚焦激光束以移除容积内的介电层的至少一部分，以形成盲通孔。在一些实施例中，掩模层可以是预蚀刻的。在另一个实施例中，提供了一种用于在基板中形成盲通孔的设备。
用于激光钻孔盲通孔方法设备

[发明专利]使用碳酸盐钝化的锂金属表面改良-CN202180081604.1在审
发明人：亚历杭德罗·塞维拉;类维生;吉里什库马尔·哥帕拉克里希南奈尔;叶芝莫兰·朗萨米;戴维·马萨尤基·石川;苏布拉曼亚·P·赫尔勒 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：示例性处理方法可以包括转移第一喷头下的锂膜。该方法可以包括通过第一喷头将氧化剂气体引入到锂膜上。该方法可以包括在锂膜上形成氧化物单层。氧化物单层可以是或包括吸附在锂膜上的氧化剂气体。该方法可以包括在形成氧化物单层之后转移第二喷头下的锂膜。该方法可以包括通过第一喷头将碳源气体引入到锂膜上。该方法还可以包括通过氧化物单层与碳源气体的反应将氧化物单层转化为碳酸盐钝化层。
使用碳酸盐钝化金属表面改良

[发明专利]使用分裂光束激光划线工艺与等离子体蚀刻工艺的混合式晶片切割方法-CN201780014005.1有效
发明人： J·帕克;类维生;B·伊顿;J·S·帕帕努;A·库玛 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-01-27 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：描述了切割半导体晶片的方法，各晶片具有多个集成电路。在示例中，切割具有多个集成电路的半导体晶片的方法包括：在半导体晶片上方形成掩模，该掩模由覆盖且保护集成电路的层构成。接着利用分裂激光束激光划线工艺(如分裂形状的激光束激光划线工艺)图案化该掩模，以提供具有缝隙的图案化掩模，暴露集成电路之间的半导体晶片区域。接着通过图案化掩模中的缝隙对半导体晶片进行等离子体蚀刻以将集成电路切单。
使用分裂光束激光划线工艺等离子体蚀刻混合式晶片切割方法

[发明专利]使用旋转光束激光刻划工艺及等离子体蚀刻工艺的混合式晶片切割方法-CN201780019350.4有效
发明人： J·朴;类维生;J·S·帕帕努;B·伊顿;A·库玛 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-03-23 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：描述了切割半导体晶片的方法，每个晶片具有多个集成电路。在一示例中，一种切割具有多个集成电路的半导体晶片的方法涉及：在该半导体晶片上方形成掩模，该掩模由覆盖且保护集成电路的一层组成。接着利用旋转激光光束激光刻划工艺图案化该掩模，以提供具有间隙的经图案化掩模，暴露该半导体晶片的集成电路之间的区域。接着穿过该经图案化掩模中的间隙等离子体蚀刻该半导体晶片以将集成电路切单。
使用旋转光束激光刻划工艺等离子体蚀刻混合式晶片切割方法

[发明专利]用于封装制造的激光烧蚀系统-CN202180048402.7在审
发明人： K·莱斯彻基什;J·L·富兰克林;类维生;S·文哈弗贝克;J·德尔马斯;陈翰文;朴起伯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： B23K26/359 文献下载
摘要：本公开涉及用于制造半导体封装的系统和方法，并且更具体地，用于通过激光烧蚀在半导体封装中形成特征的系统和方法。在一个实施例中，本文描述的激光系统和方法可用于将用作半导体封装的封装框架的基板图案化，所述半导体封装具有穿过其形成的一个或多个互连和/或放置在其中的一个或多个半导体管芯。本文描述的激光系统可产生用于在基板或其他封装结构中形成特征的可调谐激光束。具体地，激光束的频率、脉冲宽度、脉冲形状以及脉冲能量可基于图案化特征的期望大小和其中形成图案化特征的材料来调节。激光束的可调性使得在具有受控深度和形貌的半导体基板和封装中快速且准确地形成特征。
用于封装制造激光系统

[发明专利]使用混合式激光划线和等离子体蚀刻方式的晶片切割中的激光划线沟槽开口控制-CN202180044406.8在审
发明人： J·帕克;Z·Z·Y·陈;K·巴拉克里希南;J·S·帕帕努;类维生 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本文公开的实施例包含切割包括多个集成电路的晶片的方法。在实施例中，方法包括在半导体晶片上方形成掩模，并且通过第一激光处理将掩模和半导体晶片图案化。方法可进一步包括通过第二激光处理将掩模和半导体晶片图案化，其中第二激光处理与第一激光处理不同。在实施例中，方法可进一步包括通过等离子体蚀刻处理来蚀刻半导体晶片以切单集成电路。
使用混合式激光划线等离子体蚀刻方式晶片切割中的沟槽开口控制

[发明专利]用于细丝化及切单化光学装置的激光切割系统-CN202180020063.1在审
发明人：马亨德兰·奇丹巴拉姆;施穆埃尔·埃雷斯;类维生;约翰·伯纳德·罗斯科尼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：提供了一种制造光学装置的方法，该方法包含将包括一个或多个装置的第一基板转移至激光切割工具，激光切割工具包括细丝化平台和切单化平台。在细丝化平台中，在第一基板上创建一个或多个装置轮廓。在切单化平台中，沿着一个或多个装置轮廓从第一基板分割光学装置。将这些装置转移至储存或用于进一步的后端处理。
用于细丝切单化光学装置激光切割系统

[发明专利]用于封装制造的激光烧蚀-CN202110290683.9在审
发明人： K·莱斯彻基什;类维生;J·L·富兰克林;J·德尔马斯;陈翰文;G·帕克;S·文哈弗贝克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：公开了用于封装制造的激光烧蚀。制造封围一个或多个半导体晶粒的框架的方法包括通过第一激光烧蚀工艺在基板中形成包括一个或多个空腔和一个或多个穿孔的一个或多个特征，在一个或多个穿孔中填充电介质材料，以及通过第二激光烧蚀工艺在填充于一个或多个穿孔中的电介质材料中形成通孔中通孔。一个或多个空腔被配置为在其中封围一个或多个半导体晶粒。在第一激光烧蚀工艺中，基于一个或多个特征的深度调整照射基板的第一脉冲激光束的频率、脉冲宽度和脉冲能量。在第二激光烧蚀工艺中，基于通孔中通孔的深度调整照射电介质材料的第二脉冲激光束的频率、脉冲宽度和脉冲能量。
用于封装制造激光

[发明专利]高连接性装置堆叠-CN202110256865.4在审
发明人： K·莱斯彻基什;陈翰文;S·文哈弗贝克;G·帕克;K·赵;J·L·富兰克林;类维生 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H05K1/14 文献下载
摘要：本公开内容总体上涉及堆叠的小型化电子装置及其形成方法。更具体地，本文描述的实施例涉及半导体装置间隔件及其形成方法。本文描述的半导体装置间隔件可以用于形成堆叠的半导体封装组件、堆叠的PCB组件等等。
连接装置堆叠

[发明专利]使用具有中间穿透处理的混合激光刻划及等离子体蚀刻方法的晶片切割-CN201980059540.8在审
发明人： 类维生;布拉德·伊顿;艾杰伊·库玛 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：描述切割半导体晶片的方法，各晶片具有多个集成电路。在实例中，切割具有多个集成电路的半导体晶片的方法包含于半导体晶片上方形成掩模，所述掩模包括覆盖并保护集成电路的层。以激光刻划工艺图案化掩模，以提供具有间隙的经图案化的掩模，从而暴露介于集成电路间的半导体晶片的区域。在图案化掩模之后进行穿透处理，穿透处理包含第一物理轰击操作、第二反复的各向同性及定向等离子体蚀刻操作及第三定向穿透操作。在进行穿透处理之后，穿过经图案化的掩模中的间隙等离子体蚀刻半导体晶片，以分割集成电路。
使用具有中间穿透处理混合激光刻划等离子体蚀刻方法晶片切割

[发明专利]使用多边形扫描仪的增材制造-CN201980042110.5在审
发明人： 类维生;马亨德兰·奇丹巴拉姆;维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南;卡西夫·马克苏德 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： B29C64/264 文献下载
摘要：一种增材制造设备包括：平台；分配器，所述分配器被配置为将多个连续的馈给材料层输送到所述平台上；至少一个光源，所述至少一个光源被配置为生成第一光束和第二光束；多面镜扫描仪；致动器；和振镜扫描仪。所述多面镜扫描仪被配置为接收所述第一光束并将所述第一光束朝向所述平台反射。所述第一多面镜的旋转引起所述光束在第一方向上沿着所述平台上的馈给材料层上的某一路径移动。所述致动器被配置为引起所述路径沿着相对于所述第一方向呈非零角度的第二方向移动。所述振镜扫描仪系统被配置为接收第二光束并将所述第二光束朝向所述平台反射。
使用多边形扫描仪制造

[发明专利]使用多程激光划刻工艺及等离子体蚀刻工艺的混合晶片切割方法-CN201980016267.0在审
发明人：朴正来;詹姆斯·S·帕帕努;艾杰伊·库玛;类维生 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-02-13 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本案描述切割半导体晶片的方法。在一实例中，切割在其上具有集成电路的半导体晶片的方法包括在半导体晶片上方形成掩模，所述掩模由覆盖并保护集成电路的层组成。接着利用多程激光划刻工艺图案化掩模以提供具有间隙的图案化掩模，所述间隙暴露在集成电路之间的半导体晶片区域，多程激光划刻工艺包括沿第一边缘划刻路径的第一程、沿中心划刻路径的第二程、沿第二边缘划刻路径的第三程、沿第二边缘划刻路径的第四程、沿中心划刻路径的第五程及沿第一边缘划刻路径的第六程。然后穿过图案化掩模中的间隙等离子体蚀刻半导体晶片以单体化集成电路。
使用激光刻工等离子体蚀刻工艺混合晶片切割方法

[发明专利]具有重叠光束的增材制造-CN201880084660.9在审
发明人： 类维生;卡西夫·马克苏德;戴维·马萨尤基·石川 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： B29C64/264 文献下载
摘要：增材制造装置包括：平台；配置为将多个连续的进料材料层输送到平台上的分配器；用于产生第一光束和第二光束的光源组件；光束组合器，被配置为将第一光束和第二光束组合成公共光束；和镜面扫描仪，配置为将公共光束引导朝向平台，以沿着最外层的进料材料上的扫描路径输送能量。
具有重叠光束制造

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