“台面刻蚀”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果176800个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]光电子器件台面的制备方法及台面型光电子器件的刻蚀结构-CN202210152136.9在审
发明人：刘志方 -专利权人：浙江拓感科技有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明是针对现有技术在超晶格红外焦平面阵列制备过程中，在通过一次光刻后采用干法刻蚀易造成成像元间小间距和芯片间大间距的刻蚀深度不一致的问题提供一种光电子器件台面的制备方法及台面型光电子器件的刻蚀结构，制备方法指在大间距刻蚀区域设置刻蚀负载结构，通过刻蚀负载结构将大间距刻蚀区域分成至少两个分刻蚀区域，刻蚀结构包括大间距刻蚀区域和小间距刻蚀区域，在大间距刻蚀区域内设置有刻蚀负载结构，采用本发明提供的光电子器件台面的制备方法及台面型光电子器件的刻蚀结构减少了光刻次数，降低了工艺复杂程度，得到的光电子器件台面的尺寸和采用两次刻蚀工艺得到的光电子器件台面的尺寸精度一致。
光电子器件台面制备方法刻蚀结构

[实用新型]台面型光电子器件的刻蚀结构-CN202220335150.8有效
发明人：刘志方 -专利权人：浙江拓感科技有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型是针对现有技术在超晶格红外焦平面阵列制备过程中，在通过一次光刻后采用干法刻蚀易造成像元间小间距和芯片间大间距的刻蚀深度不一致的问题，或采用湿法腐蚀易使刻蚀区域侧向腐蚀比较严重，使得台面单元的有效区域减小影响产品最终性能的技术问题提供一种台面型光电子器件的刻蚀结构，此结构包括大间距刻蚀区域和小间距刻蚀区域，在大间距刻蚀区域内设置有刻蚀负载结构，刻蚀负载结构使大间距刻蚀区域的刻蚀间距减小，采用本实用新型结构可通过一次光刻完成光电子器件台面的刻蚀，减少了光刻次数，降低了工艺复杂程度，得到的光电子器件台面的尺寸和采用两次刻蚀工艺得到的光电子器件台面的尺寸精度一致。
台面光电子器件刻蚀结构

[发明专利]一种新型碳化硅小角度倾斜台面终端结构及其制备方法-CN201711274880.1在审
发明人：李良辉;李俊焘;徐星亮;李志强;周坤;张林;代刚 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种可应用于SiC大尺寸高压器件终端结构的新型碳化硅小角度倾斜台面终端结构及其制备方法，此类高压器件包括SiC GTO、SiC PiN以及其他使用小角度倾斜台面终端结构的SiC器件；本发明的刻蚀技术使用AZ4620厚光刻胶作为掩膜方式及实现了大面积的光刻胶均匀回流，依据光刻胶回流条件的不同，刻蚀出的SiC小角度倾斜台面底角可以在0°~20°之间。根据不同类型器件对倾斜台面刻蚀深度的不同可使用该刻蚀技术制成单一倾斜台面刻蚀终端结构或多次使用形成多级的倾斜台面刻蚀终端结构。本发明相较于其他的多台面终端刻蚀方案工艺得到了显著简化且由于该方案是理想的斜坡其对器件边缘场强聚集的抑制效果理论上也要优于其他近似方案。
一种新型碳化硅角度倾斜台面终端结构及其制备方法

[实用新型]应用于碳化硅大尺寸高压器件的小角度倾斜台面终端结构-CN201721678019.7有效
发明人：李良辉;李俊焘;徐星亮;李志强;周坤;张林;代刚 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种应用于碳化硅大尺寸高压器件的小角度倾斜台面终端结构，此类高压器件包括SiC GTO、SiC PiN以及其他使用小角度倾斜台面终端结构的SiC器件；本实用新型的刻蚀技术使用厚光刻胶作为掩膜方式及实现了大面积的光刻胶均匀回流，依据光刻胶回流条件的不同，刻蚀出的SiC小角度倾斜台面底角可在0°~20°之间。根据不同类型器件对倾斜台面刻蚀深度的不同可使用该刻蚀技术制成单一倾斜台面刻蚀终端结构或多次使用形成多级的倾斜台面刻蚀终端结构。本实用新型相较于其他多台面终端刻蚀方案工艺得到了显著简化且由于该方案是理想的斜坡其对器件边缘场强聚集的抑制效果理论上也要优于其他近似方案。
刻蚀角度倾斜台面终端结构本实用新型高压器件倾斜台面刻蚀技术终端结构台面碳化硅场强底角光刻胶回流多次使用方案工艺器件边缘效果理论光刻胶斜坡厚光掩膜应用近似终端

[发明专利]一种双色碲镉汞器件的台面刻蚀方法及应用-CN202310838214.5在审
发明人：徐港;何斌;张泽群;王丹;王丛 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种双色碲镉汞器件的台面刻蚀方法及应用，包括如下步骤：在双色碲镉汞器件表面进行光刻，形成电极干法刻蚀光刻胶掩膜图形；将双色碲镉汞器件固定在刻蚀设备内，并将刻蚀设备抽真空至预设真空条件；向所述刻蚀设备通入预设比例的H2、CH4、Ar的混合刻蚀气体；利用指定的工艺参数进行干法刻蚀，并在干法刻蚀后，对双色碲镉汞器件进行湿法腐蚀；清洗湿法腐蚀后的双色碲镉汞器件，完成台面刻蚀。本申请优化台面刻蚀工艺，降低了高深宽比台面双色器件表面的干法刻蚀损伤，降低了侧壁粗糙度，减少碲镉汞红外探测器的表面漏电。
一种双色碲镉汞器件台面刻蚀方法应用

[发明专利]一种基于紫外光刻工艺的深亚微米刻蚀槽制作方法-CN201210220641.9有效
发明人：王磊;邹立;何建军 -专利权人：浙江大学
申请日： 2012-06-27 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于紫外光刻工艺的深亚微米刻蚀槽制作方法。在晶圆基板上沉积第一掩膜层；用紫外光刻和第一刻蚀工艺刻蚀第一掩膜层制作出台面，台面侧壁的位置位于制作深亚微米刻蚀槽的位置；再在台面表面沉积第二掩膜层；利用第二刻蚀工艺刻蚀掉在台面正表面的第二掩膜层；利用第三刻蚀工艺刻蚀掉台面第一掩膜层，保留两根柱体；在晶圆基板上表面旋涂第三掩膜层填平并覆盖柱体，回刻第三掩膜层暴露柱体；利用第四刻蚀工艺去除两根柱体形成深亚微米刻蚀槽的第三掩膜层掩膜，以第三掩膜层剩余部分作为掩膜，在晶圆基板上刻蚀出深亚微米刻蚀槽
一种基于紫外光刻工艺微米刻蚀制作方法

[发明专利]一种改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法-CN201910391486.9有效
发明人：刘恒;王俊;谭少阳;荣宇峰;曾冠澐 -专利权人：苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2019-05-10 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01S5/227 文献下载
摘要：本发明提供一种改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法，其包括如下步骤：S1、在VCSEL外延片上通过介质薄膜形成刻蚀图案；S2、将VCSEL外延片连同其上的介质薄膜送入刻蚀腔中；S3、向刻蚀腔中通入包含SiCl4和Ar的刻蚀气体，对VCSEL外延片上未被介质薄膜覆盖的部分进行刻蚀；S4、通入包含SiCl4和Ar的刻蚀气体的同时，向刻蚀腔中通入He，在刻蚀形成的VCSEL台面侧壁上形成非晶硅保护层。本发明通过将He气通入到ICP刻蚀腔中，促进了SiCl4的分解，在VCSEL台面侧壁形成了一层非晶硅保护层，有效阻止了反应气体对台面侧壁的进一步刻蚀，提升了VCSEL器件台面侧壁的光滑度。
一种改善 vcsel 侧壁形貌刻蚀方法

[发明专利]ICP干法刻蚀工艺制备剖面为正梯形的台面的方法-CN201310166137.X无效
发明人：徐晓娜;胡传贤;樊中朝;王晓东;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-05-08 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备剖面为正梯形的台面的方法，包括如下步骤：S1、在一个刻蚀基片表面淀积一个硬掩膜层；S2、在所述硬掩膜层的表面涂布抗蚀剂；S3、在所述抗蚀剂表面形成刻蚀图形；S4、按照所述刻蚀图形对所述硬掩膜层进行刻蚀，以将所述刻蚀图形转移到所述硬掩膜层上，再将所述抗蚀剂去除；S5、通过ICP干法刻蚀技术刻蚀所述刻蚀基片，从而将硬掩膜层的图形转移到刻蚀基片上，其中，调整该ICP干法刻蚀的刻蚀条件得到侧壁与凹陷底部成钝角的凹陷；S6、去除硬掩膜层，从而形成剖面为正梯形的台面。本发明能够形成用于与金属电极连接的具有正梯形的剖面的半导体台面，以防止安装在台面上的金属电极的断裂。
icp 刻蚀工艺制备剖面梯形台面方法

[发明专利]低表面漏电流台面型光电探测器及其制作方法-CN201811349887.X有效
发明人：张承;王立;黄晓峰;高新江;刘逸凡;刘海军;樊鹏;莫才平 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明属于探测器芯片制造技术领域，具体为一种低表面漏电流台面型光电探测器及其制作方法，所述方法包括在外延片的顶层沉积掩膜，通过光刻工艺开出台面刻蚀窗口；采用湿法刻蚀将外延片刻蚀成外延台面，进行表面化学清洗，去除湿法刻蚀反应残留产物等；采用硫化工艺处理，钝化外延台面的侧壁表面，降低其表面态；使用六甲基二硅胺处理侧壁表面，再涂覆苯并环丁烯，形成保护层；在氮气气氛保护下，采用分布升温固化；刻蚀部分保护层，使台面的顶部裸露本发明解决台面型器件由于湿法刻蚀造成的侧壁表面钝化困难问题。
表面漏电台面光电探测器及其制作方法

[发明专利]一种vcsel芯片及其制备方法-CN202310493394.8有效
发明人：徐化勇 -专利权人：江西德瑞光电技术有限责任公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供了一种vcsel芯片及其制备方法，该芯片包括衬底以及设于衬底上的一体式刻蚀台面，一体式刻蚀台面设置为规则形状，一体式刻蚀台面中设有一体式发光区，一体式发光区的面积小于一体式刻蚀台面的面积，一体式发光区设置为规则形状或者不规则形状本申请通过在衬底上设置一体式刻蚀台面，并在一体式刻蚀台面中设置一体式发光区，从而能够有效的消除现有的各个相邻发光区之间的功能区域，进而消除了功能区域对激光功率密度的限制，同时对应提升了上述一体式发光区所发射出的激光的功率密度
一种 vcsel 芯片及其制备方法

[发明专利]基于循环刻蚀技术的多晶金刚石薄膜与GaN HEMT集成制备方法-CN202310219302.7在审
发明人：武玫;孙浩伦;马晓华;王平;杨凌;侯斌;张濛;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于循环刻蚀技术的多晶金刚石薄膜与GaN HEMT集成制备方法，包括：在AlGaN/GaN外延片上依次生长介质层、金刚石散热层和硬掩模层；采用循环刻蚀技术在源极区域、漏极区域和台面隔离区域内循环刻蚀掉硬掩模层和金刚石散热层，并刻蚀掉介质层，形成源电极图形、漏电极图形和台面隔离图形；在源电极图形内制备源电极，在漏电极图形内制备漏电极；刻蚀台面隔离图形内的AlGaN势垒层和部分GaN缓冲层，形成台面隔离；采用循环刻蚀技术在栅极区域内循环刻蚀掉硬掩模层和金刚石散热层，并刻蚀掉介质层，形成栅电极图形；在栅电极图形内制备栅电极。
基于循环刻蚀技术多晶金刚石薄膜 gan hemt 集成制备方法

[发明专利]一种用于双色碲镉汞器件的干法刻蚀方法及刻蚀装置-CN200910092188.6无效
发明人：李震;孙浩;王成刚;朱西安 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2009-09-04 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于双色碲镉汞器件干法刻蚀的刻蚀方法及刻蚀装置，所述装置包括：一个射频源与环绕在反应腔室周围的电感耦合线圈相连，另一个射频源与反应室下端的下电极相连。所述方法包括以下步骤：在碲镉汞器件表面形成光刻胶掩膜图形；将所述碲镉汞器件固定在刻蚀装置内，然后对所述刻蚀装置抽真空；通入氩气、氢气和甲烷的混合气体，进行干法刻蚀。本发明在双色碲镉汞探测器的台面成型工艺中，有效地地降低了深台面双色器件表面的干法刻蚀损伤，从而在很大程度上降低了双色器件台面侧壁的表面漏电流，解决了双色碲镉汞深台面器件台面成型工艺表面损伤高，造成器件电学性能差
一种用于双色碲镉汞器件刻蚀方法装置

[发明专利]一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法-CN201010196480.5有效
发明人：郑新和;唐龙娟;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2010-06-10 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法，其特征在于包括步骤：先对绝缘衬底上的半导体器件光刻并进行第一次台面刻蚀，形成一阶梯状的样品结构；再在阶梯上方的台面制作微结构掩模层；继而进行第二次台面刻蚀，同时刻蚀形成纳米阵列结构。本发明通过两步刻蚀来形成n区(或p区)的台面，由于仅在相对偏高的上台面制作微结构掩模，可以避免刻蚀过程中下台面的电极区产生粗糙的尖峰状凸起，方法简单快捷，普适性强。
一种改善绝缘衬底纳米阵列结构器件制作方法

[发明专利]外延生长形成N型重掺杂漂移层台面的UMOSFET器件制备方法-CN201410166481.3有效
发明人：蒋明伟;汤晓燕;宋庆文;张艺蒙;贾仁需;王悦湖;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2014-04-21 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延生长形成N型重掺杂漂移层台面的UMOSFET器件制备方法，外延生长N型漂移区；外延生长形成台面的N+漂移层；N+漂移层刻蚀为台面；外延生长P-外延层；外延生长N+源区层；刻蚀成槽；刻蚀形成源区本发明通过外延生长和刻蚀工艺提高了带有N-漂移层台面的碳化硅UMOSFET器件中的N型漂移区台面的掺杂浓度，降低了该器件的导通电阻。
外延生长形成掺杂漂移台面 umosfet 器件制备方法

[发明专利]一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法-CN201210355925.9有效
发明人：陈刚;李理;刘海琪;柏松 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2012-09-24 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明是一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法。其工艺包括：一、在碳化硅外延层上形成一层介质膜；二、在介质膜上涂覆光刻胶，通过光刻工艺形成台面的图形转移；三、光刻胶作为阻挡层，采用第一种条件干法刻蚀介质膜；四、过刻蚀介质膜到碳化硅表面的同时去除光刻胶；五、用余下的介质层作为阻挡层，采用第二种条件干法刻蚀碳化硅形成台面；六、进行部分工艺后，湿法腐蚀去除碳化硅表面所有介质。优点：解决了金属掩膜形成碳化硅台面时出现的边缘毛刺问题、底部因金属微溅射出现的尖峰问题及高温时易发生的金属离子污染等问题，通过自对准方式保证碳化硅台面的注入保护及台面外区域的露出及刻蚀，保证台面底部区域表面平滑
一种改善碳化硅台面底部刻蚀方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条