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[发明专利]一种半导体封装结构-CN202210560443.0在审
发明人：钟小辉;张国栋;潘明东;王乾 -专利权人：江苏芯德半导体科技有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体封装结构，其包括基板、元器件、铟片、芯片、散热盖、绝缘的围挡结构和环形结构。基板上连接元器件和芯片，芯片外侧设有多个元器件，散热盖覆盖铟片、芯片和元器件，围挡结构设于基板上；围挡结构包围在芯片的外侧周，分隔开所述芯片和元器件；环形结构包围在铟片的外侧周，环形结构的内圈尺寸大于铟片的尺寸本发明通过环形结构和围挡结构来保护元器件，使铟片熔化后不会溢流和串流到元器件上，整体结构简单，节省原材料，且能保证芯片的使用效果。
一种半导体封装结构

[发明专利]一种基板及其制备方法、显示面板及显示装置-CN201911053591.8有效
发明人：牛菁;彭宽军;张方振;周婷婷;彭锦涛;史鲁斌;任锦宇 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：其中，基板包括衬底、多个超声传感器件和多个光敏器件，超声传感器件和光敏器件同层设置在衬底上；超声传感器件包括空腔结构和第一缓冲层，光敏器件包括光敏结构和第二缓冲层，第一缓冲层和第二缓冲层同层设置，空腔结构位于衬底与第一缓冲层之间，光敏结构位于衬底与第二缓冲层之间。本发明中，超声传感器件和光敏器件同层设置在衬底上，该基板在一次检测过程中可同时获得目标区域的三维信息，提高了三维信息的检测效率。另外，超声传感器件和光敏器件共用缓冲层，空腔结构和光敏结构均位于衬底和共用缓冲层之间，从而两种器件可以共同制备出，工艺简单。
一种及其制备方法显示面板显示装置

[发明专利]小比导通电阻的集成化大电流功率器件结构的设计方法-CN200410104298.7无效
发明人：谭开洲 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所;电子科技大学
申请日： 2004-12-22 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种小比导通电阻的集成化大电流功率器件结构的设计方法。包括对所述器件的电流处理元胞进行耐压设计，确定原始元胞的元胞尺寸、元胞间距和终端结构；将原始元胞转换成环形元胞；确定器件埋层和有源层单位长度电阻值；进行器件结构的电路等效，绘制等效电路图；绘制环形元胞层数和与其对应的器件比导通电阻值间的关系曲线；确定合理的功率并联单元尺寸、形状；对功率并联单元进行并联连接和重复，获得所述器件的版图结构布局。使用该方法设计所述功率器件时，可对器件的比导通电阻进行有效控制，节省器件面积，是一种比同类器件制造结构的现有设计方法具有设计性能更好、更经济的大电流功率器件制造结构设计方法。
通电集成化电流功率器件结构设计方法

[实用新型]一种功率器件的散热结构-CN201920163327.9有效
发明人：赵军立;甘志华;李俊杰 -专利权人：北京七星华创微电子有限责任公司
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型实施例涉及功率器件设备领域，提供一种功率器件的散热结构，该散热结构包括彼此连接且分别与功率器件的盖板连接的第一散热部件和第二散热部件；第一散热部件与功率器件内的多个功率管接触；第二散热部件与功率器件内的多个电感元件接触本实用新型实施例提供的一种功率器件的散热结构，设置在功率器件的内部，能够实现功率器件内部功率管和电感元件的散热，解决了功率器件内部热量积累导致温度过高而损坏线路板及元器件的问题；该结构简单、散热效率高，能够根据功率管和电感元件所布置的位置而任意设计；经过红外测试，采用本实用新型的散热结构的功率器件热峰值温度比没有该散热结构的峰值温度降低了至少20℃。
功率器件散热结构散热部件本实用新型电感元件功率管彼此连接红外测试热量积累散热效率设备领域温度过高温度降低线路板盖板散热元器件

[实用新型]一种光学连接结构和光纤器件-CN202221116110.0有效
发明人：何光兵;林涛 -专利权人：上海鲲游科技有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G02B6/38 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种光学连接结构和光纤器件。光学连接结构包括：相对设置的第一表面和第二表面，第一表面设置有凹槽，光纤器件的光纤固定于第一表面的凹槽内，以使光学连接结构作为光纤器件的输入端和/或输出端；其中，凹槽与光纤一一对应设置。利用该光学连接结构，光纤器件的两端无需配置尺寸较大的光纤接头，当光纤数量较多时，仅需在光学连接结构上设置与光纤数量相同的凹槽，即可作为光纤器件的输入端和/或输出端，无需为每根光纤配置接头，降低了整体器件的封装体积，提高光纤器件的集成度；另外，利用该光学连接结构作为光纤器件的输入端和/或输出端，能够实现光纤器件与不同类型器件的连接，扩展光纤器件的应用场景。
一种光学连接结构光纤器件

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201610192692.3有效
发明人：邓国贵;邢滨;贺开庭;张强;郝静安 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供基底，所述基底包括器件区和对准区，所述器件区的基底表面具有器件栅极结构，所述对准区的基底表面具有第三栅极结构；在所述器件栅极结构侧壁形成侧墙的同时，在第三栅极结构的顶部表面形成保护层；形成覆盖器件栅极结构、第三栅极结构和保护层的层间介质层；平坦化所述层间介质层直至暴露出器件栅极结构的顶部表面，且第三栅极结构的顶部表面至少保留部分厚度的保护层；以所述保护层为掩膜去除器件栅极结构。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]WOLED器件结构及显示装置-CN201610547617.4有效
发明人：李冬泽;陈黎暄 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2016-07-12 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种WOLED器件结构及显示装置。该WOLED器件结构包括：基板，WOLED器件，薄膜封装层；该WOLED器件设置于该基板上，该薄膜封装层覆盖于该WOLED器件上；该薄膜封装层掺杂有上转换材料。该WOLED器件显示装置包括上述的WOLED器件结构，以及彩色滤光片基板。本发明WOLED器件结构及显示装置利用掺杂上转换发光材料至封装层中，弥补OLED蓝光寿命偏低的状况，是解决现有OLED蓝光材料寿命限制的有效方案。
woled 器件结构显示装置

[发明专利]一种显示基板、显示装置-CN202111658584.8在审
发明人：李杰;张伟;马彬彬;韩康;吴朝锦;方飞 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一种显示基板、显示装置，显示基板包括基底、设置在所述基底上的发光器件、光敏器件以及遮光结构，所述遮光结构位于所述光敏器件的周侧，所述遮光结构至少配置为遮挡所述发光器件朝向所述光敏器件发出的光线。
一种显示显示装置

[发明专利]用于低温堆叠晶体管接触部的顶部NMOS晶体管中的III-V源极/漏极-CN201880083454.6在审
发明人： G.德维;R.皮拉里塞蒂;A.D.利拉克;W.拉赫马迪;R.梅汉德鲁;全箕玟;A.范;H.J.俞;P.莫罗;黄政颖;M.V.梅茨;J.T.卡瓦利罗斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种集成电路结构包括下部器件层，所述下部器件层包括第一结构，所述第一结构包括多个PMOS晶体管。在下部器件层上形成上部器件层，其中上部器件层包括第二结构，所述第二结构包括具有III‑V族材料源极/漏极区的多个NMOS晶体管。
用于低温堆叠晶体管接触顶部 nmos 中的 iii 源极漏极

[发明专利]半导体器件的制作方法-CN201911070181.4有效
发明人：刘云飞 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制作方法，在器件区形成器件堆叠结构，在非器件区形成参照堆叠结构，在对器件堆叠结构进行刻蚀形成台阶结构过程中，同步对参照堆叠结构进行刻蚀，检测参照堆叠结构中绝缘介质层的厚度，基于参照堆叠结构中绝缘介质层的厚度，可以确定器件堆叠结构的台阶结构中绝缘介质层的厚度，可以在器件堆叠结构上制备台阶结构的过程中，通过参照堆叠结构中绝缘介质层的厚度实时检测台阶结构中露出的绝缘介质层的厚度，便于台阶结构中绝缘介质层厚度的实时监控，可以用于监控不同厚度台阶的工艺偏移量，通过检测参考堆叠结构中绝缘介质层厚度，可以实现器件堆叠结构中台阶又快又好的刻蚀，并及时发现绝缘介质层过刻蚀问题。
半导体器件制作方法

[实用新型]电子设备-CN201921409024.7有效
发明人：龙静 -专利权人：北京小米移动软件有限公司
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：该电子设备包括电路板、电子器件和散热结构，电子器件位于电路板和散热结构之间。散热结构包括主体和凸起结构，主体和凸起结构一体成型，凸起结构位于主体靠近电子器件的一侧，且与电子器件接触。凸起结构与散热结构为一体成型的结构，凸起结构与散热结构的主体采用的导热材料相同，散热结构本身具有高导热，使电子器件和散热结构之间的接触热阻小。避免了通过粘胶或者焊缝等构成的导热层连接电子器件和散热结构，降低了电子器件和散热结构之间的接触热阻，使电子器件所发出的热量能够迅速传导到散热结构上，提高了电子设备的散热能力。
电子设备

[发明专利]一种超紧凑高饱和电流的磁芯电感器件的设计方法-CN202110907409.1在审
发明人：武雪琛;黄超颖 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01F41/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种超紧凑高饱和电流的磁芯电感器件的设计方法，其包括根据器件的工作频率，选定设定的磁性材料；根据器件设定的电感值和饱和电流值，设计器件拓扑结构；对器件拓扑结构进行优化和迭代，使器件性能满足约束指标；并结合器件拓扑结构和磁性材料的非线性电磁特性，采用有限元方法对器件进行处理分析，确定器件最终参数指标。该超紧凑高饱和电流的磁芯电感器件的设计方法通过优化非线性材料的选型和器件结构参数，实现电感器器件达到最优的性能，且实现了非线性材料和线性器件的计算普适性，可使器件的整体性能与实际工作状态相吻合，弥补了现在关于超紧凑高饱和电流的磁芯电感器的设计理论空白
一种紧凑饱和电流电感器件设计方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法、半导体晶圆-CN202310902084.7在审
发明人：樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法、半导体晶圆。半导体器件具有第一器件区域和第二器件区域，包括第一、二结构层及第一、二组电极结构。第一结构层的材料为金刚石，第一结构层中位于第一器件区域和第二器件区域的两部分电性隔离；位于第二器件区域的第一结构层经过氢终端处理；第二结构层设于第一结构层的第一器件区域上，与第一结构层形成异质结结构；第二结构层的材料为AlN；第一组电极结构包括第一源极、第一栅极及第一漏极，设于第一器件区域并至少部分位于第二结构层背离第一结构层的一侧；第二组电极结构包括第二源极、第二栅极及第二漏极，设于位于第二器件区域的第一结构层之上，并与第一组电极结构位于第一结构层的同侧。
半导体器件及其制备方法半导体

[发明专利]发光基板及其制备方法-CN202210519285.4在审
发明人：周婷婷;张方振;牛菁;王玮;牛亚男;孙双 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：发光基板包括基板，基板上间隔设置有多个发光器件；发光器件之间的间隙处设置有第一遮光结构，第一遮光结构用于遮挡发光器件向侧向发出的光；第一遮光结构与发光器件在发光器件的目标出光方向上不重叠，或者，第一遮光结构与发光器件在发光器件的目标出光方向上的重叠区域小于设定值由于第一遮光结构设置在发光器件之间的间隙处，因此就可以遮挡发光器件向侧向发出的光，避免该部分光线照射到其他的发光器件处产生光的串扰。并且，不会遮挡或完全遮挡发光器件向目标出光方向发出的光线，改善或消除了对发光器件的光效的不利影响，从而能够提高发光基板的出光面的出光效果。
发光及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件结构及其制备方法-CN202211291561.2在审
发明人：王玮竹;许东;沈硕珩;江灵荣;任芳;尚金铭 -专利权人：上海新微半导体有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法，半导体器件结构包括：衬底层、埋氧层、第一基层、第二基层、第一器件结构和第二器件结构，第一基层上设置三五族化合物半导体层，第一器件结构基于三五族化合物半导体层形成本发明通过在单片集成单元中采用金刚石作为三五族化合物器件的基底，提高了三五族化合物器件与其他器件之间的电绝缘隔离性能，减少寄生器件或漏电流，提高单片集成单元的可靠性；同时金刚石作为三五族化合物器件的基底，提高三五族化合物器件的散热效率，加强单片集成单元在大功率器件领域的应用适应性。
一种半导体器件结构及其制备方法