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[发明专利]一种减少大尺寸蓝宝石晶体气泡的泡生法-CN201210434857.5有效
发明人：范世炜;曾锡强 -专利权人：浙江东海蓝玉光电科技有限公司
申请日： 2012-11-05 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C30B17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种减少大尺寸蓝宝石晶体气泡的泡生法，包括准备原料、炉体抽真空、炉体加热、熔接晶种、晶颈生长、晶体生长、分离与退火、取晶步骤。晶体生长时，固液界面处于熔体包围之中，这样熔体表面的温度扰动和机械扰动在到达固液界面以前可被熔体减小以致消除；将单晶晶种与晶种杆之间的捆绑成漏斗状，使得单晶晶种下端部晶体生长的界面为微凸，避免了蓝宝石晶体在生长过程中产生气泡；通过两次引晶，避免了将单晶晶种内部缺陷引入蓝宝石单晶，同时也可以避免在一次引晶过程中产生的双晶、层错、气泡等缺陷引入蓝宝石单晶，提高了蓝宝石单晶的质量。
一种减少尺寸蓝宝石晶体气泡泡生法

[发明专利]一种直拉硅单晶的生产工艺-CN201110199181.1有效
发明人：周建华 -专利权人：西安华晶电子技术股份有限公司
申请日： 2011-07-15 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉硅单晶的生产工艺，包括以下步骤：1、硅原料及掺杂剂准备；2、装料；3、抽真空处理；4、熔料；5、熔料后提渣，其提渣过程如下：501、降温结晶；502、逐步升温并维持结晶过程连续进行直至硅熔体表面漂浮的不溶物全部被结晶物凝结住；503、取晶后清渣；6、后续处理：采用单晶炉且按直拉法的常规处理工艺，依次完成引晶、放肩、转肩、等径、收尾和停炉工序，并获得拉制成型的硅单晶成品。本发明设计合理、方法步骤简单、实现方便且易于掌握、使用效果好，能有效保证所生产硅单晶晶体的质量，并能解决现有硅单晶生产过程中存在的除渣时间不易把握、提渣效果较差、所生产硅单晶的纯度较低等实际问题。
一种直拉硅单晶生产工艺

[发明专利]p型碲化锌单晶薄膜材料的掺杂方法-CN201310419775.8无效
发明人：刘超;张理嫩;杨秋旻;崔利杰;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-09-16 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：一种p型碲化锌单晶薄膜材料的掺杂方法，包括如下步骤：步骤1：取一单晶衬底；步骤2：在单晶衬底上，外延生长单晶薄膜；步骤3：在单晶薄膜的表面上沉积一层SiO2纳米薄膜；步骤4：利用双能态氮离子注入的方法，此外，本方法还可适用于本征碲化锌体单晶表面的p型掺杂，以及供其它II-VI族化合物半导体薄膜材料做p型掺杂实验时参考。
型碲化锌单晶薄膜材料掺杂方法

[发明专利]一种提高单晶品质的硅料搭配方法-CN201910004788.6在审
发明人：赵存凤;郝勇;张红霞;梁宇飞;高鹏;郭志荣;樊国庆 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种提高单晶品质的硅料搭配方法，包括以下步骤：步骤1：根据回收料产出比例，计算装炉装料时需装入的回收料的重量和原生多晶的重量；步骤2：装料，依次装入回收料和原生多晶；步骤3：在直拉单晶取段复投时本发明的有益效果是方法简单，在拉制单晶时，在装料时进行回收料和原生多晶搭配的配比，并且在装料时，先装入回收料，再装入原生多晶，此拉晶原料搭配的比例及硅料类别明确，能够保证产品的品质且长期在长期拉晶中单晶品质稳定
回收料多晶装料单晶装入硅料搭配拉晶原料搭配直拉单晶拉制配比装炉保证

[发明专利]一种单晶硅片的清洗烘干装置-CN201911051124.1在审
发明人：朱汪龙;朱玲 -专利权人：无锡乐东微电子有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅片的清洗烘干装置，包括顶部、红外感应装置、化学清洗池、物理清洁池和烘干室，顶部的下方从左至右依次是取片室、化学清洗池、物理清洁池、烘干室和封装室，顶部包括顶板、传送装置和伸缩装置，本发明的单晶硅片的清洗烘干装置，装置简单，操作安全稳定，一次性完成单晶硅片的清洗烘干过程，提高了清洗和烘干效率，并且单晶硅片经过两种清洗方式后，达到了更好的清洗效果。
一种单晶硅清洗烘干装置

[发明专利]一种丙酚替诺福韦半富马酸盐单晶的制备方法-CN202211240145.X在审
发明人：胡开新 -专利权人：北京济美堂医药研究有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C07F9/6561 文献下载
摘要：本发明公开了一种丙酚替诺福韦半富马酸盐单晶的制备方法，包括以下步骤：(1)取丙酚替诺福韦半富马酸盐溶解于乙腈中得到混合溶液；(2)经滤膜过滤去除降解杂质后转入西林瓶中；(3)并置于凉暗处自然挥发，室温培养2h‑24h得无色透明的单晶。采用本发明提供的制备方法，制备速度快，可重现性好，得到的单晶缺陷少，可重现性好。
一种丙酚替诺福韦半富马酸盐单晶制备方法

[发明专利]水热法生长磷氯铅矿单晶的方法-CN201810763846.9有效
发明人：任孟德;童静芳;程煜;周海涛;何小玲;杨利;吴文渊;李东平;左艳彬;王金亮;张昌龙 -专利权人：桂林百锐光电技术有限公司;中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种水热法生长磷氯铅矿单晶的方法，具体为：取铅源和磷酸二氢盐置于高温条件下烧结，得到陶瓷块，所得陶瓷块置于高压釜中，以氯离子浓度为1‑5mol/L的水溶性氯化物的水溶液作为矿化剂，采用温差水热法以生长得到磷氯铅矿单晶本发明所述方法大大提高了晶体的生长速度，能够在较短时间内生长得到较大尺寸的磷氯铅矿单晶。
水热法生长铅矿方法

[发明专利]一种防止DD99合金单晶叶片产生初熔缺陷的方法-CN201610771226.0有效
发明人：张军;寇录文;方红文;刘文娜;吴娟利;马李朝;梁经纬;宋建兵 -专利权人：中航动力股份有限公司
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C22F1/10 文献下载
摘要：本发明提供一种防止DD99合金单晶叶片产生初熔缺陷的方法。本发明是在DD99合金单晶叶片高温热处理工艺中增加预处理工艺，预处理是在处理温度以下的10℃～25℃之间取一个温度进行保温，以预先消除合金内部低熔点共晶相。采用预处理后再进行叶片高温热处理时，由于合金内部共晶含量比较少，提高了合金的初熔温度，避免了单晶叶片初熔缺陷的产生。
一种防止 dd99 合金叶片产生缺陷方法

[发明专利]在碳化硅基衬底上获得高速电学材料结构的方法-CN02119900.0无效
发明人：张海英 -专利权人：中国科学院微电子中心
申请日： 2002-05-17 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明一种在碳化硅基衬底上获得高速电学材料结构的方法，包括如下步骤：1)取表面生长有碳化硅单晶层的硅材料或碳化硅单晶材料，进行清洗处理，作为高速器件结构的外延的衬底；2)在碳化硅单晶外延层上生长晶格渐变过渡层
碳化硅衬底获得高速电学材料结构方法

[发明专利]一种提高单晶少子寿命的工艺方法-CN201910966241.4在审
发明人：赵国伟;徐强;高润飞;王林;谷守伟;王建平;周泽;杨志;吴树飞;刘振宇;王鑫;刘学;皇甫亚楠;杨瑞峰;郭志荣 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明提供一种提高单晶少子寿命的工艺方法，在直拉单晶时，在装料的过程中，添加一定量的氢氧化铝，促使石英坩埚向α‑方石英结构转变；在直拉单晶的取段复投过程中，添加一定量的氢氧化铝；随着拉制单晶颗数的增加，本发明的有益效果是在直拉单晶过程中，添加氢氧化铝，加快石英坩埚向稳定的α‑方石英结构转变，补充已经脱落的析晶层，减少硅溶液对石英坩埚腐蚀，提高石英坩埚使用寿命，做到降本增效。
一种提高少子寿命工艺方法

[实用新型]一种单晶硅转移装置-CN201922345510.3有效
发明人：潘连胜;林博洋 -专利权人：锦州神工半导体股份有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： B65G35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶硅转移装置。包括：支撑架；载棒台，其设置在所述支撑架的一侧，用于承托单晶硅棒；滚外周装置，其设置在所述载棒台的对侧，用于对单晶硅棒进行滚外周检测；以及夹持装置，其通过位置调节机构与所述支撑架活动连接，用于夹取所述单晶硅棒本实用新型的有益效果是：能够夹持和移动单晶硅棒。
一种单晶硅转移装置

[发明专利]铌酸钾钠KNN单晶的制备方法-CN201310028109.1有效
发明人：邓昊;罗豪甦;赵祥永;李晓兵;张海武;陈超;陈建伟;林迪;任博;狄文宁;徐海清;王西安;王升;焦杰;王威 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备铌酸钾钠KNN单晶的方法，包括如下步骤：按照摩尔比x:(1-x):1称取K₂CO₃、Na₂CO₃₅，球磨混匀，高温下坩埚热处理得到KNN（K_xNa_1-xNbO₃）多晶；再照摩尔比yx:y(1-x):100称取KNa_1-xNbO₃，球磨混匀，高温下坩埚热处理；将生长用起始用料置于生长坩埚中并填满坩埚，采用顶部籽晶（优先选择<001>方向KNN单晶）助熔剂提拉法生长KNN单晶。本发明提供的技术可以生长直径大于25mm，长度大于10mm的KNN单晶，其压电常数d₃₃达到120pC/N，机电耦合系数k_t达到48.3%。
铌酸钾钠 knn 制备方法

[实用新型]一种单晶硅片的清洗装置-CN202222471308.7有效
发明人：严循成 -专利权人：江苏福旭科技有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶硅片的清洗装置，包括清洗槽，所述清洗槽上端两侧对称安装有两个支板，所述支板顶端中部安装有电推杆，所述电推杆的伸缩部连接有放置板，所述放置板背对所述支板的侧壁上开设有放置槽，所述放置槽两侧壁上安装有夹紧垫有益效果在于：本实用新型在电机一、电机二、刷辊一、刷辊二、支板、电推杆、放置板以及夹紧垫的配合下，一方面能够对单晶硅片进行双面清洗，另一方面能够在清洗前后实现单晶硅片由清洗槽内的自动升降，省去了人工手动弯腰取放的繁琐操作，从而提高了单晶硅片在清洗过程中的取放效率，降低人工劳动强度，便于清洗过程的高效进行。
一种单晶硅清洗装置

[发明专利]晶片粘接蜡片的制备方法和应用-CN202111163009.0在审
发明人：潘丹;段晨龙;陈学军;贾宏艺;沈连峰;张虎 -专利权人：江苏聚冠新材料科技有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： B05D7/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶片粘接蜡片的制备方法和应用，制备方法包括如下步骤：取粘接蜡放入辊涂热熔涂胶机中，并加热粘接蜡至其融化开启辊涂热熔涂胶机的转速5～10r/min，调节胶膜的厚度为0.1～0.15mm，并在滚筒内贴上双面不干贴纸应用具体步骤为：取待加工单晶片，将得到的晶片粘接蜡片贴于待加工单晶片一面，揭取晶片粘接蜡片的表面盖纸，贴于抛光盘上，再将抛光盘加热并压平，冷却后放到抛光机上抛光和加工。可以控制蜡片适应不同单晶片大小来改变大小，方便且效率高，适应多种不同的情况，减少加工时间，提高效率，抛光加工更准确，避免材料浪费。
晶片粘接蜡片制备方法应用

[实用新型]一种直拉单晶炉的取晶装置-CN202320564007.0有效
发明人：贡梦涛 -专利权人：常州益群新能源科技有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及拉直单晶炉取晶装置技术领域，具体是一种直拉单晶炉的取晶装置，包括驱动组件、升降组件、旋转组件、伸缩组件、夹持组件和保护组件；所述伸缩组件包括伸缩套管，所述伸缩套管两端的开口内均设置有伸缩杆伸缩杆伸缩时会调整两组夹持组件之间的间距，二号液压杆端部的倾斜面会向两侧推挤辊轮，两个辊轮会因为推挤向两侧分开，而夹爪的另一端则会向内侧夹持，配合达到了适用多种直径的自适应夹持，实现了对不同直径长度的夹持取出，相比较传统的直拉单晶炉的取晶装置适用性更高
一种直拉单晶炉装置

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