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[发明专利]一种EuInO3-CN202310947040.6在审
发明人：吕宪顺;魏磊;王旭平;王慧;李刚;孙明勇 -专利权人：山东越海通信科技股份有限公司;山东山科智晶光电科技有限公司
申请日： 2023-07-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明涉及磁性存储领域，尤其涉及一种EuInO3晶体的溶剂热制备方法和应用。本发明EuInO3晶体采用溶剂热法，生长设备简单，生长条件容易，可有效降低生长成本，有利于EuInO3晶体的研究；同时该EuInO3晶体制备方法有利于磁旋涡技术的研究推广，为EuInO3晶体在磁性存储方面的应用奠定基础。
一种 euino base sub

[发明专利]一种钛白废酸直接制备α半水石膏晶须的方法-CN202310879332.0在审
发明人：高庆;胡晓雪;张恂子;盛祖伦;杨婷婷;叶旭 -专利权人：湖北大学
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明中公开了一种钛白废酸直接制备α半水石膏晶须的方法及该方法制备得到的α半水石膏晶须。本发明通过直接将含有碳酸钙、水、复合转晶剂和钛白废酸的混合浆料进行加热加压反应，反应过程中去除了二水石膏的生产环节，直接得到形貌可控且晶型均一稳定α半水石膏晶须产品，其平均长径比为32.4‑73.1，该方法生产周期短、能耗小，显著提高α半水石膏晶须的生产效率；且本发明制备α半水石膏晶须的原料为钛白废酸，原料成本低廉，不仅有效降低了生产成本，而且还解决了钛白废酸的处理问题，减少对环境的污染。
一种钛白直接制备石膏方法

[发明专利]一种硫酸钙晶须制备方法-CN202310917989.1在审
发明人：高一鸣 -专利权人：山东蓝海晶体科技有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫酸钙晶须制备方法，将柠檬酸渣先研磨、溶解，再经酸化、磁化后，接着加入晶种，经水热反应，再加入稳定剂稳定，经过滤冲洗后烘干脱水、煅烧，得硫酸钙晶须。本发明的制备方法是以柠檬酸渣为原料生产硫酸钙晶须，明确其生产工艺参数，使得柠檬酸渣资源更大化。
一种硫酸钙制备方法

[发明专利]一种硫酸钙晶须固液分离、洗涤及深度脱水系统及其使用方法-CN202310663164.1在审
发明人：闫国英;史培阳;贾中帅;王继平;刘承军;周鑫;李兆阳;张治军;殷培博 -专利权人：包钢集团矿山研究院（有限责任公司）;河南大张过滤设备有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫酸钙晶须固液分离、洗涤及深度脱水系统，包括：过滤主机；集成洗涤装置；集成残液回收装置；集成热风强制脱水装置；集成母液回收装置。还公布了其使用方法。本发明的目的是提供一种硫酸钙晶须固液分离、洗涤及深度脱水系统及其使用方法，最终滤饼含水量25％，可溶性盐浓度符合产品要求，同时该系统及方法即节约了资源又降低了能耗。
一种硫酸钙晶须固液分离洗涤深度脱水系统及其使用方法

[发明专利]一种γ-Ga2-CN202111296672.8有效
发明人：刘喜哲;张洁静 -专利权人：吉林大学
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明的一种γ‑Ga2O3或Cu掺杂γ‑Ga2O3纳米晶及其制备方法和用途属于纳米材料合成和光伏器件技术领域。制备方法包括将镓源、铜源和表面活性剂混合加入去离子水搅拌形成均匀混合溶液，加入乙二醇，加入沉淀剂，进行水热反应，清洗，离心等步骤；制备的纳米晶作为空穴传输层，制备钙钛矿太阳电池。本发明首次利用低温水热法制备出γ‑Ga2O3及Cu掺杂γ‑Ga2O3纳米晶，并首次将其用于钙钛矿太阳电池的空穴传输层中，有望促进超宽带隙半导体材料Ga2O3在光伏器件领域的发展。
一种 ga base sub

[发明专利]一种利用水性前驱体制备微纳米TiC晶须的方法-CN202310698245.5在审
发明人：焦华;杨文都;王庆相;赵康;汤玉斐;景灏;袁裕桐;李湃 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用水性前驱体制备微纳米TiC晶须的方法，该方法主要为SLS和VS生长机制，首先在磁力搅拌器搅拌下，配制好前驱体溶液，然后分别将溶液水热反应不同时间，接着真空干燥，最后在高温氩气气氛下煅烧，得到须粒比高、分布均匀、长势良好的TiC晶须；本发明制备周期短，经济性好，有望实现TiC晶须的大规模生产，制备的TiC晶须直径约为0.5‑2.5μm，长度约为50‑700μm，长径比达50‑250，长势很好，表面光滑，基本没有杂质，采用本发明制备的TiC晶须可用作金属基和超高温陶瓷基复合材料的增强增韧相，从而提高复合材料的综合性能。
一种利用水性前驱体制纳米 tic 方法

[发明专利]一种多层夹心型三维多酸基金属有机杂化材料的制备及应用-CN202210406226.6有效
发明人：于晓晶;马慧媛;王新铭;杨桂欣;谭立超 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种多层夹心型三维多酸基金属有机杂化材料的制备及应用。本发明的目的是要解决一些多酸基杂化材料作为超级电容器电极材料在溶液中稳定性差，导电性能不高的问题，提供一种可以提高其电容性能作为超级电容器电极材料的制备方法。本发明的一种多层夹心型三维多酸基金属有机杂化材料的化学式为[Ag2H7(pybta)6(PMo12O40)3]·12H2O，其中pybta为1‑吡啶‑3‑亚甲基‑1H‑苯并三氮唑。合成方法为将磷钼酸、硝酸银和pybta加入到蒸馏水中搅拌均匀，调节pH值，在温度为140℃下反应4天，获得的杂化材料制得的电极材料在1A/g电流密度下比电容值为408F/g。本发明的杂化材料可作为多酸基金属有机超级电容材料使用。本发明应用于多酸基无机有机储能材料的制备领域。
一种多层夹心三维基金有机材料制备应用

[发明专利]一种方沸石单晶及其制备方法-CN202210396182.3有效
发明人：许新统;孙朗;阮双琛 -专利权人：深圳技术大学;深圳大学
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明公开一种方沸石单晶及其制备方法，其中，所述制备方法包括步骤：将铝源、硅源加入到水中，得到混合物胶体；向所述混合物胶体中加入碱金属氢氧化物，进行水热反应，得到所述方沸石单晶。本发明利用水热法，在不使用模板剂、氢氟酸及浓硫酸的条件下制备得到了不同尺寸的纯相方沸石单晶，制备方法极其简单、条件温和、无需复杂的原料、成本低廉且对环境无危害，制备得到的不同尺寸的纯相方沸石单晶在不同领域可以得到广泛的应用。
一种方沸石单晶及其制备方法

[发明专利]一种循环式晶体生长装置及氮化镓晶体生长方法-CN202210963987.1有效
发明人：李成明;李同权 -专利权人：聚勒微电子科技（太仓）有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种循环式晶体生长装置及氮化镓晶体生长方法。本发明提供的循环式晶体生长装置，包括反应腔、固定在反应腔内的反应容器、固定在反应腔内的延缓容器、可旋转地设置在反应腔内的回转支架；反应容器内设有固定装置，反应容器下方具有反应液流出口；延缓容器位于反应容器的上方，延缓容器下方具有将反应液导流至反应容器的反应液缓流管；回转支架上圆周分布有若干接收容器；转动至反应液流出口下方的接收容器盛接反应液后加热并转动至延缓容器上方释放反应液。采用该装置可以快速生长品质良好的晶体。本发明的氮化镓晶体生长方法基于上述装置，合理控制工艺参数，可以快速制得品质良好的氮化镓晶体。
一种循环晶体生长装置氮化方法

[发明专利]一种由工业副产石膏二次水热制备高长径比硫酸钙晶须的方法-CN202310474440.X在审
发明人：吕仁亮;朱淼;严超;朱君燕;彭秋桂;徐彩丽;李萍 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种由工业副产石膏二次水热制备高长径比硫酸钙晶须的方法。首先对工业副产石膏进行研磨筛分，采用一次水热‑重力分级‑二次水热的无酸工艺制备得到了高长径比硫酸钙晶须。该方法制得的硫酸钙晶须形貌均匀、分散性好，有较高长径比。本发明在不使用其他化学添加剂的前提下，实现了工业副产石膏的除杂，并制备了高长径比的硫酸钙晶须，操作简单，绿色环保。
一种工业石膏二次制备长径硫酸钙方法

[发明专利]一种高价态RbSbIClX-CN202310467482.0在审
发明人：谭婧萱;裴孟仪;付学玮;侯美云;岳思源;胡煜卓;周华伟;尹杰;张宪玺 -专利权人：聊城大学
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明属于光电探测器技术领域，具体涉及一种高价态RbSbIClX晶体及其制备方法和光电探测器件。本发明的高价态RbSbIClX晶体实现了Sb价态的提高，制备方法操作简单、技术稳定、对于制备环境无严格要求、原料易得；本发明基于RbSbIClX的光电探测器件的响应范围为386nm至480nm，在波长为386nm处(紫外区)、光强为51.4W/m2时的光电响应最好。
一种高价 rbsbicl base sub

[发明专利]一种Zn位配位硫间质的Znx-CN202310277288.6在审
发明人：张福勤;丰雪帆;吕波 -专利权人：中南大学
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种Zn位配位硫间质的ZnxCd1‑xS晶体材料的制备方法与应用。本发明首次采用通入碱性氨类气体在ZnxCd1‑xS晶体材料中选择性地在Zn元素周围配位硫间质，制得Zn位配位硫间质的ZnxCd1‑xS晶体材料。本发明制得的ZnxCd1‑xS晶体材料，由于其独特的配位结构和组成，具有高效反应活性，能够作为高效光催化产氢光催化剂。本发明的制备方法简单可控、成本低廉、原料易得，适合于规模化生产。
一种 zn 位配位硫间质 base sub

[发明专利]用于水热法石英晶体生长高压釜的内壁保护层生成法-CN202310356721.5在审
发明人：易际让;王晓刚;黄玲香;刘盛涨 -专利权人：山东博达光电有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明涉及水热法石英晶体生长技术领域，本发明公开了一种用于水热法石英晶体生长高压釜的内壁保护层生成法，高压釜内腔中设置籽晶架和原料筐，方法包括以下步骤：生成保护层的面积及所需SiO2的计算；生成保护层的溶液的计算；保护层试剂溶液的配制；在高压釜外部设置测温点；设定升温温度(还包括升温曲线)；将计算所得的SiO2以及保护层试剂溶液放入高压釜内，而后密封；按照设定的恒温温度启动高压釜升温后恒温运行；结束后，用去离子水对高压釜内釜壁进行清洗，得到带有保护层的高压釜内釜壁。本发明即可有效的去除附着的包裹体杂质，又可生成硅酸铁钠保护层。
用于水热法石英晶体生长高压内壁保护层生成

[发明专利]一种铋基2-氨基-4-甲基吡啶有机-无机杂化材料及制备方法-CN201911259673.8有效
发明人：王吉林;胡莘如;毛文慧;龙飞;郑国源;周炳;莫淑一;陈明光;邹正光 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种铋基2‑氨基‑4‑甲基吡啶有机‑无机杂化材料，是分子式为(C6H8N2)aBibXc的单晶；其制备方法包括以下具体步骤：(1)向Bi2O3中滴加氢卤酸，混匀后，得到澄清溶液；所述氢卤酸为HX的水溶液，X为Cl、Br、I中的一种或多种；(2)将2‑氨基‑4‑甲基吡啶加入到步骤(1)所得澄清溶液中，超声处理后，得到浑浊溶液；(3)将步骤(2)所得浑浊溶液在90~250℃条件下保温5~30 h，冷却至室温，得到(C6H8N2)aBibXc晶体，即为铋基2‑氨基‑4‑甲基吡啶有机‑无机杂化材料。该(C6H8N2)aBibXc单晶的光学带隙在1.60 eV~3.20 eV之间连续可调，能够吸收可见光谱中更宽的波长范围，其温度稳定性最高可达400℃，在空气中可稳定存放两个月左右，稳定性较高。
一种氨基甲基吡啶有机无机材料制备方法

[发明专利]一种硫酸钙晶须连续制备方法-CN202111399466.X有效
发明人：桂明生;杜茂送;郭永平 -专利权人：四川康升晶须科技有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫酸钙晶须连续制备方法，解决现有技术只能间歇生产导致生产效率低、以及人工操作环节多导致硫酸钙晶须产品质量不稳定的技术问题。本发明将石膏原料与水混合制浆成石膏浆液，再将石膏浆液进行转晶成硫酸钙晶须，再依次对硫酸钙晶须进行改性和过滤，所得滤饼即为硫酸钙晶须产品。本发明原料来源种类多，硫酸钙晶须产品质量稳定，设备占地小，节能高效，可连续生产硫酸钙晶须，打破了传统使用反应釜间歇生产硫酸钙晶须的壁垒，使生产效率大大提升，并且需要工人操作的环节大大减少，降低了劳动力配置，同时也提升了硫酸钙晶须产品质量。
一种硫酸钙连续制备方法

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