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[实用新型]带有侧壁腔的笔筒-CN201520568636.6有效
发明人：练达晖 -专利权人：练达晖
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： B43M99/00 文献下载
摘要：所述的笔筒筒体上下口外檐均设有滑槽，所述的收容部为一个与筒体侧壁匹配的曲面板，上下端卡合在滑槽内，曲面板长度为筒体口径圆周长的一半，曲面板可沿滑槽活动。
带有侧壁笔筒

[发明专利]一种清洁等离子体反应腔侧壁的方法-CN201210553583.1有效
发明人：王兆祥;刘志强;吴紫阳;邱达燕 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种清洁等离子体反应腔侧壁的方法，调整射频功率源的脉冲输出为第一射频功率和第二射频功率，第一射频功率可以电离含氧的清洁气体为氧正离子和氧自由基，所述氧正离子和所述氧自由基与反应腔侧壁的聚合物进行反应，对反应腔侧壁进行清洁。第二射频功率低于第一射频功率，电离率较低或不对清洁气体进行电离，故氧正离子消失或以较小的浓度存在，由于氧自由基的存在时间较长，小于等于10ms，故不会随着射频功率源的降低而即刻消失，氧自由基可以对反应腔侧壁进行清洁并且不会对静电吸盘造成损伤
一种清洁等离子体反应侧壁方法

[实用新型]一种便于清洗的氮化镓制备用反应釜-CN202122355236.5有效
发明人：谈逊;谈谦;曾龙辉;谈宇清 -专利权人：华厦半导体（深圳）有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： B01J19/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于清洗的氮化镓制备用反应釜，包括釜体，所述釜体内部设有反应腔，所述反应腔为上宽下窄的锥面结构；所述反应腔内部设有进气口以及出气口，所述进气口位于出气口顶端，所述反应腔内部设有与反应腔侧壁相抵的支撑板，所述支撑板位于进气口与出气口之间，且支撑板上设有反应衬底；所述反应腔内设有与反应腔侧壁相抵的分隔板，所述分隔板位于出气口下方，所述分隔板下方设有用于反应腔侧壁清洗的清洗机构。本实用新型通过设置锥面的反应腔能够实现方便对于支撑板进行支撑，且能够确保反应腔侧壁为光滑设置，进而确保反应腔侧壁后续更加方便进行清洁。
一种便于清洗氮化制备反应

[实用新型]一种用于反应腔的进气组件及碳化硅外延设备-CN202223167038.7有效
发明人：郑英杰;蒲勇;赵鹏;韩跃斌 -专利权人：芯三代半导体科技（苏州）有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本申请公开一种用于反应腔的进气组件及碳化硅外延设备。该进气组件包括：限位部件、环状的进气部件及反应腔侧壁部件，反应腔侧壁部件的一侧的周向上具有复数间隔设置的限位部件，且复数限位部件的组合成的圆的圆心位于反应腔侧壁部件的轴线上；进气部件套设于反应腔侧壁部件上，且进气部件与反应腔侧壁部件的组合构成环状的匀气环道，限位部件沿进气部件的周向配置，抵住该进气部件；至少一个限位部件上配置有导气部件，该导气部件内具进气通道，该进气通道连通进气管及匀气环道。吹扫气经匀气环道匀气后经进气部件与反应腔侧壁部件间的间隙，并吹入反应腔，在反应腔的侧壁形成保护膜，防止工艺气体在侧壁上发生反应，实现保持侧壁清洁的目的。
一种用于反应组件碳化硅外延设备

[发明专利]纳米粉体合成装置及方法-CN200510037335.1无效
发明人：何纪壮;黄全德;萧博元 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2005-09-14 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： B01J19/26 文献下载
摘要：本发明提供一种纳米粉体合成装置，其包括一反应腔，该反应腔包括一第一侧壁，与该第一侧壁相对的第二侧壁，该第二侧壁与该反应腔底部呈钝角、与该反应腔顶部呈锐角；一设于该第一侧壁上的第一雾化器；及一设于反应腔底部的第二雾化器本发明通过设于反应腔底部的第二雾化器，可向反应腔内由底部往顶部喷入雾化的第二反应物，从而可增加第二反应物与经由第一雾化器喷入反应腔的第一反应物的反应时间，使得反应物之间产生高效率撞击反应，在微观上使液－液反应能快速均匀进行，以合成超微细粒径的纳米粉体。
纳米合成装置方法

[发明专利]外延生长设备-CN201210444086.8有效
发明人：董志清 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本发明提供一种外延生长设备，其包括反应腔室和加热单元，其中，反应腔室的腔室侧壁采用石英制作；加热单元围绕在腔室侧壁的外侧，并透过腔室侧壁朝向反应腔室的内部辐射热量。本发明提供的反应腔室，其可以提高反应腔室的温度分布均匀性，从而可以提高工艺的均匀性。
外延生长设备

[实用新型]半导体刻蚀设备-CN201820936600.2有效
发明人：周亚勇;盖晨光;曾德强;刘家桦;叶日铨 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体刻蚀设备，包括反应腔，在反应腔内设置有晶片支座，晶片支座用于承载晶片以利用等离子体对该晶片进行刻蚀，反应腔还包括内衬，内衬围绕反应腔的侧壁设置，内衬由多个片状构件沿着侧壁围合而成，多个片状构件设置为彼此至少有一部分重叠，使得反应腔的侧壁不会相对于晶片露出。本实用新型提供的半导体刻蚀设备设有片状构件，使其沿侧壁排布并至少一部分重叠而形成内衬，从而能够阻止等离子体直接与反应腔的侧壁发生接触，实现对反应腔侧壁的全面保护。涡轮泵工作时，能够通过内衬产生螺旋气流，对聚合物产生强大的吸除力，便于清洁反应腔，提高反应腔的清洁度。
反应腔侧壁内衬半导体刻蚀设备片状构件等离子体本实用新型晶片支座晶片清洁度反应腔侧壁承载晶片螺旋气流清洁反应全面保护聚合物涡轮泵刻蚀排布围合吸除

[实用新型]反应腔顶及CVD反应腔-CN201420547290.7有效
发明人：何其保;吴新江;奚晓明;吴志君;范盯 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-09-22 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型提供一种反应腔顶及CVD反应腔，其中，反应腔顶包括：反应腔顶主体、第一黄铜管、第二黄铜管、主体固定件、筒夹、外圈固定件、以及盖体，所述第一黄铜管位于反应腔顶主体顶部，所述第一黄铜管直径大于所述第二黄铜管直径冷却水进入到第一黄铜管和第二黄铜管内中和射频产生的热量，反应腔顶主体的顶部在同一时间段内冷却水的流量比反应腔顶主体的其他部位大，使得反应腔顶主体温度平衡，反应腔顶主体内表面的薄膜厚度一致，可以避免反应腔顶主体顶部内表面被过量轰击，从而降低晶圆的报废率；反应腔顶开启之后再次盖回反应腔体时，将反应腔顶主体底部的固定块放置于反应腔体的卡槽中，保证反应腔体内的晶圆厚度均匀，节约成本。
反应 cvd

[实用新型]用于化学气体发生系统的气液分离装置-CN201720873895.9有效
发明人：宋佳路;叶国本;吴永胜;顾爱平 -专利权人：维科托（北京）科技有限公司
申请日： 2017-07-18 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： G01N1/34 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于化学气体发生系统的气液分离装置，包括围成反应腔的侧壁、设于所述侧壁中部并与所述反应腔相贯通的反应液入口、设于所述侧壁内侧表面用以散射来自所述反应液入口的反应液的散射器、设于所述侧壁一端并与所述反应腔相贯通的废液出口、设于所述侧壁相对另一端并与所述反应腔相贯通的反应气出口及载气入口，所述载气入口设于所述侧壁，并位于所述反应气出口与所述反应液入口之间。所述气液分离装置反应彻底、气体收集迅速且干燥效果好。
用于化学气体发生系统分离装置

[发明专利]一种反应腔室及半导体加工设备-CN201410247069.4在审
发明人：张慧 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2014-06-05 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供的一种反应腔室及半导体加工设备，本发明提供的反应腔室，包括进气端，进气端设置在反应腔室宽度方向的侧壁上，用以自进气端向反应腔室内输送气体，自进气端的沿反应腔室宽度方向的两侧的边缘位置处分别形成有朝向反应腔室长度方向的侧壁延伸的辅助壁，辅助壁与反应腔室的侧壁、上下表面形成反应空间，并且，进气端所在侧壁的内表面与辅助壁的内表面之间存在预设钝角。本发明提供的反应腔室，可以提高反应腔室内气流场的均匀性，从而可以提高衬底的工艺均匀性，进而可以提高工艺质量。
一种反应半导体加工设备

[发明专利]反应腔-CN201310250511.4无效
发明人：林翔;丁大鹏 -专利权人：光垒光电科技（上海）有限公司
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种反应腔。所述反应腔包括位于所述反应腔顶部的喷淋头和位于所述反应腔底部且正对所述喷淋头的基座；在所述喷淋头上加载电势成为正极，在所述喷淋头下方设置一负极，从而形成了一电场，这有助于减少甚至杜绝反应正离子向着喷淋头的下表面扩散
反应

[发明专利]反应腔-CN201310192705.3无效
发明人：仁君;谭华强 -专利权人：光垒光电科技（上海）有限公司
申请日： 2013-05-22 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种反应腔。可以延长吹扫气体扩散路径，且使得接触内衬的面积也增大，减少了降温的效果，从而减少了腔体内衬局部温度过低的情况发生，能够形成均匀的气流场，同时能够使得腔体内衬与冷却腔体内壁之间的空间得到保护并且维持平稳，有利于维持反应的正常进行
反应

[实用新型]反应腔-CN200720142563.X无效
发明人：张力夫;徐大镇;吴书明;蔡庆文;杨易昌 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2007-05-22 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种反应腔，适用于等离子体工艺的机器，反应腔具有开口，开口表面设置有遮板，其中，遮板与晶片的表面相对，且遮板的表面为粗糙的表面。
反应

[实用新型]反应腔-CN200820003741.5无效
发明人：钟卓君;黄琡媛;吴文仁 -专利权人：钛昇科技股份有限公司
申请日： 2008-02-19 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：一种反应腔，其包括一平台及一载片，于平台的台面上设置一环槽，环槽中设置一O型环圈，平台侧边枢设至少一个夹爪，于载片表面设置检验芯片，载片设置于平台而抵靠于O型环圈上方，载片以夹爪夹持定位，而在平台表面、O型环圈所围绕的内部区域及载片之间形成一腔室，而能达到易于架构出一检验区间，使待检验物品的检验工作易于进行，并且，本实用新型形成模组化结构设计，可以叠置组合的方式，而能一次处理多片检验芯片，以达到提高检验产能的实用功效
反应

[外观设计]反应腔-CN202230770187.9有效
发明人：郑洪 -专利权人：上海协微环境科技有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： 24-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：反应腔。2.本外观设计产品的用途：作为尾气处理器的反应腔，用于气体燃烧反应的腔室。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
反应

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